【解決手段】 バンプ７を覆う被覆材８を除去して該バンプを露出させるレーザ加工方法に関する。第１ステップでは、バンプの中心頂部とその周辺部分とを覆う被覆材にレーザ光を照射して該部分に浅い凹部９を形成することにより、上記バンプの周辺部分に被覆材を残したまま該バンプの中心頂部を露出させる。第２ステップでは、レーザ光による上記被覆材の有効穿孔径Ｒ_２を第１ステップにおける有効穿孔径Ｒ_１よりも小さく設定して、該レーザ光を上記第１ステップで穿孔された凹部９内の被覆材８に照射して上記バンプの周辺部分の被覆材を除去することにより、該バンプの周辺部分を露出させる。
【効果】 バンプ７の溶融を防止しながら、バンプの中心頂部とその周辺部分とを覆う被覆材を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】レジスト残渣を残さず、かつ、レジストの下層（例えば半導体層）へのダメージを従来よりも抑えることが可能なレジスト除去方法を実現する。
【解決手段】本発明は、素子に付いたレジスト３の一部を除去対象として除去するレジスト除去方法の発明である。本発明では、例えば、除去対象の一部が除去加工されるとともに除去対象の残りの一部６が露光されるように除去対象に向けてレジストが吸収する波長のレーザー光４を照射するとともに、露光された部分６を現像により除去することで、半導体素子に塗布したレジスト３の一部を除去する。 （もっと読む）

【課題】薬液を使用することなく、基板から膜を剥離して製造コストおよび環境負荷を低減することができる技術を提供する。
【解決手段】界面ＢＦでの超短パルスレーザービームのフルエンスが基板加工閾値よりも大きく、かつ膜加工閾値よりも小さくなるように設定された、超短パルスレーザービームが薄膜Ｆを介して界面ＢＦに照射される。このため、当該界面ＢＦでのレーザー照射部分で基板Ｗが選択的に加工されて基板Ｗと薄膜Ｆの結合が低下して薄膜Ｆが剥離される。このように薄膜Ｆに対して物理的あるいは化学的に作用させることなく、いわゆるドライ処理によってレーザー照射を行った部分の薄膜Ｆを選択的に剥離させることができる。したがって、薬液を使用することなく、薄膜Ｆを剥離させることができ、製造コストおよび環境負荷を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】基本波の波長が赤外域の超短パルスレーザ光でレーザ加工を行う際に、被加工物上に堆積するデブリがより少ないレーザ加工を実現すること。
【解決手段】レーザ発振器１から出射されるパルスレーザ光を、シリコンを主成分とする被加工物１５に照射することでレーザ加工を行う際に、パルスレーザ光は、パルス幅が３０フェムト秒以上１００ピコ秒以下、かつ基本波の波長が赤外域のものとする。加工する際には、パルスレーザ光を透過する窓４ａを有するチャンバ４に被加工物１５を収納し、チャンバ４に六フッ化硫黄の反応性ガスを導入する。次いで、チャンバ４に導入した反応性ガスの分圧を１０ｋＰａ以上５００ｋＰａ以下に保ちながら窓４ａを介して被加工物１５にパルスレーザ光を照射することでレーザ加工を行う。 （もっと読む）

【課題】成長用基板の剥離の際の半導体層の損傷を抑制した半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子用ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、凹凸が設けられた主面を有する第１基板の主面上に、発光層を含む窒化物半導体層を形成する工程と、窒化物半導体層と第２基板とを接合する工程と、第１基板を介して窒化物半導体層に光を照射して第１基板を窒化物半導体層から分離する工程と、を含む半導体発光素子の製造方法が提供される。窒化物半導体層を形成する工程は、凹凸の凹部の内壁面上に窒化物半導体層の少なくとも一部と同じ材料を含む薄膜を形成しつつ、凹部の内側の空間内に空洞を残すことを含む。分離する工程は、薄膜に光の少なくとも一部を吸収させて、窒化物半導体層のうちで凹部に対向する部分に照射される光の強度を、窒化物半導体層のうちで凹凸の凸部に対向する部分に照射される光の強度よりも低くすることを含む。 （もっと読む）

【課題】 シリコン酸化物加工方法に関し、有害物質を用いることなく且つ加工屑を発生させることなく、シリコン酸化物の微細加工を可能にする。
【解決手段】 シリコン酸化物からなる被加工物上に水素と６個以上の炭素を含む有機化合物を供給しながら、エネルギビームを照射して、照射部位における前記シリコン酸化物をシリコン含有炭素化合物に変換し、前記変換したシリコン含有炭素化合物をハロゲンを含まない雰囲気中で化学反応により除去する。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりを向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の製造方法は、（ａ）成長基板を準備する工程と、（ｂ）前記成長基板上に半導体層を形成する工程と、（ｃ）前記半導体層を複数の素子部に分割するとともに、各素子部間の半導体層の少なくとも一部を犠牲層として残す工程と、（ｄ）前記半導体層上に金属層を形成する工程と、（ｅ）前記半導体層に、前記金属層を介して支持基板を設ける工程と、（ｆ）前記成長基板に、前記素子部の全部を覆い、かつ前記犠牲層の外縁内に収まるようにレーザーを照射することにより、前記成長基板を前記半導体層から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】光ディスクや基板等の立体形状の上面と外周面とを均一にエッチングすることが可能な基板のエッチング方法を提供する。
【解決手段】研削された外周面２ｂを有する基板２をエッチングガス雰囲気中に配置し、該エッチングガスを構成するガス分子の吸収端波長以上の光をプリズム３を介して基板２の上面２ａに対して斜めに入射させて、前記光を基板２の上面２ａと底面２ｃとの間で反射させつつ外周面２ｂまで伝搬させ、外周面２ｂを介して基板２内から外部へと出射される前記伝搬光により前記エッチングガスを解離して外周面２ｂに形成された凹凸をエッチングするとともに、前記凹凸における少なくとも角部に前記伝搬光に基づいた近接場光を発生させ、該近接場光により前記エッチングガスを解離して前記凹凸をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】近接場光によるエッチングが困難なサイズの凸部でも光の照射により選択的にエッチングすることを可能とする。
【解決手段】基板の表面に形成された凸部をエッチングするための基板の表面平坦化方法である。凸部３が露出するように基板２の表面２ａにレジスト５を被覆させる。続いて、エッチングガス雰囲気中において当該エッチングガスのガス分子６の吸収端波長より長波長の伝搬光を基板２に照射する。このとき、凸部２のレジスト５からの露出部４の表面において、照射した伝搬光によりガス分子４を断熱過程を経て解離させることによって露出部４がエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】外部マニホールドを備えた高密度インクジェット印字ヘッドアセンブリの製造方法。
【解決手段】インクジェット印字ヘッドの形成方法は、ダイアフラム３６に複数の圧電素子２０を付着させるステップと、ダイアフラムと複数の圧電素子との上に誘電性充填層を供給し、圧電素子を封止するステップと、誘電性充填層を硬化させ、隙間層５０を形成するステップと、次に、複数の圧電素子の上面から隙間層をプラズマエッチングによって除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射を利用したエッチング加工による半導体装置の製造方法であって、複雑形状や深くて大きい除去領域等のエッチング加工が必要な広範囲の半導体装置の製造に適用可能で、高いエッチング速度が得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンからなる基板１０に対して、焦点位置を移動させてレーザ光Ｌをパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層１１を形成する改質層形成工程と、前記改質層１１をエッチングして除去するエッチング工程と、を備える半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】平板状のサンプル材料の組み合わせにより形成されるサンプル管を有するラジカル測定装置及びラジカル測定管を提供すること
【解決手段】本発明のラジカル測定装置１は、ラジカル生成室２と、測定管４と、支持体１６と、真空排気部１０とを具備する。ラジカル生成室２は、原料ガスのプラズマを発生させることで原料ガスのラジカルを生成させるラジカル生成手段６を有する。測定管４は、ラジカル生成室２に連通する。支持体１６は測定管４内に配置され、複数の、平板状のサンプル材料からなるサンプル板Ｓにより管状のサンプル管が形成されるように、それぞれのサンプル板を支持する。真空排気部１０は、測定管４を真空排気する。温度センサ９は、サンプル管に挿通され、サンプル管の軸方向に沿って移動可能である。 （もっと読む）

【課題】処理室内壁に付着する微小異物を低減して生産性を向上する。
【解決手段】内部にコーティングを施した真空処理室と、前記真空処理室内に配置され被処理材を前記真空処理室内に保持する載置電極１０２と、多孔板を有し前記真空処理室内に処理ガスを分散して供給するガス供給系１０４と、前記真空処理室内を真空排気する排気手段１０５を備え、前記真空処理室内に高周波電力を供給して、プラズマを生成し前記載置電極上に載置された被処理材にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記コーティング膜は耐プラズマ性の材料を含む膜であり、該膜のスパッタ物に前記コーティング膜を形成する物質が吸収する波長のレーザ光を照射するレーザ光源１２３を備えた。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工用光源の微弱光を測定用光源に用いたレーザ加工機用機上計測装置を提供する。
【解決手段】機上計測装置は、台座上に移動自在に設けられた機上計測装置用ステージ６を備え、機上計測装置用ステージ６には、微弱連続光を分光して基準光軸とする分光手段及び前記基準光軸により機上測定装置の位置決めを行う位置決め機構２と、微弱連続光の加工対象物７からの反射光を分光する分光手段４、５及び前記分光された反射光により加工対象物の表面形状の変位を検出する変位検出機構３とを備え、加工時には機上計測装置用ステージ６を移動して加工用レーザ光から前記両分光手段４、５を退避させ、測定時には機上計測装置用ステージ６を移動して微弱連続光からの前記基準光軸を用いて位置決め機構２により機上計測装置用ステージ６を照射光軸に対して位置決めし、変位検出機構３により加工対象物７の表面形状の変位を検出する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の積層膜の透明基板の縁付近の膜を除去する技術を提供する。
【解決手段】
透明基板２１表面上に第一の透明導電層２２と、発電層２３と、第二の透明導電層２４とが積層され、第二の透明導電層２４上に第一の銀薄膜２５を形成する際に、透明基板２１の裏面に銀が回り込んで形成された第二の銀薄膜２６に、緑色のレーザ光を照射し、蒸発させて除去する。赤外レーザ光を照射すると銀が透明基板２１中に拡散して透明基板２１が着色されてしまっていたが、緑色レーザ光ではそのような現象は発生しない。 （もっと読む）

【課題】光照射領域の周縁（エッジ）と、ワークの材料層に形成しているスクライブラインを簡便な方法で一致させてレーザ光を照射し、透明基板から材料層を剥離させること。
【解決手段】レーザ光出射部１０から、開口が設けられたマスクＭ、投影レンズ４０を介して蛍光板３０ａにレーザ光を照射して、アライメント顕微鏡５０により蛍光板３０ａ上に形成される光照射領域の位置を検出する。次に、ワークステージ３０上に載置されたワークＷ上のワーク・アライメントマークの位置をアライメント顕微鏡５０で検出する。ワークＷは、透明基板上に形成された材料層がスクライブラインにより複数の領域に分割されたものであり、制御部６０は検出した光照射領域の位置とワーク・アライメントマークの位置とに基づき、ワークステージ３０を移動して光照射領域の位置とワークの分割された一乃至複数の領域の位置とを一致させ、レーザ光をワークＷに対して照射する。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の上で導電層を迅速かつ容易にパターニングすると共に安定な性能を得ることが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体層４の上に、開口部５Ａ，５Ｂを有する絶縁性保護層５を形成したのち、その絶縁性保護層５（開口部５Ａ，５Ｂを含む）を覆うように、電極層６を形成する。こののち、絶縁性保護層５の形成領域（開口部５Ａ，５Ｂを除く）における電極層６にレーザＬを照射し、その電極層６をレーザアブレーションにより選択的に除去してソース電極およびドレイン電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において照射領域を絞るマスクを用いないで、微小な領域のプラズマ処理を行うプラズマ処理技術を提供する。
【解決手段】プラズマ生成用細管６から試料１１にプラズマ流１５を照射し、照射されるプラズマ照射領域内に加熱用レーザ発振器３０がレーザ光３３を照射する。これにより、レーザ光３３により局所的に加熱された被加工物上で反応させることで、限られた領域に薄膜を形成すること、または限られた領域をエッチングすることが可能となる。ガス供給口１４からは反応性ガスが供給される。温度測定器３１によりレーザ照射領域の温度を測定する。 （もっと読む）

それぞれのガス源用のサイクリング弁によって、複数のガス源からビーム・システムの試料室内へのガス流が制御され、弁が開いている相対時間および弁の上流の圧力によって、試料室内のガス圧が決定される。真空室の内部に配置されたガス弁が、ガスを遮断する際の迅速な応答を可能にする。好ましいいくつかの実施形態では、使用中も真空システムの外部に置かれる容器内の固体または液体材料から前駆体ガスが供給され、この容器は、重大な漏れを生じることなく、ガス注入システムに容易に接続され、またはガス注入システムから容易に分離される。
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【課題】プラズマ内に存在するラジカル種及びイオン種の種類又は密度を制御し、プロセスに対して適したプラズマを生成し、かつ、照射範囲の制御可能な光の照射の有無によりプラズマ状態の切り換えをすることができるラズマエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバの内部にプロセスガスを一定の流量で導入し、前記プロセスチャンバの内部の圧力を一定に保ち、電源により前記プロセスチャンバの内部に存在するガスを励起しプラズマを発生させ、被エッチング材をプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法において、前記プロセスチャンバの内部にガス分子の光解離をさらに誘起する光を光源から前記プロセスチャンバの内部に導入し、前記光は、前記光源と、チャンバへの導入口の間に備えられた光学系により、照射範囲を拡大、または縮小されることを特徴とするプラズマエッチング方法。 （もっと読む）