【課題】高密度で微細なパターンの断線を低温プロセスによって修正可能な回路基板の欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成された配線３の断線箇所Ｄを含む基板１の露出面領域に、光照射によって濡れ性が変化する物質を用いた濡れ性調整層５を成膜する。次の第２工程では、濡れ性調整層５における断線個所Ｄに対応する部分、またはそれ以外の部分に光を照射する。これにより濡れ性調整層５における断線個所に対応する部分の電極形成液に対する濡れ性を、それ以外の部分よりも高くする。その後断線個所Ｄに対応する濡れ性調整層５部分上に電極形成液を供給して乾燥させる。これにより、断線個所Ｄに電極形成液を乾燥させた修正電極パターン７を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い実装信頼性が得られる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体構造部１３、１４と、半導体構造部の主面側に設けられた配線層１６、１７と、配線層における半導体構造部が設けられた面の反対側の面に設けられ、配線層と電気的に接続された電極パッド２１、２２と、電極パッド２１、２２に対して各々が互いに離間して接合された複数の金属ピラー３１と、複数の金属ピラー３１の先端部に共通に設けられた外部端子４１とを備え、個々の金属ピラー３１の径が外部端子４１の径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体基板が厚い場合においても貫通電極を高生産性、高品質で低コストで実現できる半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板（１０１）にアクティブ面が露出する開口部（１０４）を有する電極パッド（１０２）を形成し、開口部（１０４）からアクティブ面の反対側の面に向かって凹部（１０５ａ）を形成し、凹部（１０５ａ）の内側に絶縁膜（１０６）を形成し、絶縁膜（１０６）と電極パッド（１０２）の表面に導電経路（１０７）を形成し、アクティブ面の反対側の面から半導体基板（１０１）を薄型化して凹部（１０５ａ）の底部を貫通させる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを有するプラグ配線において良好な電気的接続を得ることができるカーボンナノチューブ配線及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１配線層１２上に層間絶縁膜１３が形成され、層間絶縁膜１３上に第２配線層１４が形成されている。第１配線層１２と第２配線層１４との間の層間絶縁膜１３内にはコンタクト孔１５が形成される。コンタクト孔１５内には、一端が第１配線層１２に接続され、他端が第２配線層１４に接続された複数のカーボンナノチューブ１６が形成されている。さらに、層間絶縁膜１３と第２配線層１４との間にはストッパ膜１７が形成され、ストッパ膜１７の一部は複数のカーボンナノチューブ１６の前記他端間に充填されている。 （もっと読む）

導電性コイルの製作方法。この方法は、コイル、通常、平面らせん状の導電性コイルを製作するために半導体製造プロセス（例えばＴＳＶ）を使用することを含む。 （もっと読む）

【課題】異なる基板に形成された電極同士を接合する場合、合わせずれが発生しても、電極抵抗の上昇や電流リーク等の発生を、層間容量を大きくせず防止する。
【解決手段】第１基板１１上の第１層間絶縁膜１２に形成された第１溝１３内に第１金属電極１５が埋め込まれた第１基板１１と、第２基板上の第２層間絶縁膜に形成された第２溝内に第２金属電極が埋め込まれた第２基板を用意し、第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜、側のそれぞれに第１拡散防止層１６、第２拡散防止層、を形成する工程と、第１金属電極１５、第２金属電極、を対向して接合する際に、第１金属電極１５、第２金属電極、のそれぞれの形成領域内の第１拡散防止層１６、第２拡散防止層、のそれぞれに第１開口部１７、第２開口部、を形成する工程と、第１開口部１７、第２開口部、を対向させて熱処理を行い、第１金属電極１５、第２金属電極、を熱膨張によって接合させる工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 研削屑の付着が抑制されたメッキ下地層上にメッキ層を安定して形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 表面領域の拡散領域１３に接続された下地メタル１５を有する半導体基板１１に、下地メタル１５を被う絶縁膜１７を形成する工程、少なくとも下地メタル１５の表面露出予定部分に開口を有するように、絶縁膜１７上にパターニングされたポリイミド膜１９を形成する工程、絶縁膜１７及びポリイミド膜１９を被い表面保護テープ２１を貼付する工程、半導体基板１１の裏面を研削する工程、半導体基板１１の表面保護テープ２１を除去し、下地メタル１５と反対側より、半導体基板１１の中にキャリアライフタイム制御用のヘリウム照射２３を行い、アニールを行う工程、ポリイミド膜１９をマスクとして絶縁膜１７をエッチングし、下地メタル１５を露出する工程、及び下地メタル１５上に、Ｎｉ／Ａｕのメッキ膜２５を形成する工程を備える。 （もっと読む）

集積回路編集のための銅の集束イオンビームエッチング用のエッチング促進剤はイオンビームによる隣接する誘電体の損失を防ぎ、隣接面上のスパッタされ再堆積した銅を非導電性にして電気的短絡を回避する。促進剤は分子中にＮ−Ｎ結合を有し、約７０〜２２０℃の沸点を有し、ヒドラジン及び水の溶液と、ヒドラジン誘導体と、メチル、エチル、プロピル及びブチルから選択された２つの炭化水素基によって飽和したニトロソアミン誘導体と、ニトロソアミン関連化合物と、四酸化窒素とを含み、好適にはヒドラジン一水和物（ＨＭＨ）、ヒドロキシエチルヒドラジン（ＨＥＨ）、ＣＥＨ、ＢｏｃＭＨ、ＢｏｃＭＥＨ、ＮＤＭＡ、ＮＤＥＡ、ＮＭＥＡ、ＮＭＰＡ、ＮＥＰＡ、ＮＤＰＡ、ＮＭＢＡ、ＮＥＢＡ、ＮＰＹＲ、ＮＰＩＰ、ＮＭＯＲ及びカルムスチン単独、又は四酸化窒素との組合せである。促進剤は高アスペクト比（深さ）の孔の銅をエッチングするのに有効である。
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【課題】１つ以上のカーボン・ナノチューブを選択的に成長させる方法を提供する。
【解決手段】本方法は、上面を有する絶縁層を基板上に形成するステップと、絶縁層内にビアを形成するステップと、ビアの側壁及び底面を含め、絶縁層上に活性金属層を形成するステップと、ビアの内部での１つ以上のカーボン・ナノチューブの選択的な成長を可能にするために、イオン・ビームを用いて上面の部分にある活性金属層を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の裏面側で貫通ビア回りに損傷や欠陥を生じないようにし、あるいは大幅に低減すること。
【解決手段】ビア・ラストにおいて、ＢＥＯＬまで終えたシリコン基板１０に対し、基板のおもて面に穴１６を開け、穴１６の内壁に絶縁膜１８を形成し、穴１６の中にビア導体２４としてＣuを電解めっき法により埋め込んでから、穴１６の底部つまりＣuビア導体２４の底部が露出するまでシリコン基板１０の裏面をウエットエッチングで削る。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、液晶ディスプレイを初めとする半導体装置や、その他の電子部品に欠陥が生じたとき、その欠陥箇所を修復して機能を回復させる修復装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、単層又は多層の薄膜をその薄膜の物理的特性を維持したまま他の箇所に転写することにある。
【解決手段】超短パルスレーザーを適宜調整して発生する超短パルスレーザー発生装置と、前記超短パルスレーザー発生装置から照射された超短パルスレーザーを所定の形状に成形するフレキシブル・マスク・パターン・ジェネレーターと、該超短パルスレーザーを集光する光学系と、修復すべき電子部品を載置して位置決めする第１のステージとを含む電子部品の欠陥修復装置。 （もっと読む）

【課題】電界メッキ法やＣＭＰ法を使わないことで製造コストを落として配線を形成する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上にマスクを形成する工程と、選択的にエッチングして絶縁膜に開口部を形成する工程と、マスク上および開口部に第１導電膜を形成する工程と、液滴吐出法により開口部の第１導電膜上に導電材料を含む液滴を滴下する工程と、レーザー光を選択的に照射して導電材料を加熱して第２導電層を形成する工程と、マスク上および第２導電層上に第３導電膜を形成する工程と、マスクを除去すると同時にマスク上に形成された第１導電膜および第３導電膜を除去し、第１導電層および第３導電層を形成する工程とを有する半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板上の修正のための照射禁止領域の回路素子や配線上に欠陥が発生した場合に、修正を行うと、正常な部位を含みさらに損傷を与える虞がある。
【解決手段】欠陥修正装置は、参照画像との比較により基板に生じた欠陥を検出する欠陥検出部と、駆動回路素子上や配線上にある欠陥に対して修正の禁止領域（ＫＡ）を設定する禁止領域設定部と、禁止領域（ＫＡ）に掛かる欠陥部分を非修正領域とし、禁止領域（ＫＡ）に関わらない欠陥を修正領域として設定する修正領域設定部と、修正領域のみを修正する修正部とを備える。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に、接着層等を形成するための別の工程を加えることなく、基板との密着性の高い導電性配線を簡単に形成することができる配線形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】樹脂基板１上に、導電性微粒子を含有する分散溶液の塗布層３を形成する工程と、レーザ光６を塗布層３の特定領域に連続的に照射していくことで、導電性微細配線４を形成する工程と、導電性微細配線４以外の領域の材料を除去する工程とを備え、塗布層３の厚さをｄ、塗布層３の光吸収係数をα、レーザ光６の入射光強度をＩ₀、樹脂基板１上に到達するレーザ光６の透過光強度をＩ₁とするとき、以下の関係式から成り立つことを特徴とする。
ｌｏｇ（Ｉ₁／Ｉ₀）＝−αｄ （もっと読む）

【課題】半導体装置において、導電性バッファ層を用いることなく、煩雑なプロセスも必要なく、非常に高い深さ精度のドライエッチングも必要なく、また、結晶性を劣化させずに、効率良くホールを引き抜くことができるようにする。
【解決手段】半導体装置を、同一基板１上に形成され、（０００１）面及び（０００−１）面を有する窒化物半導体層４と、基板１と窒化物半導体層４との間に部分的に設けられた（０００１）面形成層２と、（０００１）面を有する窒化物半導体層４上に設けられたソース電極５、ドレイン電極６及びゲート電極７と、（０００−１）面を有する窒化物半導体層４上に設けられたホール引き抜き電極８とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】実用上十分なエレクトロマイグレーション耐性及び動作速度を有する半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体基板１の上に第１の絶縁膜２を形成し、第１の絶縁膜２に配線溝３を形成し、配線溝３の内部に金属膜５を埋め込んで第１の配線６を形成し、第１の絶縁膜２及び第１の配線６の上に保護膜７を形成し、第１の配線６と保護膜７との界面に反応層８を形成する。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れた半導体装置の製造方法、半導体装置、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板７の一方の面側に、トランジスタ４のゲート絶縁体層４４を形成する第１の工程と、ゲート絶縁体層４４上に、厚さ方向に貫通する貫通部９１を備える絶縁体層９を形成する第２の工程と、貫通部９１内の底部付近のゲート絶縁体層４４上、および、貫通部９１の周囲の絶縁体層９上に、気相成膜法により同時にかつ互いに接触しないようにそれぞれ電極を形成し、ゲート絶縁体層４４上に形成された電極を用いて、ゲート電極４５を形成するとともに、絶縁体層９上に形成された電極を用いて、画素電極６を形成する第３の工程とを有する。また、平面視で、貫通部９１の開口部の縁が、当該貫通部９１の底部の縁より内側に位置する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実
にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極
上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間
絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールとを有する。前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜
厚の１／３以下に形成する。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを簡易で、効率よく形成することができ、かつ、欠陥の発生が少ないパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被パターン形成体２３、及び表面に凹凸部を有するモールド構造体２１の少なくともいずれかに活性種供給源を付与する処理と、前記モールド構造体の凹凸部を前記被パターン形成体２３に接触させる処理とを含む工程と、前記活性種供給源に励起光を照射し、前記被パターン形成体２３の表面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、を少なくとも含むパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】パターン形成のタクトタイムの短縮を可能とし、またパターン層と誘電体層の一括焼成を可能にし、パターン形成のトータル的低コスト化が可能なパターニング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】無機粉末と、ガラスフリットと、溶剤からなる混合物を基板上に塗布する塗布工程と、塗布された前記混合物を乾燥する乾燥工程と、レーザー照射により前記乾燥工程を経た塗膜にパターンを描画するレーザー照射工程と、前記パターンを現像する現像工程とを含むパターン形成方法。 （もっと読む）