【課題】基材上にパターンを低温かつ低コストで形成することができると共に、リフトオフを容易にできるパターン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係るパターン構造体の製造方法では、基材１０上に、インクジェット法によりリフトオフ材１２を形成する。次に、基材１０及びリフトオフ材１２上に、原子層堆積法により機能膜１４を形成する。次に、リフトオフ法によりリフトオフ材１２を除去することによって、基材１０上に、機能膜１４からパターン１４ａを形成する。リフトオフ材１２は、樹脂と溶媒とを含むインクを基材１０上に塗布した後、溶媒を除去することによって形成される。溶媒は、樹脂に対する第１溶解性を有する第１溶媒と、第１溶解性よりも低い第２溶解性を有する第２溶媒とを含む。第１溶媒は第２溶媒に相溶する。 （もっと読む）

【課題】矩形基板に正対した状態のプラズマを生成することができるアンテナユニットおよびそれを用いて矩形基板に均一なプラズマ処理を行うことができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】輪郭が矩形状をなす平面型のアンテナ（１３ａ）を有するアンテナユニットにおいて、アンテナ（１３ａ）は、複数のアンテナ線（６１，６２，６３，６４）を、同一平面内において、辺の中央部の巻数よりも角部の巻数が多くなるように巻回して全体が渦巻状になるように構成され、アンテナ線の配置領域が額縁状をなし、アンテナ（１３ａ）の外郭線（６５）および内郭線（６６）で囲まれた額縁領域（６７）が、アンテナ（１３ａ）の対向する２辺を貫く中心線について線対称となるように、各アンテナ線に屈曲部（６８）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールをより微細に形成することができる薄膜のパターニング方法及び表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】所定の段差部を有した絶縁層２５を形成する工程と、スパッタ法により前記段差部を覆うようにして前記絶縁層２５上に犠牲層２８を成膜する工程と、前記段差部に対応する領域における前記犠牲層２８のうちの少なくとも一部の除去と、前記除去により前記犠牲層２８から露出された領域における前記絶縁層２５の除去とを、ドライエッチングにより連続して行う工程と、前記ドライエッチングで残存した前記犠牲層２８の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 エッチング処理が困難な材料に対しても適用可能であり、サイドエッチングを抑制し、且つエッチング処理面が平滑である良好なパターン形状を得ることができるミストエッチング装置及びミストエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 エッチング液をミスト化するミスト生成部と、エッチング対象物をエッチングするエッチング部とを備えており、前記ミスト生成部は、エッチング液が収容され且つミスト化されるミスト生成容器と、前記エッチング液をミスト化するミスト生成機構と、生成された前記ミストを前記ミスト生成容器外へ排出するミスト排出口とからなり、前記エッチング部には、前記ミストが導入されるミスト導入口と前記エッチング対象物とが備えられ、該エッチング部で前記ミストが蒸気化されることを特徴とするミストエッチング装置とする。 （もっと読む）

本発明のあるいくつかの例示的な実施形態は、透明導電層（ＴＣＣ）としてのグラフェンの使用に関する。本発明のあるいくつかの例示的な実施形態において、グラフェン薄膜は、広い領域上に、例えば触媒薄膜上に、炭化水素ガス（例えば、Ｃ₂Ｈ₂、ＣＨ₄などといった）からヘテロエピタキシャル成長する。あるいくつかの例示的な実施形態のグラフェン薄膜は、ドープされていてもアンドープであってもよい。あるいくつかの例示的な実施形態において、一旦形成されたグラフェン薄膜は、それらのキャリア基板をリフトオフされていても、例えば中間および最終生成物を含め、受電基板に転写されていてもよい。この方法で成長させ、リフトされかつ転写されたグラフェンは、低いシート抵抗（例えば、１５０オーム／スクウェア未満でかつドープされているときより低い）および高い透過係数（transmission value）（例えば、少なくとも可視および赤外線スペクトルにおいて）を示してもよい。
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【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行った後、酸素雰囲気下において徐冷する。また、酸化物半導体膜中だけでなく、ゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減し、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】基板上の広い範囲において基板上の膜の除去がより確実に行なわれる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】主面Ｓ上に膜３０が形成された基板２が固定される。第１の焦点位置Ｆａを有する第１の光Ｌａが膜３０のうちの第１の部分ＴＡ１に照射され、かつ厚さ方向において第１の焦点位置Ｆａと異なる第２の焦点位置Ｆｂを有する第２の光Ｌｂが膜３０のうちの第２の部分ＴＢ１に照射される。第１および第２の部分ＴＡ１、ＴＢ１の各々は、互いに重複しない部分を有する。 （もっと読む）

【課題】発光体近傍の透明導電体層表面に凹凸を形成し、その間隔ピッチ、形状を制御することにより、放熱性の向上と、光取出し効率の更なる向上が図れる発光素子及び該発光素子の製造方法の提供。
【解決手段】屈折率が１．７以上である透明導電体層を少なくとも有する発光素子であって、前記透明導電体層表面に、該表面を基準として複数の凹部が配列されたことによって形成された凹凸部を有してなり、隣接する凹部の中心間の最短距離が１００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下であり、かつ凹部深さが６０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】低コストの装置構成で処理精度の向上を図ることのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋの面における任意箇所に所定の処理を施す処理ヘッド７３と、基板Ｋと処理ヘッド７３とを相対的に移動させる駆動手段７４Ｘ,７４Ｙとを備え、基板Ｋと処理ヘッド７３とを相対的に移動させることで基板Ｋに１次元または２次元的な所定の処理を施す基板処理装置であって、前記駆動手段７４Ｘ,７４Ｙに見かけ上の真直進性を持たせるための制御データＤ６Ｘ，Ｄ６Ｙを記憶した記憶手段９２を備え、基板Ｋと処理ヘッド７３との相対的な移動に伴い前記制御データＤ６Ｘ，Ｄ６Ｙに基づき駆動手段７４Ｘ,７４Ｙを補正駆動するように構成する。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチング液によるウエットエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチングガスによるドライエッチングを用いる。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】ラジカルによる高速エッチングを行なえる技術を提供する。
【解決手段】フィルタ３０ａによって真空槽１１の内部をラジカル生成室３とエッチング室４とに区分けし、ラジカル生成室３内に二重ドームを突出させ、二重ドームの隙間２７に還元性ガスと酸化性ガスを含有するエッチングガスを導入し、アンテナ２４からマイクロ波を放射してプラズマを形成し、生成されたラジカルを放出孔２８からラジカル生成室３の内部に放出させる。ラジカルはフィルタ３０ａの小孔３２ａを通してエッチング室４に移動し、エッチング対象物２２の犠牲層をエッチング除去する。エッチング対象物２２の表面上に還元性ガスのプラズマを形成しておき、酸化性ガスのラジカルによって形成された犠牲層上の酸化物を還元除去すると、高速のエッチングを行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルやＰＤＰ、ＬＣＤやＥＬディスプレイ材料、太陽電池の透明電極や裏面電極、ハイブリッド型太陽電池の透明中間層、化合物半導体高速デバイスに用いる低誘電率膜、表面弾性波素子、赤外線カットなどを目的として、基材の両面に透明電極が形成された透明導電膜のパターニングの方法を提供する。
【解決手段】基材１の両面に透明電極層２，３が形成された透明導電膜のパターニングにおいて、ＹＡＧまたはＹＶＯ₄レーザー４の基本波または第２高調波を用いることで、片面のみの精度の高いパターニングが可能となる。 （もっと読む）

【課題】取り外し可能なマスクを用いて基板上にパターン化された層を製造し得る装置及び方法を提供する。
【解決手段】マスクを基板上に直接形成する従来の技術と異なり、マスク１１０は基板１０５とは独立に形成される。使用中、マスク１１０は、例えば堆積、スパッタリング、エッチング等の処理のために基板１０５の一部分のみが露出されるように、基板１０５に接近して又は接触して設置される。処理が終了したら、マスク１１０は基板１０５から取り外され、廃棄されるか、別の基板１０５に使用される。マスク１１０は所定の数の基板１０５に対して循環使用された後に、洗浄又は廃棄のために取り外すことができる。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストの縁部のバリの形成方法とアレイ基板の製造方法に関する。
【解決手段】当該アレイ基板の製造方法は、基板にゲート・ラインとゲート電極パターンを形成するステップと、データ・ラインと、ソース電極と、ドレイン電極と、ＴＦＴチャネル領域パターンとを形成し、フォトレジストを残し、パッシべーション層を堆積し、剥離工程によってフォトレジスト及びその上のパッシべーション層を除去するステップと、フォトレジストを塗布し、フォトレジストに山状の縁部のバリを形成し、透明導電薄膜を堆積し、剥離工程によってドレイン電極に直接に接続する画素電極パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】加工精度や加工速度の高い酸化亜鉛膜のドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛膜をドライエッチングで所望の形状に加工する際、メタンおよび水素を含む混合ガス雰囲気中でエッチングまたはクリーニング処理をおこない、前記エッチングまたはクリーニング処理の途中からメタンガスの供給を止めるあるいは段階的もしくは連続的にメタンの供給を減少させて供給するプロセスガス中のメタンをゼロとして、メタンを含まない好ましくは水素のみの雰囲気中で継続的にエッチングまたはクリーニング処理をおこなうことにより、酸化亜鉛膜上へのアモルファスカーボン系の堆積物を発生させることなく安定的に高い精度を有する加工方法を提供し、課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】透明電極と金属電極との位置精度を向上させ、画像表示性能に優れた表示デバイスを低コストで実現する。
【解決手段】基板１上に透明電極と金属電極とが順次形成された映像表示装置の製造方法であって、基板１上に透明電極形成層２を形成するステップと、その後、透明電極形成層２の上に金属電極６をパターニング形成するステップと、その後、透明電極形成層２を所定パターンの透明電極９にパターニング形成するステップとを含み、透明電極形成層２をレーザーアブレーション法によりパターンニングする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の表面に直接透明電極膜を成膜した場合であっても、レーザの照射熱によるガラス基板の損傷を可及的に低減した上で、高精細な透明電極のパターニングを実現する。
【解決手段】ガラス基板１上に透明電極膜２を成膜した後、透明電極膜２の不要部位Ｘ１にレーザ光３を照射して不要部位Ｘ１を除去することにより、透明電極膜２の必要部位Ｘ２を残してガラス基板１に透明電極のパターニングを施す透明電極のパターニング方法であって、ガラス基板１の表面に所定の初期厚みを有する透明電極膜２を成膜する成膜工程Ｓ１と、成膜工程Ｓ１で成膜された透明電極膜２の不要部位Ｘ１に初期厚みよりも薄い透明電極膜２が残存するように、不要部位Ｘ１にレーザ光３を照射するレーザ光照射工程Ｓ２と、レーザ光照射工程Ｓ２で不要部位Ｘ１に残存させた透明電極膜２をエッチング液４により除去するエッチング工程Ｓ３とを含む。 （もっと読む）

【課題】 精度が高く、かつ、安全性の高いＺｎＯ膜の加工方法を提供する。
【解決手段】 酸化亜鉛を含む物質からなる被エッチング部材の上にレジストをパターニング形成する工程と、還元性ガスを含むガスを用いて前記被エッチング部材をエッチングする工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置の複雑化を伴うことなく、ワークの被処理面の各部に応じた処理を行い得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、プラズマを用いて、ワーク１００の被処理面１０１を処理する装置であり、第１の電極２と、複数の単位電極４１で構成され、各単位電極４１がそれぞれ第１の電極２に対して接近および離間可能なように、ワーク１００を介して第１の電極２に対向して設置された第２の電極４と、第１の電極２と第２の電極４との間に電圧を印加する電源回路（通電手段）８と、第１の電極２と第２の電極４との間に、ワーク１００の被処理面１０１を処理する処理ガスを供給するガス供給手段１１と、複数の単位電極４１と第１の電極２との離間距離を規定する離間距離規定手段５とを有する。 （もっと読む）