【課題】焼成時における膜中の異常結晶成長を防止することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】表面に薄膜が形成された半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されて保持部７に保持される。チャンバー６内の雰囲気置換が行われた後、光照射部５のフラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷに向けてフラッシュ光が照射され、薄膜の焼成処理が行われる。フラッシュ光照射と同時に、光照射部５のハロゲンランプＨＬによる光照射も開始する。発光時間が極めて短く強度の強いフラッシュ光であれば、薄膜の表面温度を瞬間的に昇温することができる。このため、膜中に長時間焼成に起因した異常結晶成長が生じるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】被処理材に照射される真空紫外光の光強度分布を均一に調整して、被処理材を高均一に処理する。
【解決手段】真空紫外光を照射する光源と、被処理材を載置するステージと、前記ステージと光源の間に配置され、前記被処理材表面に照射される真空紫外光の面内光強度分布を補正する補正部材を備え、前記補正部材により面内における透過率を調整して前記被処理部材に均一な光強度を有する真空紫外光を照射する。 （もっと読む）

【課題】画像処理によらず、測定位置を適切に調整することができるエッチングモニタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッチングモニタリング装置は、光源１０から被処理基板Ｓ上に導入される入射スポット光の照射位置を移動させるための微小移動ステージ１６と、被処理基板Ｓ上を入射スポット光の光径以下の間隔で走査した照射位置の各々に対し、CCDラインセンサ１８により取得される検出信号から干渉成分の強度を取得する干渉強度取得部２５と、干渉強度取得部２５により取得された干渉成分の強度に基づき、その強度が最大となる被処理基板Ｓ上の位置を探索し、その位置をエッチング深さの測定位置とするよう照射位置を移動させる測定位置決定部２６と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発光の変動の影響を受け難く、信号対ノイズ比が充分で、広い波長範囲での測定を可能にするプラズマエッチングまたは堆積プロセスのモニタリング方法および装置を提供する。
【解決手段】高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプを用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。フラッシュランプとウエハで反射された光を検出するために使用される分光器との間の光路は、スペクトルの紫外領域を実質的に伝達可能である。膜厚とエッチング速度および堆積速度とは、ソフトウェアアルゴリズムによって計算される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の部材に付着したＳｉ及びＣを含む膜を容易に除去でき、且つ部材にダメージを与えるおそれが少ない膜の除去方法、及びその除去方法において使用する膜除去用装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＣを含む膜が形成された半導体基板２０をチャンバ１１内に配置する。また、チャンバ１１内に酸素ガスを導入するとともに、真空排気ポンプ１７によりチャンバ１１内の圧力を例えば１０Torr（約１．３３×１０³Ｐａ）に維持する。そして、真空紫外光ランプ１３により発生した真空紫外光を半導体基板２０に照射する。これにより、ＳｉとＣとの結合が切断され、Ｓｉと酸素とが結合して、Ｓｉ及びＣを含む膜がＳｉＯ膜に変質する。その後、フッ酸等によりＳｉＯ膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で効率良く処理チャンバ内パーツを加熱することのできる半導体製造装置の処理チャンバ内パーツの加熱方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバ内に基板を収容し、基板に所定の処理を施す半導体製造装置の処理チャンバ内に設けられた処理チャンバ内パーツを加熱する半導体製造装置の処理チャンバ内パーツの加熱方法であって、第１の処理チャンバ内パーツを透過し、第１の処理チャンバ内パーツとは異なる材料からなる第２の処理チャンバ内パーツに吸収される波長域の加熱用の光を発生させる加熱用光源を処理チャンバの外側に配設し、加熱用の光を第１の処理チャンバ内パーツを透過させて第２の処理チャンバ内パーツに照射し、第２の処理チャンバ内パーツを加熱する。 （もっと読む）

【解決手段】回転式シャッタを有するＵＶランプアセンブリ。各回転式シャッタは、反射性の陥凹面を伴う凹面壁を有する。回転式シャッタは、開位置と閉位置との間で一体的に回転させることができる。回転式シャッタは、開位置では、ＵＶランプのＵＶ光がＵＶランプアセンブリから出て行くのを阻まない一方で、閉位置では、ＵＶ光がＵＶランプアセンブリから出て行くのを阻む。 （もっと読む）

【課題】ダミー基板を必要とすることなく、かつ、加熱機構の構成を簡略化することのできるフォーカスリングの加熱方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】真空処理チャンバと、基板を載置するための載置台を兼ねた下部電極と、下部電極と対向するように設けられた上部電極と、処理ガスを供給するためのガス供給機構と、下部電極に高周波電力を供給して処理ガスのプラズマを発生させるための高周波電力供給機構と、下部電極上に基板の周囲を囲むように設けられたフォーカスリングとを具備したプラズマエッチング装置において、真空処理チャンバの外部に設けた光源からの加熱用の光を、フォーカスリングの下部に設けられた円環状の絶縁部材を介してフォーカスリングに供給して加熱する。 （もっと読む）

様々な計測システムおよび計測方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 加熱処理装置等にセッティングするときに、封止部を破損させるおそれの少ない支持構造を有するフィラメントランプを提供することである。
【解決手段】 両端に、金属箔が埋設されて気密に封止された板状の封止部を有する発光管と、前記発光管内に、発光管の管軸方向に伸びるように配設されたフィラメントと、前記フィラメントの両端のそれぞれに連設されるとともに、前記封止部に埋設された金属箔に対し電気的に接続された内部リードと、前記封止部を収納する有底開口を有するベース部と、前記ベース部に装着される固定用金具とを備え、前記固定用金具は、前記発光管の管軸方向に延伸して前記ベース部の有底開口に挿入される舌片部と、前記舌片部に連接され鉛直方向に延伸するとともに、回動自在な鉛直方向部とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸素プラズマ中の活性種の失活を抑えプラズマ処理効率の向上を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】円柱体１５、下蓋３３、拡散板４３、スカート等の形成部材の各表面を、フッ化表面層ＦＳで被膜した。これにより、酸素プラズマ中のラジカル（活性種）が、プラズマ生成室Ｓから半導体基板まで案内される流路上の各形成部材の表面への接触等を起こしても失活し難くなり、プラズマ処理効率の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ステージに載置される加工用基板の予備加熱効率を上げ生産効率の向上を図ることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用トレイを提供する。
【解決手段】ステージ５の載置面５ａに、複数枚の半導体基板Ｗを位置決め保持する保持用トレイ６のみを没入させるトレイ収容溝１０を形成する。そして、保持用トレイ６がトレイ収容溝１０内に没入されて行く過程において、ステージ５の載置面５ａが、格子空間を貫通し支持桿８に支持されている各半導体基板Ｗと当接し、各半導体基板Ｗと保持用トレイ６とを離間させる。各半導体基板Ｗは、ステージ５の載置面５ａに載置される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の高周波給電部において高周波パワー伝送効率の安定化をはかり、プラズマプロセスの再現性・信頼性を向上させる。
【解決手段】この容量結合型プラズマエッチング装置において、チャンバ１０内で半導体ウエハＷを載置するサセプタ１２には、高周波電源２８がマッチングユニット３０および給電棒３２を介して電気的に接続されている。給電棒３２の途中で、あるいはマッチングユニット３０内の整合器の後段で、短絡スイッチ付き抵抗器３５が挿入接続されることにより、整合器から見た負荷抵抗の値はプラズマ抵抗の値に抵抗器の値を加え合わせたものになり、それによってパワー伝送効率の高い安定領域でプラズマにＲＦパワーを供給することができる。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対する熱の影響を抑制することができ、エッチング速度の低下を防止することができ、かつ高精度にエッチングを行うことができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】光Ｌの照射を受けて化学的に活性化するエッチング媒体（エッチング液Ｑ）を被処理体（基板Ｓ）上に配置する媒体配置工程と、被処理体とエッチング媒体との界面Ｆの一部の照射領域Ｒに光を照射する光照射工程と、を含み、光照射工程では、照射領域Ｒの近傍においてエッチング媒体を吸引することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】同一の処理室で、自然酸化膜が除去された後にシリコン基板の界面の酸素を確実に除去する。
【解決手段】ＮＨ_３及びＮ_２及びＮＦ_３を導入し、シリコン基板５の酸化表面にＮＨｘＦｙを作用させることで（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６を生成し、シリコン基板５を所定温度に制御することにより（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６を昇華させてシリコン基板５の表面の酸化膜を除去し、続けてＮＨ_３及びＮ_２及びＮＦ_３を導入し、温度が維持された状態でシリコン基板の表面にＦラジカルを作用させてシリコン層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対する熱の影響を抑えることができるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】光の照射を受けて化学的に活性化するエッチング材料を含んだエッチングガス層を被処理体上に形成する層形成工程と、前記被処理体と前記エッチングガス層との界面に前記光を照射する光照射工程とを含む。エッチングガス層に光を照射し当該エッチングガス層に含まれるエッチング材料を化学的に活性化させることで、エッチング材料のラジカルやイオンが発生する。当該ラジカルやイオンが被処理体と反応することにより、被処理体がエッチングされる。このように、化学反応のみによって被処理体をエッチングすることができるので、プラズマを照射する場合に比べて被処理体に及ぼす熱の影響を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波を使用する減圧処理容器内での昇華物再付着防止。
【解決手段】 減圧処理容器内部に、マイクロ波励起無電極ランプを挿入できる構成を設け、プラズマ生成用のマイクロ波発振器を使用し、第1の工程でプラズマを励起せず、ＵＶ発光によるオゾンクリーニングを実施し、第2の工程で処理対象物を入れ、通常のプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】低圧力雰囲気ではガスによる熱伝達が少ないため、温度の制御が困難である。プラズマ処理装置において、被処理基板等の温度制御対象と温度制御手段の間の熱抵抗が大きく、素早い温度制御が困難であった。
【解決手段】被処理基板を戴置する基板電極を備えた処理室と、該処理室に所定量のガスを供給するガス供給機構と、該処理室の圧力またはガス密度を制御可能な排気速度可変の真空排気系と、該処理室内に電磁波を供給してプラズマを発生する機構と、該電磁波を該処理室内に供給するための電磁波透過窓と、を備えたプラズマ処理装置において、被処理基板の温度を制御するため赤外線等の電磁波を被処理基板の表面または処理室に供給する電磁波供給機構を備える。 （もっと読む）

【課題】 オゾンガスと紫外線とを併用する酸化による表面処理方法において、酸化効率を向上させることのできる手段を提供する。
【解決手段】 キセノンガス等の希ガスとオゾンガスとの混合ガスを被処理物に作用させ、その混合ガスに紫外光を照射作用させる。混合ガス中の酸素分子密度を減じることでオゾンガスの分解を促進して、酸化効率を向上させ、原子状酸素を有効に基板表面に到達させる。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマチャンバ内の正規化発光スペクトルを定量的に測定するためにプラズマ発光をその場（in-situ）で光学的に調査するための構成が提供される。該構成は、フラッシュランプと、石英窓のセットとを含む。構成は、また、石英窓のセットに光学的に結合された複数のコリメート光学アセンブリも含む。この構成は、更に、少なくとも照明光ファイバ束、収集光ファイバ束、及び基準光ファイバ束を含む複数の光ファイバ束を含む。この構成は、尚も更に、少なくとも信号チャネル及び基準チャネルを伴うように構成されたマルチチャネル分光計を含む。信号チャネルは、第１の信号を測定するために、少なくともフラッシュランプ、石英窓のセット、コリメート光学アセンブリのセット、照明光ファイバ束、及び収集光ファイバ束に光学的に結合される。 （もっと読む）