【課題】物理的な版を必要とせず、微細な導電パターンを形成でき、パターン変更に対して柔軟に対応できる配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、基板上に、エネルギー付与によって臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程と、前記濡れ性変化層に選択的にレーザ光を照射して、前記濡れ性変化層の臨界表面張力が高くなるように変化させた高表面エネルギー領域部を前記濡れ性変化層に形成する工程と、前記高表面エネルギー領域部に導電性インクを塗布し、前記高表面エネルギー領域部上に配線を形成する工程と、を有し、前記濡れ性変化層と前記高表面エネルギー領域部とには段差がなく、前記配線は前記高表面エネルギー領域部上に形成されていることを特徴とする配線の形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】微細なパターン、例えば、線幅が５０μｍよりも小さいパターンであっても高い精度でパターンを形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】微細なパターンのパターン形成方法であって、基板上に形成された、親疎水性変換機能を有する第１の膜において、パターンが形成されるパターン形成領域を親疎水性に変化させる工程と、パターン形成領域に第２の膜を形成し、第２の膜が乾燥してパターンを形成する工程とを有する。第２の膜は、厚さが０．１μｍになったときの粘度が３ｍＰａ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】ビアホール、コンタクトホール、スルーホール等の穴部の内面のみを改質して、穴部に導体を形成する。
【解決手段】基板１００には、上面１００ａの開口から下面１００ｂの開口に向かうにつれて直径が増加しているビアホール１１０が設けられている。基板１００の下面には、表面に微小な凹凸形状が形成された光反射用基板４６が配置される。照射部４０からビアホール１１０にレーザ光Ｌが照射されると、ビアホール１１０の開口部から入射したレーザ光は、基板１００の下面に配置された光反射用基板４６の表面によって散乱反射される。このレーザ光Ｌの反射光は、ビアホール１１０の内面１１０ａに照射され、内面１１０ａが表面改質される。 （もっと読む）

【課題】薬液の除去性能を高く維持することができる半導体装置の製造方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】レジストパターン３をマスクとして絶縁膜２をドライエッチングすることにより開口部４を形成する。絶縁膜２のドライエッチングの際に開口部４の内面に付着した反応生成物５に波長が２００ｎｍ以下の紫外線を照射して、反応生成物５に含まれる有機成分を分解する。薬液を用いて、有機成分の分解後に開口部４の内面に残存している付着物６を除去する。付着物６が除去された開口部４内に導電膜７を形成する。 （もっと読む）

【課題】有機膜中における気泡の残存を抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、開口（コンタクトホール３６）を有する層間絶縁膜３７を形成する工程と、層間絶縁膜３７上及び開口内に導体膜３９を形成する工程と、導体膜３９上に第１感光性有機膜１を塗布形成する工程を有する。この製造方法は更に、第１感光性有機膜１において開口外の部位を露光する工程と、第１感光性有機膜１において開口外の部位を現像により除去する工程と、第１感光性有機膜１において開口内の部位を紫外線により硬化させることによって第１有機膜１１を形成する工程を有する。この製造方法は更に、第１有機膜１１を覆うように導体膜３９上に第２感光性有機膜２を塗布形成する工程と、第２感光性有機膜２を紫外線により硬化させて第２有機膜１２を少なくとも第１有機膜１１上に形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、簡便に形成できて、チャージアップしにくいハードマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体装置の製造方法であって、半導体基板上に形成された被加工膜上に、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体を含有するアルミニウム膜形成用材料を塗布して、塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜に対して、加熱処理および光照射処理から選ばれる少なくとも一種の処理を行いアルミニウム膜を形成する工程と、 該アルミニウム膜をエッチングしてハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスクをマスクにして被加工膜をエッチングする工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空装置を使用せずに、トランジスタ等の半導体装置に適用できるＭＯＳ構造の積層膜を形成する。
【解決手段】成膜方法は、半導体膜３を有する基板に、ポリシラン溶液を塗布し、半導体膜３上にポリシラン膜５を形成する工程（ＳＴＥＰ１）と、ポリシラン膜５上に、金属塩溶液を塗布し、金属イオン含有膜７を形成することにより、ポリシラン膜５をポリシロキサン膜５Ａへ、金属イオン含有膜７を金属微粒子含有膜７Ａへ、それぞれ改質する工程（ＳＴＥＰ２）を備え、ＭＯＳ構造の積層膜１００を形成する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ時のフォトマスクの位置合わせを十分な精度で行うことが可能となる位置合わせ用の目合わせパターンを形成することを課題とする。
【解決手段】基板１上に第１絶縁層２を形成する工程と、第１絶縁層２に、１つ以上の接続孔４と、接続孔４よりも幅が広い位置合わせ用の目合わせパターンを形成するための目合わせ孔３と、を形成する工程と、第１絶縁層２の上に、接続孔４が金属で完全に埋まり、かつ、目合わせ孔３が金属で完全に埋まらないよう金属膜５を形成する工程と、金属膜５の上に、少なくとも目合わせ孔３が完全に埋まるように第１フォトレジスト膜６を形成する工程と、第１絶縁層２をストッパーとしてＣＭＰ処理を行うことで、第１フォトレジスト膜６及び金属膜５の一部を除去する工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

電子デバイス製造プロセスは、下部電極層を堆積する段階を含む。次いで、電子デバイスが下部電極層上に製造される。下部電極層をパターニングする段階は電子デバイスを製造する段階後に、上部電極をパターニングする段階とは個別のプロセスで実施される。第１誘電体層は次いで、電子デバイスおよび下部電極層上に堆積され、上部電極層がそれに続く。上部電極は次いで、下部電極とは別のプロセスでパターン化される。上部および下部電極の別々のパターニングにより、電子デバイス間の誘電体材料におけるボイドが減少することによって収率が向上する。その製造プロセスが適切な１つの電子デバイスが、磁気トンネル接合（MTJ）である。
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【課題】高密度で微細なパターンの断線を低温プロセスによって修正可能な回路基板の欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成された配線３の断線箇所Ｄを含む基板１の露出面領域に、光照射によって濡れ性が変化する物質を用いた濡れ性調整層５を成膜する。次の第２工程では、濡れ性調整層５における断線個所Ｄに対応する部分、またはそれ以外の部分に光を照射する。これにより濡れ性調整層５における断線個所に対応する部分の電極形成液に対する濡れ性を、それ以外の部分よりも高くする。その後断線個所Ｄに対応する濡れ性調整層５部分上に電極形成液を供給して乾燥させる。これにより、断線個所Ｄに電極形成液を乾燥させた修正電極パターン７を形成する。 （もっと読む）

【課題】低コストでウエハ周辺部における歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板上に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜工程と、層間絶縁膜上にポジレジストを塗布するレジスト塗布工程と、配線パターンを露光する際の露光エネルギーよりも高いエネルギーの光を基板の周辺領域に照射し、ポジレジストをネガ化させる周辺露光と、ポジレジストに配線パターンを露光するパターン露光とを行う露光工程と、ネガ化させたポジレジストを残して、パターン露光により露光された領域のポジレジストを現像により除去する現像工程と、現像工程後に残ったポジレジストをマスクとして、前記層間絶縁膜をエッチングするエッチング工程と、ポジレジストを除去し、層間絶縁膜のエッチングされた領域に配線材料を埋め込む埋込工程と、研磨により層間絶縁膜表面を平坦化し配線材料の配線層を形成する平坦化工程と、を有する半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】パターンの不良が減少した薄膜トランジスタ表示板の製造方法およびこれに使用されるネガティブフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】基板上に導電性物質からなる導電膜を形成する段階と、導電膜上にネガティブフォトレジスト組成物からなるエッチングパターンを形成する段階と、エッチングパターンをエッチングマスクとして利用して導電膜をエッチングし、導電膜パターンを形成する段階とを含み、ネガティブフォトレジスト組成物は、アルカリ現像液に溶解性を有するヒドロキシル基を含有するノボラック樹脂１０〜５０重量部、第１光酸発生剤（特定構造のスルホニルオキシイミド化合物）０．５〜１０重量部、第２光酸発生剤（第１光酸発生剤とは構造の異なる特定構造のスルホニルオキシイミド化合物）０．５〜１０重量部、架橋結合剤１〜２０重量部および溶媒１０〜９０重量部を含む。 （もっと読む）

【課題】配線層の配線同士間の容量を低くしたままで、機械強度の低下を防ぐことが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置およびその製造方法によれば、下地層１，２，３上に形成された第１の配線層６と、第１の配線層６と同一面内に形成され、所定の温度で気化する配線層間膜４とを備える。そして、第１の配線層６上、および、配線層間膜４上に形成された拡散防止膜７を備え、第１の配線層６に沿って第１の配線層６と同一面内にエアギャップ８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】修正作業が安全且つ容易であり、修正された配線の信頼性を向上する。
【解決手段】ＴＦＴ基板表面に形成され、カラーフィルタの膜に覆われた配線の断線修正方法であって、前記配線の断線箇所を間にして、該断線箇所の前後の配線部分を繋ぐように前記カラーフィルタの膜をレーザ加工して除去し、所定幅の線状パターンを形成するレーザ加工工程Ｓ１と、前記線状パターン上に金属微粒子を分散させた修正液を塗布する修正液塗布工程Ｓ２と、前記塗布された修正液を焼成して導電膜を形成する導電膜形成工程Ｓ３と、少なくとも前記導電膜及びその周辺部を覆って前記カラーフィルタの膜と同じ膜を形成する上層膜形成工程Ｓ５と、を実行するものである。 （もっと読む）

【課題】配線の加工精度を、十分に向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置１の製造方法は、半導体基板２上に金属配線層３ａを形成する工程と、金属配線層３ａ上の所定領域にレジストパターン４を形成する工程と、レジストパターン４の一部の耐熱性を向上させることにより、レジストパターン４の少なくとも側壁部に、高耐熱性領域４ａを形成するとともに、高耐熱性領域４ａに挟まれた部分に、レジストパターン４の下面から上面に達するように、高耐熱性領域４ａよりも低い耐熱性を有する非高耐熱性領域４ｂを形成する工程と、レジストパターン４をマスクとして金属配線層３ａをエッチングすることにより、金属配線３を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】外形寸法の異なる半導体チップまたは、予め側面に配線を形成されていない半導体チップにおいても、少ない工程で、容易に３次元に積層することを目的とする。
【解決手段】電極パッド２が形成される第１面、及び積層された半導体チップ１の側面全面に導電フィラー入り接着剤を供給し、第１面及び側面を通って所定の電極パッド２間を電気的に接続する再配線４ａ及び再配線４ｂを形成することにより、側面に積層された半導体チップ１間を接続するための電極パッドを形成していないような半導体チップ１を積層させた場合や半導体チップの外形寸法が異なる半導体チップを積層する場合であっても、再配線を同一材料で形成することで容易に、電気的に接続された半導体チップ積層モジュールを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィの解像限界以上で、かつ、寸法制御性に優れた超微細パターンを容易に形成する。
【解決手段】パターニングすべき第１の膜として、例えばアモルファスシリコン膜１３を形成し、このアモルファスシリコン膜１３上にラインとスペースの比率が略３：１のパターン１４、１７を形成し、次いで、パターン１４、１７をマスクとしてアモルファスシリコン膜１３を加工し、次いで、パターン１４、１７を両側から幅が略１／３となるまでスリミングした後、このスリミングされたパターンの反転パターン層として、例えばＢＳＧ膜１８を形成し、次いで、このＢＳＧ膜１８をマスクとしてアモルファスシリコン膜１３を再加工して、ラインとスペースの比率が略１：１で、かつ、ピッチが元の略半分のパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】電極の境界を正確に形成することにより、チャンネル長のバラツキの少ないランジスタを、簡易な製造工程を用いて低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上のポリイミドからなる濡れ性変化層１２にフォトマスク越しに紫外線を照射する。照射部分は表面エネルギーが高く、かつ、膜厚が薄くなり、境界に段差を有する第２の表面エネルギー部１２ａとなる。照射部分にインクジェット法により導電層を塗布し電極１３を形成する。撥液面である第１の表面エネルギー部１２ｂと、段差によってインクのはみ出しが押さえられ、パターンのエッジを正確に形成出来る。この上に半導体層１４を形成し、トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】絶縁層とその上に形成された導電層とが、高い密着性を有する積層構造体を、簡易な製造工程を用いて低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板３１上のポリイミドからなる濡れ性変化層３２に、配線パターン部分を開口したフォトマスクを通し紫外線を照射する。紫外線を照射されなかった部分は第１の表面エネルギー３２ｂを持ち、紫外線が照射された部分は、第１の表面エネルギー部よりも表面エネルギーが高く、かつ表面に複数の微細なくぼみを有する第２の表面エネルギー部３２ａとなる。インクジェット法を用いて金属粒子分散液を紫外線照射部に吐出し、導電層３３を形成する。紫外線照射部は濡れ性が高くなり、かつくぼみによる凹凸により導電層との密着性が向上している。この後、ベークをし、絶縁層３４を形成する。 （もっと読む）

誘電性領域および導電性領域を含む、パターン化半導体基板表面を提供することと、両親媒性表面調整剤を誘電性領域に塗布し、誘電性領域を調整することと、を含む、パターン化半導体基板を調整する方法が提示される。いくつかの実施形態では、誘電性領域を調整することは、誘電性領域のぬれ角を調整することを含む。いくつかの実施形態では、ぬれ角を調整することは、誘電性領域の表面を親水性にすることを含む。いくつかの実施形態では、方法は、水溶液をパターン化半導体基板表面に塗布することをさらに含む。いくつかの実施形態では、導電性領域は、水溶液によって、選択的に増強される。いくつかの実施形態では、方法は、低誘電率材料から形成される誘電性領域を提供することをさらに含む。いくつかの実施形態では、両親媒性表面調整剤を塗布することは、低誘電率領域の後続プロセスとの相互作用を調整する。
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