【課題】光学的手法を用いて被処理基板の構造をより高精度に評価することができるプロセスモニター装置を提供する。
【解決手段】プロセスモニター装置１１は、光を出射する光源部と、光の強度を検知可能な光検知部と、光源部から出射された光をウェハＷまで導き、ウェハＷから反射した反射波を光検知部まで導く第一光経路２１と、第一光経路２１と同等の光伝搬特性を有するように構成され、光源部から出射された光を、ウェハＷを経由することなく光検知部まで導く第二光経路と、第二光経路を通して光検知部により検知された光の強度情報に基づいて、第一光経路２１を通して光検知部により検知された光の強度情報を補正し、ウェハＷの構造を解析するコントローラ１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法を提供する。
【解決手段】第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。本発明の具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】近接場光によるエッチングが困難なサイズの凸部でも光の照射により選択的にエッチングすることを可能とする。
【解決手段】基板の表面に形成された凸部をエッチングするための基板の表面平坦化方法である。凸部３が露出するように基板２の表面２ａにレジスト５を被覆させる。続いて、エッチングガス雰囲気中において当該エッチングガスのガス分子６の吸収端波長より長波長の伝搬光を基板２に照射する。このとき、凸部２のレジスト５からの露出部４の表面において、照射した伝搬光によりガス分子４を断熱過程を経て解離させることによって露出部４がエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガスを用いずに銅部材のエッチングレートを高くすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０において、円滑化された表面５０を有するＣｕ層４０を得た後、水素ガスにメタンガスを添加した処理ガスを処理室１５の内部空間へ導入し、該処理ガスからプラズマを生じさせて、酸化層４２のエッチングの際に生じた酸素ラジカル５２、並びにメタンから生じた炭素ラジカル５３を処理室１５の内部空間に存在させ、酸素ラジカル５２や炭素ラジカル５３から有機酸を生成し、該有機酸をＣｕ層４０の銅原子と反応させて銅原子を含む有機酸の錯体を生成し、さらに、該生成された錯体を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＯ_２膜を除去するラジカルクリーニング方法であって、ラジカルクリーニングを行う際に生成する残留生成物も除去することができるラジカルクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマによりＨラジカル生成用ガスを分解してＨラジカルを生成させ、このＨラジカルとＮＦ_３ガスを反応させてＮ、Ｆ及びＨからなるラジカルを生成するＮＦＨラジカル生成工程と、真空槽内で、Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＯ_２膜に前記Ｎ、Ｆ及びＨからなるラジカルを照射することにより前記ＳｉＯ_２膜を除去するエッチング工程と、真空槽内で、前記エッチング工程で前記Ｓｉ基板上に生成した残留生成物にマイクロ波を照射することにより、前記残留生成物を加熱して蒸発させて除去する残留生成物除去工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理材に照射される真空紫外光の光強度分布を均一に調整して、被処理材を高均一に処理する。
【解決手段】真空紫外光を照射する光源と、被処理材を載置するステージと、前記ステージと光源の間に配置され、前記被処理材表面に照射される真空紫外光の面内光強度分布を補正する補正部材を備え、前記補正部材により面内における透過率を調整して前記被処理部材に均一な光強度を有する真空紫外光を照射する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で効率良く処理チャンバ内パーツを加熱することのできる半導体製造装置の処理チャンバ内パーツの加熱方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバ内に基板を収容し、基板に所定の処理を施す半導体製造装置の処理チャンバ内に設けられた処理チャンバ内パーツを加熱する半導体製造装置の処理チャンバ内パーツの加熱方法であって、第１の処理チャンバ内パーツを透過し、第１の処理チャンバ内パーツとは異なる材料からなる第２の処理チャンバ内パーツに吸収される波長域の加熱用の光を発生させる加熱用光源を処理チャンバの外側に配設し、加熱用の光を第１の処理チャンバ内パーツを透過させて第２の処理チャンバ内パーツに照射し、第２の処理チャンバ内パーツを加熱する。 （もっと読む）

【解決手段】入口ロードロックチャンバのなかに、ウエハが提供される。入口ロードロックチャンバのなかに、真空が形成される。ウエハは、加工ツールへ搬送される。加工されたウエハを提供するために、ウエハは、プロセスチャンバにおいて加工され、該加工は、ウエハ上にハロゲン残留物を形成する。ウエハの加工後、プロセスチャンバにおいて脱気工程が提供される。加工されたウエハは、脱気チャンバのなかへ移される。加工されたウエハは、脱気チャンバにおいて、ＵＶ光と、オゾン、酸素、又はＨ₂Ｏの少なくとも１つを含むガス流とによって処理される。ガス流は、停止される。ＵＶ光は、停止される。加工されたウエハは、脱気チャンバから取り出される。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム誘起付着、イオンビーム誘起付着およびレーザビーム誘起付着中に汚染物を除去する、または酸化可能な材料の付着またはエッチング中の酸化をリアルタイムで抑制する方法を提供する。
【解決手段】加工物にビームを照射すると同時に、付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスを、純化化合物およびキャリヤ・ガス（任意選択）とともに、または、予め混合してから、処理室内へ噴射する。ビームは、ビームを照射した領域にだけ膜を付着させ、または、ビームを照射した領域の膜だけをエッチングする。純化化合物は炭素などの不純物を、膜成長中に除去し、あるいは、エッチングされた材料の酸化を抑制する。付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスと膜純化化合物との同時注入または噴射前の予混合によって、成長／エッチング速度および達成可能な材料純度に関して、付着プロセスまたはエッチング・プロセスを最適化する。 （もっと読む）

【課題】電子密度分布を均一に制御し、プラズマ処理を被処理体に施すことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容された筒状の処理室１２内に処理ガスを供給してプラズマを生成し、生成したプラズマにて被処理体Ｗにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に、前記処理室１２内の略中央部に光を照射する第１光照射手段と、前記処理室１２内の周壁側の領域に光を照射する第２光照射手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ダミー基板を必要とすることなく、かつ、加熱機構の構成を簡略化することのできるフォーカスリングの加熱方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】真空処理チャンバと、基板を載置するための載置台を兼ねた下部電極と、下部電極と対向するように設けられた上部電極と、処理ガスを供給するためのガス供給機構と、下部電極に高周波電力を供給して処理ガスのプラズマを発生させるための高周波電力供給機構と、下部電極上に基板の周囲を囲むように設けられたフォーカスリングとを具備したプラズマエッチング装置において、真空処理チャンバの外部に設けた光源からの加熱用の光を、フォーカスリングの下部に設けられた円環状の絶縁部材を介してフォーカスリングに供給して加熱する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ内に存在するラジカル種及びイオン種の種類又は密度を制御し、プロセスに対して適したプラズマを生成し、かつ、照射範囲の制御可能な光の照射の有無によりプラズマ状態の切り換えをすることができるプラズマエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバの内部にプロセスガスを一定の流量で導入し、前記プロセスチャンバの内部の圧力を一定に保ち、電源により前記プロセスチャンバの内部に存在するガスを励起しプラズマを発生させ、被エッチング材をプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法において、前記プロセスチャンバの内部に存在するガス分子の電子、振動又は回転励起を誘起する光を光源から前記プロセスチャンバの内部に導入し、前記光は、前記光源と、チャンバへの導入口の間に備えられた光学系により、照射範囲の拡大、または縮小されることができることを特徴とするプラズマエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマ内に存在するラジカル種及びイオン種の種類又は密度を制御し、プロセスに対して適したプラズマを生成し、かつ、照射範囲の制御可能な光の照射の有無によりプラズマ状態の切り換えをすることができるラズマエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバの内部にプロセスガスを一定の流量で導入し、前記プロセスチャンバの内部の圧力を一定に保ち、電源により前記プロセスチャンバの内部に存在するガスを励起しプラズマを発生させ、被エッチング材をプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法において、前記プロセスチャンバの内部にガス分子の光解離をさらに誘起する光を光源から前記プロセスチャンバの内部に導入し、前記光は、前記光源と、チャンバへの導入口の間に備えられた光学系により、照射範囲を拡大、または縮小されることを特徴とするプラズマエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】 大型の矩形基板の位置ずれや欠けなどの異常を確実に検出できる搬送室およびそのような搬送室を備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】 搬送装置５０のスライドピック５１３に基板Ｓを載置し、搬送室２０内からゲート開口２２ｄを介してプロセスチャンバ１０ｂへ搬入する際に、ゲート開口２２ｄに対応して搬送室２０内におけるその近傍に、基板Ｓとの相対的な位置関係が同じになるように基板Ｓの幅よりも狭い間隔で左右に配備された一対のセンサ７０，７０によって基板Ｓの両端部からそれぞれ５〜１０ｍｍ内側の部位に光線を照射し、その反射率または透過率から、基板Ｓの位置ずれや欠陥などの検出を行う。 （もっと読む）

様々な計測システムおよび計測方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に存在する、ドライエッチング後に生成する硬化したレジスト膜、その下層に残留するＢＡＲＣ膜、及びドライエッチング残渣等の除去において、アッシング処理を行わずに除去する方法を提供する。
【解決手段】半導体製造プロセスにおいて基板上に形成される有機質物膜および／またはその膜をエッチングおよび／または研磨した際に生成する有機残渣に、１〜５００ｍＷ／ｃｍ²の照射強度の真空紫外線を、大気中、２ｍｍ以下の距離で照射することを特徴とする有機質物除去方法。 （もっと読む）

【課題】異常放電等を生じることなく各構成部材を効率よく加熱することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、減圧可能なチャンバ１１と、チャンバ１１内に設けられたサセプタ１２と、サセプタ１２と対向するようにチャンバ１１の天井部分に設けられたシャワーヘッド２７と、サセプタ１２の上面外周部に配置されたフォーカスリング２４とを備え、フォーカスリング２４の近傍に配置された赤外線輻射式のリング状のヒータ２６を備え、ヒータ２６は、赤外線輻射体２６ａ及び赤外線輻射体２６ａが封入された石英製リング２６ｂからなり、フォーカスリング２４及びヒータ２６の間に赤外線の輻射を阻害する部材を存在させないようにした。 （もっと読む）

【課題】被処理体に形成された自然酸化膜を除去することができる被処理体の処理方法、処理装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】 熱処理装置１の制御部１００は、自然酸化膜が形成された半導体ウエハＷを収容した反応管２内を４００℃に加熱する。反応管２内が４００℃に加熱されると、制御部１００は、処理ガス導入管１７から、塩素を含む処理ガスを供給することにより処理ガスに含まれる塩素を活性化させる。この活性化された塩素が半導体ウエハＷに供給されることにより、半導体ウエハＷに形成された自然酸化膜が除去される。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対して処理を行う処理容器を備えた処理装置において、処理容器及び被処理体の金属汚染を防ぐこと。
【解決手段】被処理体に対して処理を行うための処理容器を備えた処理装置において、少なくとも一部が金属により構成され、ハロゲンを含む腐食性ガスを前記処理容器に供給するためのガス供給流路と、前記ガス供給流路における金属部分を通流した前記腐食性のガスに光エネルギー、熱エネルギー及び衝突エネルギーの少なくとも一つを供給して、前記腐食性ガス中のハロゲンと前記金属とを含む化合物を安定化させるためのエネルギー供給部と、このエネルギー供給部によりエネルギーが供給されて安定化した化合物を捕捉する捕捉手段と、を備えるように処理装置を構成し、前記化合物が処理容器に供給されることを防ぐ。 （もっと読む）