【課題】ウエハ等の基板に設けられた縦孔内に、脱落、抜け等を生じることなく、完全充填された縦導体充填構造を提供すること。
【解決手段】基板１の厚み方向に設けられた縦孔３内に縦導体５を充填した縦導体充填構造であって、孔開口端が内側に突出する凸縁３１となっており、凸縁３１−３１間で見た孔径Ｄ１が、孔内壁面３−３間で見た内径Ｄ２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ異なるマスクを用いた個別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層（またはドレイン電極層）と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、酸化物半導体層の下に第１の電極層および第２の電極層を設けてコンタクト抵抗の低減を図る。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフの電気特性を有し、オン電流の高い、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用いた高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳して設けられたゲート電極と、少なくともゲート電極を覆って設けられた、開口部を有する層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられ、開口部を介して酸化物半導体膜と接する配線と、を有し、少なくとも酸化物半導体膜と配線とが接する領域の、下地絶縁膜および酸化物半導体膜の間に、絶縁膜および絶縁膜上に設けられたバッファ層を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。ＴＦＴの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。また信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜１３１と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極１０３とを有する薄膜トランジスタと、層間絶縁膜と、層間絶縁膜中に形成され、ソース領域またはドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホールを含む第１のコンタクトホール１４２と、ソース領域またはドレイン領域の他方に達する第２のコンタクトホール１４１とを有し、第２のコンタクトホール１４１の径は、第１のコンタクトホール１４２に含まれる複数のコンタクトホール１４２のそれぞれの径より大きく、第１のコンタクトホールの底面積の合計と、第２のコンタクトホール１４１の底面積は等しい半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】フラットパネル修復に、検査切断修復結合ツール及び独立体積修復ツールの２種類が必要である
【解決手段】装置は、統合された検査機能と、材料除去機能と、材料堆積機能とを備え、検査動作、材料除去動作、及び材料堆積動作を同じ光軸に沿って実行する。装置は、部分的に、カメラと、一対のレンズと、１つ又は複数のレーザとを備える。第１のレンズは、検査を受けているターゲット基板上に形成される構造上に光軸に沿ってカメラを合焦させるために使用される。第１のレンズは、検査された構造が材料除去を必要としていると識別される場合、構造上にレーザビームを合焦させて、その構造上に存在する材料を除去するためにも使用される。第２のレンズは、検査された構造が材料堆積を必要としていると識別される場合、レーザビームをリボン上に合焦させて、リボンに形成された埋め込みウェルから流動的複合物を構造に転写するために使用される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 （もっと読む）

【課題】貫通電極と配線との接続部位の抵抗のバラつきを低減させて、配線信頼性を向上させる。
【解決手段】貫通電極用の穴部を設け、配線層に対してオーバエッチングを施す。穴部に銅を埋め込むことにより、銅からなる貫通電極を形成させて、アルミニウムからなる配線と接続させた後、熱処理により貫通電極と配線とが接続される接触領域Ｇを合金化させることで、貫通電極と配線との抵抗バラつきを低減させて、配線信頼性を向上させる。本技術は、半導体装置と、その製造に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】抵抗体とヒューズ素子が並列に接続された半導体装置において、ヒューズ素子切断時に抵抗体への損傷がなく、抵抗体とヒューズ素子とを積層すること。
【解決手段】半導体基板上に第１の絶縁膜を介して形成された抵抗体を設け、抵抗体の上に第２の絶縁膜を介して形成された遮光層を設け、遮光層の上に第３の絶縁膜を介して形成されたヒューズ素子のヒューズ部を有し、抵抗体と遮光層とヒューズ部を重畳した半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ開口部からの水分侵入による電特異常及び配線腐食を防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】ヒューズ配線４の下方には凸領域となるＴＥＯＳ膜１４の下敷きがあり、ヒューズ配線４はＴＥＯＳ膜１４を跨ぐように設けられ、ヒューズ配線４の上方にはＴＥＯＳ膜１４よりも小さい領域のヒューズ開口部１３が設けられる。さらに、ＴＥＯＳ膜１４の無い領域にてヒューズ配線１４の両端に設けられたヒューズ端子１５には第１金属配線７が電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊が発生しにくい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】集積回路１３と電気的に接続する電極１４が位置する半導体基板１０を用意する。半導体基板の前記第１の面１１とは反対側の第２の面１２において等方性エッチングを行い、第１内壁面を有する第１凹部を形成する。第１凹部内から前記半導体基板を貫通して電極に至り、第２内壁面２２ａを有する第２凹部を形成する。第２の面と第１内壁面によって形成された第１の角部、及び第１内壁面と第２内壁面によって形成された第２の角部を除去するエッチバック処理を行い、第２の面と第２内壁面とを連続する第１内壁面を形成する。角部を除去した後、少なくとも第１内壁面、及び第２内壁面を覆うように、電極とオーバーラップする位置に開口部６５を有する絶縁層３０を形成する。絶縁層を介して第２凹部内に充填され、電極と接続し、かつ第２の面から突出する導電部４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜のエッチングの際に半導体層がエッチングされることによるコンタク
ト抵抗の増大を防ぎ、書き込み特性及び電荷保持特性に優れた不揮発性半導体記憶装置及
びその作製方法を提供する。
【解決手段】ソース領域又はドレイン領域とソース配線又はドレイン配線との間に導電層
を設ける。また、該導電層は、制御ゲート電極を形成する導電層と同じ導電層からなる。
また、該導電層を覆うように絶縁膜が設けられており、該絶縁膜は該導電層の一部が露出
するコンタクトホールを有する。また、該ソース配線又はドレイン配線は、該コンタクト
ホールを埋めるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】第１の材料と第２の材料とが接続された被加工物に加工孔を効率よく形成することができる穿孔方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】レーザー光線の照射によって発するプラズマのスペクトルが第１の材料から第２の材料に変化するまでのショット数を最小値として設定する最小ショット数設定工程、および第１の材料から完全に第２の材料に変化した時までのショット数を最大値として設定する最大ショット数設定工程とし、レーザー加工孔を形成する際に、ショット数が最小値に達しプラズマのスペクトルが第１の材料から第２の材料に変化した場合にはパルスレーザー光線の照射を停止し、ショット数が最小値に達してもプラズマのスペクトルが第１の材料から第２の材料に変化しない場合にはショット数が最大値に達するまでパルスレーザー光線の照射を継続した後に停止する。 （もっと読む）

【課題】薄膜回路の下方に外部と接続するための電極を容易に形成できる薄膜回路部品の
構造及び薄膜回路部品の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、薄膜
回路上に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成された電極と、電極上に形成
された樹脂膜とを有する積層物を形成し、積層物の第１の絶縁膜の他方の面側に、電極と
重なるように導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射する。 （もっと読む）

【課題】配線等のパターンを、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して得られた表示装置である。また配線等のパターンを所望の形状で制御性よく形成された導電膜を有する表示装置である。
【解決手段】トランジスタ上の第１の導電膜と、第２の導電膜とは、複数の屈曲点を有するコの字状に設けられる。本形状であっても、第１の導電膜と、第２の導電膜とはパターンを所望の形状で制御性よく形成される。なお、第１の導電膜と第２の導電膜は、共通電極層と、画素電極層となることができる。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィでは形成が困難な超微細な導電体パターンを形成しうる導電体パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 基体上に、第１の比抵抗を有する金属酸化物膜を形成し、金属酸化物膜に電極を接触又は所定の距離まで近づけ、この状態で電極と金属酸化物膜との間に第１の電圧を印加することにより、金属酸化物膜の比抵抗を局所的に変化させ、金属酸化物膜の表面側に、第１の比抵抗よりも高い第２の比抵抗を有する高抵抗領域を形成し、金属酸化物膜に電極を接触又は所定の距離まで近づけ、この状態で電極と金属酸化物膜との間に第２の電圧を印加することにより、金属酸化物膜の比抵抗を局所的に変化させ、高抵抗領域の表面側に、第２の比抵抗よりも低い第３の比抵抗を有する導電体パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】情報が読み取られることを防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】本明細書に開示する半導体装置１０は、コンタクト１５ａを有する第２絶縁層１５と、コンタクト１７ａを有する第３絶縁層１７と、第２絶縁層１５と第３絶縁層１７との間に配置された第２配線層１６と、を備え、コンタクト１５ａとコンタクト１７ａとの間の第２配線層１６の部分には配線が配置されておらず、コンタクト１５ａとコンタクト１７ａとの間の距離は、コンタクト１５ａ又はコンタクト１７ａと、第２絶縁層１５及び第３絶縁層１７及び第２配線層１６内の他のコンタクト又は配線との間の距離よりも短い。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ本体を貫通する電極を有する半導体チップにおいて、半導体チップ本体が厚い場合であっても、電極と半導体チップ本体との間に介在する絶縁部を容易に形成でき、且つ電極の信頼性を高くすることができるようにする。
【解決手段】半導体チップ１は、第１の面２ａおよび第２の面２ｂと、４つの側面を有する半導体チップ本体２を備えている。半導体チップ１は、更に、半導体チップ本体２を貫通する電極収容部４と、少なくとも一部が電極収容部４内に収容された電極７と、電極収容部４内において、電極７と半導体チップ本体２との間に介在する絶縁部５とを備えている。絶縁部５に接する電極収容部４の壁面４Ｗは、第１の面２ａに垂直な方向に対して傾いている。電極７と絶縁部５の界面が第１の面２ａに垂直な方向に対してなす角度は、壁面４Ｗが第１の面２ａに垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】公知のプロセスよりも高速であり、充てんされたビアにボイド、凹み又はキーホールを残さず、製造の費用効果が高い、改善された方法を提供する。
【解決手段】第１の表面２１４及び対向する第２の表面２１６を有する基板２１２を設け、基板の第１の表面に部分的にのみ前記基板の中に広がる少なくとも１つのブラインドビア２１８を形成する。酸化材料によって前記少なくとも１つのブラインドビアの表面をパッシベーションし、少なくとも一つのブラインドビアの酸化材料の表面に銅を含むシード材料２２８を、シード材料を前記少なくとも一つのブラインドビアの内部に閉じ込め、かつ、基板の前記第１の表面を露出させるように形成する。シード材料の上に導電性材料２３０を前記少なくとも一つのブラインドビアを充填するように無電解めっきし、少なくとも一つのブラインドビアの導電性材料を露出させるために基板の前記第２の表面に研磨平坦化を実施する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の一表面上に絶縁膜を介して形成された導電層と、半導体基板の他面上に形成されたバンプ部と、導電層とバンプ部とを接続する半導体基板を貫通する貫通電極部とを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の他面側から導電層に接続する貫通孔を形成し、貫通孔及び他面上にメタル膜（バリアメタル及びシードメタル）６を形成し、その上にフォトレジスト１０を形成し、貫通孔より大きなパターンに加工してメッキマスク層を形成し、電解メッキ法により銅からなる第１メッキ膜７を形成して、貫通電極部と第１バンプ部を形成し、第１バンプ部上に第２バンプ部となる第２メッキ膜８を形成する。 （もっと読む）