【課題】駆動回路素子を同一基板上に一体的に有する液晶表示装置において、表示コントラストの劣化を抑えつつ駆動回路の安定動作を図る。
【解決手段】透明基板１２上に、画素電極４４を駆動する第１薄膜トランジスタ２０と、前記第１薄膜トランジスタ２０に駆動信号を供給する第２薄膜トランジスタ５０と、を備えた表示装置１において、前記第１薄膜トランジスタ２０及び第２薄膜トランジスタ５０は、チャネル領域２８，５８とドレイン領域３４，６４及びソース領域３２，６２との間に配された低濃度不純物領域３０，３１，６０，６１とを備える半導体層２２，５２をそれぞれ有し、前記第２薄膜トランジスタ５０の前記チャネル領域５８と前記ドレイン領域６４の相対向する端部の間隔Ｌｄが、前記第１薄膜トランジスタ２０の前記チャネル領域２８と前記ドレイン領域３４の相対向する端部の間隔Ｌｐより短いことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の端部において発生するゲートリーク不良を低減し、ゲート耐圧が改善された薄膜トランジスタとその作製方法を提供する。
【解決手段】側端面がテーパ形状を有する島状の半導体膜と、前記半導体膜の表面及び側端面に接して設けられたゲート絶縁膜と、前記半導体膜上に前記ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極層と、前記ゲート電極層上に設けられた開口部を有する絶縁膜と、前記開口部を有する絶縁膜上に接して設けられ、前記開口部を介して前記半導体膜に接続されるソース電極及びドレイン電極層と、を有し、前記ゲート絶縁膜の前記半導体膜の側端面に接する部分はハロゲンを含み、且つ前記半導体膜の表面に接する部分よりも厚い薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

カーボンナノチューブ表面を官能化する方法において、ナノチューブ表面を非共有結合でナノチューブ表面と結合する少なくとも１つの官能化種を含む１以上の蒸気に曝すと同時に、ナノチューブ表面に化学官能基を提供して官能化したナノチューブ表面を生成する。官能化したナノチューブ表面を、官能化層と反応してナノチューブ表面からの脱離に対して官能化層を安定化する安定化層を形成する少なくとも１つの蒸気安定化種に曝すと同時に、ナノチューブ表面に化学官能基を提供して安定化したナノチューブ表面を生成してもよい。安定化したナノチューブ表面を、安定化したナノチューブ表面上に材料層を堆積する少なくとも１つの材料層前駆体種に曝してもよい。 （もっと読む）

【課題】ゲート電圧の閾値電圧の安定性に優れる有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子の提供。
【解決手段】ゲート絶縁層が下式のカルド型樹脂の硬化物からなる有機半導体素子。
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【課題】非表示領域にアラインマークを形成して結晶化工程中に多結晶シリコンの形成位置を正確に制御及び最適特性のアクティブ層を形成する。
【解決手段】表示領域２１１と非表示領域２１２とを有する基板２１０と、バッファ層２２０と、非表示領域２１２に対応するバッファ層２２０に形成されたアラインマーク２３０と、表示領域２１１に対応するバッファ層２２０に形成されたアクティブ層２４０と、ゲート絶縁膜２５０と、アクティブ層２４０に対応するゲート絶縁膜２５０に形成されたゲート電極２６０と、ゲート電極２６０に形成された層間絶縁膜２７０と、層間絶縁膜２７０に形成され、アクティブ層２４０と電気的に連結されるソース／ドレイン電極２８０と、ソース／ドレイン電極２８０に形成された絶縁膜２９０と、絶縁膜２９０に形成され、ソース／ドレイン電極２８０に電気的に接続される有機電界発光素子３００と、を備える。 （もっと読む）

【課題】駆動回路素子を同一基板上に一体的に有する液晶表示装置において、表示コントラストの劣化を抑えつつ駆動回路の安定動作を図る。
【解決手段】アレイ基板１０は、表示領域Ｒ１及び駆動回路領域Ｒ２に区画された透明基板１２と、前記表示領域Ｒ１に形成され表示領域Ｒ１にマトリクス状に配置された画素電極４４を駆動する第１薄膜トランジスタ２０と、前記透明基板１２の前記駆動回路領域Ｒ２に形成され前記第１薄膜トランジスタ２０に駆動信号を供給する第２薄膜トランジスタ５０と、前記第１薄膜トランジスタ２０の下層側に設けられた導電性の第１遮光膜１４と、前記第２薄膜トランジスタ５０の下層側に設けられた導電性の第２遮光膜４４と、を備え、前記第１遮光膜１４がアース接続され接地電位に設定され、前記第２遮光膜４４が前記第２薄膜トランジスタ５０のゲート電極５６と電気接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ソース電極及びドレイン電極の下部にバリアパターンを構成しバリアパターンを通じて薄膜トランジスタのチャンネルの幅を決定することにより、チャンネル部のＣＤの偏差を最小化して均一な素子の特性を有する薄膜トランジスタを含むアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ソース電極及びドレイン電極の下部に、ソース電極及びドレイン電極を構成する金属物質の湿式エッチング液にエッチングされない物質を利用してバリア層を形成して、バリア層を異方性の乾式エッチングによってパターニングし、望むチャンネル部のＣＤを得る。従って、湿式エッチングの過程でソース電極及びドレイン電極がオーバーエッチングされる場合でも、一定幅のチャンネル部を形成できる。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンからなるＴＦＴを用いた液晶表示装置において、ＴＦＴの下方に遮光層を設けた場合であってもリーク電流が発生しにくく表示のコントラスト等を劣化しにくい表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板１２上に積層する下部遮光層１４と、ＬＤＤ領域３０及びソース／ドレイン領域３２、３４を有するポリシリコン半導体層２２からなり絶縁層１６を介して前記下部遮光層１４上に形成された薄膜トランジスタ２０とを備えた表示装置１の製造方法において、前記絶縁層１６上に形成したアモルファスシリコン半導体層にレーザ照射領域Ｄの長辺に対して垂直な方向に所定ピッチＰごとに間欠移動させてレーザ光を照射して、前記アモルファスシリコン半導体層を多結晶化し、前記薄膜トランジスタのチャネル領域２８及び前記ＬＤＤ領域３０を前記下部遮光層１４端部より前記所定ピッチＰ以上内側に配設していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の表示装置の信号配線は、信号配線の下部あるいは周囲に鬆が発生して、パッシベーション膜の被膜性が悪化する問題があった。
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、信号配線を有する表示装置であって、信号配線は、アルミニウムを主成分とし、絶縁層１０上に絶縁層１０と接するように形成される下層配線１１と、４族乃至６族元素を主成分とし、下層配線１１の上層に下層配線１１と接するように形成され、下層配線１１の端部よりも内側に端部が位置する上層配線１２とを有することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】コ字状電極ＴＦＴの構成を回避することにより、大電流を安定に流すとともに、リーク電流を抑制することのできる薄膜トランジスタの製造方法を得る。
【解決手段】ａ−Ｓｉ層２Ａは、ソース電極３のコ字状電極部６の内側とドレーン電極４の平行電極肢の先端部との間の除去領域８と、ドレーン電極４のコ字状電極部７の内側とソース電極３の平行電極肢の先端部との間の除去領域９と、において完全に除去され、各電極３、４の平行電極肢を含むチャネル領域５Ａと、少なくとも各電極３、４とゲート電極１とが平面的に重なる領域と、に形成されている。そして、除去領域８、９は、ソース電極３およびドレーン電極４を形成した後に形成される。 （もっと読む）

【課題】薄膜化した場合においても、ＳＢＤが生じ難いゲート絶縁膜、かかるゲート絶縁膜の評価方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜３は、下記一般式（１）で表される構造を有しており、下記一般式（１）で表される構造中のｎが３または４であるものの総数をＡとし、ｎが５以上であるものの総数をＢとしたとき、｛Ａ／（Ａ＋Ｂ）｝×１００が１．２％以下なる関係を満足することにより、ソフトブレークダウンが生じるまでに流れる総電荷量が、４０Ｃ／ｃｍ^２以上となるよう構成されている。


［式中、ｎは２以上の整数を表す。また、Ｘは水素原子または水酸基を表す。］ （もっと読む）

【課題】トランジスタのwellコンタクトをとりやすい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、絶縁層２０上に第１の領域及び第２の領域を有するシリコン層３０を形成する工程と、シリコン層３０の第１の領域に不純物をドープする工程と、不純物をドープした後シリコン層３０の表面に熱酸化膜１６を形成する工程と、熱酸化膜１６を除去する工程と、第１の領域において第１のフィールド酸化膜４１を絶縁層２０に接するように形成する工程と、第２の領域において第２のフィールド酸化膜４２をシリコン層３０を介して絶縁層２０上に形成する工程と、第１の領域におけるシリコン層３０に、完全空乏型のトランジスタを形成する工程と、第２の領域におけるシリコン層３０に、部分空乏型のトランジスタを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、より確実に半導体材料層また電極や配線パターン、特に、高精度なパターニングが要求されるソース、ドレイン電極のパターンを形成する方法を提供することにあり、更に電極パターンと共に移動度が高い半導体チャネルを高精度、再現性よく形成する方法を提供することにある。
【解決手段】基板上にパターン化された導電層を形成する導電パターン形成方法において、基板に対する導電層の接着性を高める接着層を基板表面上にパターン化する工程、
前記接着層が形成された表面、及び接着層が形成されていない基板表面の一部に導電層を形成する工程、前記接着層が形成されていない基板表面上に形成された導電層のみを除去する工程、からなることを特徴とする、導電パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】透明性及び平坦性の優れたゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と半導体層との間に配置されるゲート絶縁膜として、コーティング剤から得られた透明絶縁体膜Ａ１３１を形成する。コーティング剤は、Ｒ_ｘＭＸ_ｍ−ｘ（式中、Ｒは非加水分解性置換基、Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＩｎの何れかの元素、Ｘは加水分解性置換基、ｘは０〜３の整数、ｍはＭの価数をそれぞれ示す。）で表される化合物を加水分解縮合反応することにより得られる縮合物を、有機溶剤、水又はそれらの混合溶媒中に溶解又は分散してなる混合液の一種からなるか、又は該混合液の二種以上を混合してなる。一方、透明絶縁体膜Ａ１３１は、Ｒ_ｘＭＯ_ｙで表される酸化物である。 （もっと読む）

【課題】電子素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】工程段階を減らし、インクジェットプリンティングのような経済的な方法を使用して、フッ素化有機高分子のような絶縁層を直接パターニングできる電子素子の製造方法、並びに該製造方法によって形成されるバンク構造を有する電子素子である。 （もっと読む）

【課題】形状に限定されることなく、柔軟性ないし可撓性を有し、任意の形状の各種装置を作成することが可能な端面センサデバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】線状体の端面に、対象からの情報を受容して他の情報として出力する受容部が形成されていることを特徴とする端面センサデバイス。線状体２００１は、中止部に中心電極２００７を有し、その外周は絶縁膜２００８で覆われている。上記線状体２００１を用意し、その端面にｎ型半導体層２００４を形成する。次いで、ｎ型半導体層２００４上にｐ型半導体層２００３を形成する。これにより、線状体２００１の端面にｐｎ接合の受容部（光センサ）が形成される。 （もっと読む）

【課題】チャネルエッジ部の薄膜トランジスタの特性におけるハンプに起因する回路動作の不良やリーク不良を抑制して、高品質の画像表示を可能とする。
【解決手段】チャネル層となるポリシリコン層３０１のエッジ部３０２は、非結晶領域又は微結晶領域となる。チャネルエッジ部３０２のシリコン半導体膜が微結晶又は非結晶状態になっているため、電流が極端に少なく、あるいは電流は流れない。これにより、チャネル中央部とチャネルエッジ部とでしきい値電圧Ｖｔｈが異なる特性であっても、薄膜トランジスタ全体の特性には殆ど影響がなく、ハンプに起因する表示不良が回避される。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置を構成する基板上に直接不揮発性メモリを形成することができ、しかも良好に動作する高信頼性のものを得る、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリ１１０ａ，１１０ｂを構成する半導体層を形成するとともに、画素部及び駆動回路の少なくとも一方のスイッチング素子を構成する半導体層を形成する。半導体層を覆って第１の絶縁膜３５とフローティングゲート電極３６とを順に形成し、フローティングゲート電極３６を覆って第２の絶縁膜３７を形成する。第２の絶縁膜３７上にゲート電極３８を形成する。ゲート電極３８及びフローティングゲート電極３６をマスクにして絶縁膜１８をエッチングした後、第３の絶縁膜４０を形成する。そして、第３の絶縁膜４０を介し、フローティングゲート電極３６上にコントロールゲート電極６０を形成し、電気光学装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】金属触媒の拡散が困難な酸化膜と容易な窒化膜で二重キャッピング膜を形成し、その上に金属触媒層を形成した後に結晶化することにより、金属触媒が酸化膜を容易に通過できず、少ない量の金属触媒のみが結晶化に寄与する。これによって結晶粒の大きさが大きい多結晶シリコン層を形成し、特性が優れた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁基板、及び基板上に形成された半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜、ソース／ドレーン電極を含み、ゲート絶縁膜は１乃至２０Åの厚さのフィルターリング酸化膜からなる薄膜トランジスタである。金属触媒の拡散が困難なフィルターリング酸化膜を用いて結晶化に寄与する金属触媒の量を調節し、調節された金属触媒によって多結晶シリコン層の結晶粒の大きさを大きく形成し、多結晶シリコン層に残留する金属触媒の量を最小化する。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置の映像信号線と画素電極との間に生じる寄生容量に起因した画質の低下を防ぐとともに、開口率の低下を抑える。
【解決手段】 複数本の走査信号線と、複数本の映像信号線と、マトリクス状に配置された複数個の画素電極とを有する表示パネルを備える表示装置であって、前記映像信号線は、当該映像信号線からみて前記走査信号線の延在方向に配置され、かつ、平面でみたときに当該映像信号線に隣接する画素電極と重なる領域を有する導電性の寄生容量調整層と電気的に接続しており、前記画素電極は、平面で見たときの前記映像信号線と当該画素電極との距離が近づくと、当該映像信号線に接続している前記寄生容量調整層と当該画素電極とが重なる領域が狭くなり、平面で見たときの前記映像信号線と当該画素電極との距離が離れると、当該映像信号線に接続している前記寄生容量調整層と当該画素電極とが重なる領域が広くなる切り欠きを有する。 （もっと読む）