【課題】その表面をケイ化銅に転化することにより、銅相互接続構造の露出銅表面を直接不動態化するための方法を提供すること。
【解決手段】その後の誘電体フィルムの形成とともに原位置に実行されるシラン・パッシベーション・プロセスは、Ｃｕ相互接続構造の露出したＣｕ表面をケイ化銅に転化する。ケイ化銅は、Ｃｕ拡散およびエレクトロマイグレーションを抑制し、後続導体材料との接触が行われる領域内でバリア材として機能する。銅相互接続構造の銅表面全体をケイ化する場合もあれば、銅表面の一部分を露出するように上に重なる誘電体に開口部を形成した後で表面の局部部分をケイ化する場合もある。 （もっと読む）

電子部品間に電気を伝えるための配線を製造するために、基板上に導電線を堆積させる。基板上にパターン形成された金属層が形成され、次いで低熱伝導率を有する材料の層が、パターン形成された金属層及び基板上に被覆される。低熱伝導率を有する材料の層を通るビアが形成されることによって、パターン化された金属層の一部が露出される。次いで、導電性インクの膜が低熱伝導率を有する材料の層上及びビア内に被覆されることによって、パターン化された金属層の前記部分が被覆され、その後焼結される。パターン化された金属層の部分に被覆された導電性インクの膜は、低熱伝導率を有する材料の層上に被覆された導電性インクの膜ほど、焼結由来のエネルギーを吸収しない。低熱伝導率を有する材料の層は、ポリイミドなどのポリマーであり得る。
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【課題】積層半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層および絶縁層に接して形成されたＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板であって、ＳＯＩ基板の表面および裏面の間を貫通する貫通孔と、貫通孔に形成された、表面および裏面の間を電気的に結合する貫通結合部と、を有し、ＳＯＩ基板の表面または裏面の何れかの面に支持基板を貼り付けたＳＯＩ基板を準備する段階と、ＳＯＩ基板の支持基板が貼付されていない面の貫通結合部が他の基板の所定の位置に電気的に結合するよう、支持基板と他の基板との相対位置を調整する段階と、調整された相対位置を維持しつつＳＯＩ基板と他の基板との間隔を狭め、ＳＯＩ基板と他の基板とを押圧接触させる段階とを備え、相対位置を調整する段階は、支持基板の辺部であってＳＯＩ基板が貼付されていない領域に形成された指標と、他の基板の位置指標とに基づき、前記相対位置を調整する。 （もっと読む）

【課題】ＶＬＳＩ技術及びＵＬＳＩ技術において多段相互接続は、アスペクト比の高いバイアや他の相互接続が注意深く処理されることを要する。これらの相互接続の確実な形成技術を提供する。
【解決手段】窒素と水素を含有する化合物、一般にアンモニアを使用し、次層を上へ堆積するに先立ち相対的に低い温度で酸化物又は他の汚染物質を還元する、プラズマ還元プロセスを提供する。酸化物の層の典型的な物理的スパッタ洗浄プロセスと比較して、層の粘着特性が改善され酸素の存在が減少する。このプロセスは、デュアルダマシン構造、とりわけ銅が応用されている場合の複雑な要求に特に有効であろう。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射部を局所的に真空排気する局所加工部を備え、差動排気により局所加工部を被加工物上に浮上するレーザ加工装置において、被加工物表面の異物をレーザ光照射部との間に挟みこむことを防ぐ。
【解決手段】差動排気によってレーザ照射による局所加工部４０を被加工物（基板１１）から浮上させるにあたって、その浮上量Ｄを、圧縮ガス供給部６３によるガス供給量と圧縮ガス排気部６５によるガス排気量とのバランスを制御することで変化させ、ガス排気量を小さくして浮上量Ｄを高くした状態で、加工位置間の移動を行う。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の低減とともにオフリーク電流の低減が図れ、製造工数の増大をもたらすことなく回路の集積化が図れる薄膜トランジスタを備えた表示装置の提供。
【解決手段】表示部が形成された基板上に複数の薄膜トランジスタが形成されている表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極を跨って形成されたゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜の上面に形成され、平面的に観て前記ゲート電極の形成領域内に開口が形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の表面に前記開口を間にして配置された一対の高濃度半導体膜と、
前記層間絶縁膜の前記開口を跨いで形成され、平面的に観て、前記ゲート電極の形成領域内に形成されるとともに前記一対の高濃度半導体膜に電気的に接続された多結晶半導体層と、
前記一対の高濃度半導体膜のそれぞれに重ねられ前記多結晶半導体膜に重ねられることなく形成された一対の電極と、
を備えたものを含む。 （もっと読む）

【課題】一般的なウエハ・レベル・パッケージ・プロセスでは、メッキ・プロセス中におけるスクライブ領域のアルミニウム系パッド電極の腐食を防止するために、製品領域における有機系保護膜と同層のパッド保護用樹脂膜でパッド電極をカバーしている。しかし、これでは再配線形成後にスクライブ領域のパッド電極に対するプローブ検査が実行できない。
【解決手段】本願発明は、ウエハ・レベル・パッケージ方式の半導体集積回路装置の製造方法において、チップ領域およびスクライブ領域の有機系保護膜を相互に連結した一体の膜パターンとし、ペレタイズ工程においては、スクライブ領域中央部の有機系保護膜を含む表層部分を先ず、レーザ・グルービングで除去することで幅広の溝を形成し、その後、この溝内の中央部をダイシング処理することで、ここのチップ領域に分離するものである。 （もっと読む）

シリコン基板内のビア内に高純度の銅を電着し、スルーシリコンビア（ＴＳＶ）を形成するプロセスである。本プロセスは、電解銅めっきシステム内の電解槽内にシリコン基板を浸漬するステップと、高純度の銅を電着してＴＳＶを形成するのに十分な時間の間、電圧を印加するステップとを含み、電解槽が酸、銅イオンの発生源、第一鉄イオン及び／又は第二鉄イオンの発生源、及び析出した銅の物理−機械的特性を制御するための少なくとも１つの添加剤とを含み、銅金属の発生源からの銅イオンを溶解することによって電着されることになる付加的な銅イオンを提供するために、前記槽内でＦｅ^２＋／Ｆｅ^３＋レドックス系が、確立される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の組み立てにおいて再配線形成後にも電気的特性検査を実施する。
【解決手段】再配線形成後のダイシング工程において、レーザーダイシングとブレードダイシングを行うことで、半導体ウェハのダイシング領域１ｃ上に形成された再配線９ｅ等の厚いメタル層であっても前記メタル層を残すことなくきれいに切断を行うことができるようになり、その結果、再配線形成後にもダイシング領域１ｃ上に配置されたテスト用電極パッド９ｓを用いて半導体ウェハや再配線９ｅ等の電気的特性検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させることを課題の一とする。また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させても、オフ電流の増大を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とゲート絶縁層の間に、該酸化物半導体層より導電率が高い酸化物クラスターを形成することによって、該薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させ、且つオフ電流の増大を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】濡れ性制御パターンとインクジェット印刷パターンとのアライメントを容易に高精度で合わせる配線パターンの形成方法を提供し、トランジスタ素子基板並びに表示装置を提供する。
【解決手段】濡れ性変化層に高表面エネルギーラインＬ１〜Ｌ５がピッチｑで配列されてなるアライメントマークＭを形成する工程と、ドットラインＤ３の目標着弾点の中心線が高表面エネルギーラインＬ３の中心線に一致するように、仮に設定された印刷開始位置からインクジェット法によりピッチｑとは異なる間隔の印刷ピッチｐでドットラインＤ１〜Ｄ５をテスト印刷するテスト印刷工程と、テスト印刷ラインごとの高表面エネルギーラインからのインクのはみ出し状態からドットラインとお互いの中心線が略一致する高表面エネルギーラインのライン配列における位置を検出する検出工程と、前記検出結果を基に、前記印刷開始位置を調整する印刷位置調整工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、チャネルを含む島状半導体層と、島状半導体層上に形成されたドレイン配線およびソース配線とを有し、島状の半導体層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを含み、ドレイン配線及びソース配線は島状半導体層をキャリアの移動方向と垂直に横断し、チャネルの長さはドレイン配線およびソース配線の間隔に等しいことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】平坦性の向上により、ＴＦＴの移動度を向上させ、ＴＦＴのオフ電流を低減する
。
【解決手段】基板上に非晶質構造の半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜上に結晶化
を促進する金属元素を添加する工程と、加熱処理を行って、前記半導体膜を結晶構造の半
導体膜とする工程と、前記結晶構造の半導体膜に第１のレーザー光を照射する工程と、前
記結晶構造の半導体膜に第２のレーザー光を照射する工程とを有する。レーザー光を照射
する工程を２回設けることにより、結晶構造の半導体膜の平坦化を向上させることができ
る。その結果、ＴＦＴの移動度を向上させ、ＴＦＴのオフ電流を低減させることができる
。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ誘電体膜の劣化を防止しながら、金属配線間を絶縁膜で所望に埋め込むことができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板（半導体基板）１の上方に下地絶縁膜９を形成する工程と、キャパシタQ1、Q2を下地絶縁膜９の上に形成する工程と、キャパシタQ1、Q2を覆う第１層間絶縁膜６８を形成する工程と、第１、第２配線溝３０、３３と、該配線溝３０、３３の底部から下に延びる第１、第２コンタクトホール３１、３４とを第１層間絶縁膜６８に形成する工程と、第１、第２配線溝３０、３３と第１、第２コンタクトホール３１、３４とに第１拡散防止膜３５と第１銅膜３６（第１導電体）とを埋め込む工程と、水素を含まない還元性ガス中において第１銅膜３６をアニールする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法が適用でき、簡便に微細なパターンの形成が可能で、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を提供する。
【解決手段】積層構造体１は、臨界表面張力が大きい高表面エネルギー部３と臨界表面張力が小さい低表面エネルギー部４を有する濡れ性変化層２と、高表面エネルギー部３に形成されている導電層５と、低表面エネルギー部４に形成されている半導体層６と、を有し、濡れ性変化層２は、エネルギーの付与により臨界表面張力が変化する、側鎖に疎水性基を有する高分子材料を含み、高分子材料は、ポリイミドを含む。 （もっと読む）

【課題】固体構造、特に半導体構造内部に一つ乃至複数のエアギャップを形成して金属線の如き電気部品間の誘電的カップリングを減じる方法を提供する。
【解決手段】半導体構造内にエアギャップを形成する方法は、（ｉ）半導体構造内の閉鎖された内部空間を占めるための犠牲材料としてノルボルネン型ポリマーを利用し、（ｉｉ）該犠牲材料を一つ以上のガス状分解物へと分解（好ましくは熱処理によって自己分解）し、（ｉｉｉ）該内部空間に隣接する固体層の少なくとも一つを通じて上記ガス状分解物の少なくとも一つを排除する、工程からなる。 （もっと読む）

【課題】レーザリペア装置が高速に欠陥を修理することを可能とする。
【解決手段】ＣＣＤカメラ１１１がガラス基板１０２を撮像して画像データを生成する。制御部１１２は画像データに基づいて、ガラス基板１０２上の欠陥の外形を抽出する。また、制御部１１２は、レーザ発振器１０３から出射されたレーザ光がガラス基板１０２上に照射される範囲が、欠陥の外形とその外形に外接する外接矩形との複数の接点のうち少なくとも１つを含むように、ガラス基板１０２上にレーザ光を照射する位置を決定する。制御部１１２は、決定した位置と上記範囲とに基づいて欠陥の外形を狭めながら、上記の決定を繰り返す。そして、レーザリペア装置１００は、繰り返しにより決定した複数の位置に、光学系を介してレーザ発振器１０３からのレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを有する半導体装置において、薄膜トランジスタの半導体層を、金属元素が添加された酸化物半導体層とする。金属元素として鉄、ニッケル、コバルト、銅、金、モリブデン、タングステン、ニオブ、及びタンタルの少なくとも一種類以上の金属元素を用いる。また、酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの電気特性の信頼性を高めることが可能な薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供する。また、画質を向上させることが可能な表示装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】また、ゲート電極と、ゲート電極上に形成されるゲート絶縁層と、ゲート電極に重畳し、且つゲート絶縁層上に形成される酸化物半導体層と、ゲート絶縁層及び酸化物半導体層上に形成される配線と、酸化物半導体層及び配線に接する有機樹脂層とを有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

本発明の方法は、基板（２０１）の選択的領域メッキを可能とする方法であり：前記基板に第一の電気的伝導層を形成し；前記第一の電気的導電性層（３０１）を抗−無電解メッキ層（４１０）で覆い；前記抗−無電解メッキ層と前記第一の電気的伝導層とを通して延長する構造（５１０、５２０）を形成するために、前記基板をパターン化し；前記第一の電気的伝導層に隣接してかつ電気的に結合された、第二の電気的伝導層（６１０）を形成し；前記第二の電気的伝導層の上に第三の電気的伝導層（７１０）を形成し；及び前記抗−無電解メッキ層と前記第一の電気的伝導層を除去することを含む。
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