【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にテトラベンゾ[ｄｅ，ｈｉ，ｍｎ，ｑｒ] ナフタセン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にジベンゾ[ａ，ｋ]ペリレン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】低コストの表面処理方法を提供して、電子装置の試作等に要するコストを削減する。
【解決手段】エネルギービーム照射手段４１２と、ガス排気手段と、基板１０を保持可能な基板保持手段４１８と、を内部に備える真空処理室４０２と、ガス供給手段と、ガス排気手段と、基板１０を保持可能な基板保持手段４１８と、を備え、基板保持手段４１８で保持された基板１０上に液材を供給する液材供給手段４２２とを備える液材供給室４０４と、真空処理室４０２と液材供給室４０４との間を連絡する搬送路と、上記通路を開閉するゲートバルブと、真空処理室４０２と液材供給室４０４との間を基板１０を搬送可能な搬送手段４３６と、上記真空処理室および上記液材処理室の少なくともどちらか一方に連通する基板搬入口４３８と、を備えることを特徴とする電子装置の製造装置。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に形成される回路に適したバックゲート電極を形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず始めに、Ｓｉ基板１とＳｉ層５との間に空洞部を形成する。次に、空洞部を残しつつ、当該空洞部内にＳｉＯ₂膜３１ａ及び３１ｂを形成する。そして、空洞部内を埋め込むようにＳｉ基板１の上方全面にａ−Ｓｉ層を形成する。さらに、第１の熱処理によりａ−Ｓｉ層を多結晶化して、ａ−Ｓｉ層からｐｏｌｙ−Ｓｉ層３４を形成する。次に、イオン注入法により、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層３４のうちの空洞部外側に形成された部分３４ａに不純物を導入する。その後、第２の熱処理により、空洞部外側のｐｏｌｙ−Ｓｉ層３４ａから空洞部内側のｐｏｌｙ−Ｓｉ層３４ｂへ不純物を拡散させる。 （もっと読む）

【課題】高耐圧で、安全動作領域が広く、かつ、熱散逸性がよく、有効コンダクタンスおよび周波数特性が良好なＳＯＩデバイスを提供すること。
【解決手段】半導体装置１００において、ｐ^-基板１０１の表面層の一部にはＢＯＸ領域１０２が設けられる。ＢＯＸ領域１０２は、ゲート構造部１３０の中心から下ろした垂線Ｌｃ付近まで設けられており、ドレイン領域１１２および拡張ドレイン領域１０８をｐ^-基板１０１から分離する。ドレイン領域１１２の厚さは１５０ｎｍ〜３００ｎｍのいずれかであり、ＢＯＸ領域１０２の厚さは１５０ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】表面準位が形成されている素子であっても、表面準位を安定化させて、表面リークを抑制し、高周波動作の応答性も向上させたＧａＮ系半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮドレイン層４、ｐ型ＧａＮチャネル層５が積層されており、ｐ型ＧａＮチャネル層５の上には、ｎ型ＧａＮソース層６が形成されている。リッジ部Ａ側面の傾斜面にゲート絶縁膜７が形成され、ゲート絶縁膜７上に積層されている。ドレイン電極１０とソース電極９が形成された半導体表面及びゲート絶縁膜７で被覆されている半導体表面とを除く露出した半導体表面に、その露出した半導体表面がすべて覆われるように絶縁膜１１が形成される。 （もっと読む）

【課題】ベースコート層が除去されて露出したガラス基板２２の表面に対し、ドライバ部５０を確実に貼り合わせる。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ガラス基板２２からＴＥＯＳ層３２をエッチングして、ＳｉＮ層３１を部分的に露出させる第１エッチング工程と、第１エッチング工程とは別個独立に行われ、露出したＳｉＮ層３１をウェットエッチングして、ガラス基板２２を部分的に露出させる第２エッチング工程と、露出したガラス基板２２に対し、ドライバ部５０を貼り合わせる貼り合わせ工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴで使用される半導体膜に含まれる、個々の結晶粒の結晶方位にバラツキがあると、トランジスタの特性バラツキが引き起こされる。トランジスタの特性にバラツキが生じると、大きな余裕を持って回路設計を行う必要が生じ回路特性を向上させることが困難となる。
【解決手段】第１シリコン膜を、結晶方位が揃えられた第１多結晶シリコン膜３００に改質した後、平面視にて電気的に分離し、多結晶シリコン島３０２を形成する。次に、多結晶シリコン島３０２の一部を露出させる微細貫通孔１２６が開口されたバッファ絶縁膜を形成し、その上に非晶質シリコン膜１３を形成する。そして、レーザアニールにより多結晶シリコン島３０２と同じ面方位に揃えられたシリコン結晶膜１５５を形成することで特性が揃えられたＴＦＴを提供する。 （もっと読む）

【課題】画素の積層構造の単純化を図りつつ、トランジスタのオン電流を増加させる。
【解決手段】電気光学装置は、半導体層１ａよりも上層側に配置され、チャネル領域１ａ’に重なると共に走査線１１ａに電気的に接続された第１ゲート電極３ａと、半導体層１ａよりも下層側に配置され、チャネル領域１ａ’に重なると共に走査線１１ａに電気的に接続された第２ゲート電極３ｂとを有するＴＦＴ３０と、第２ゲート電極３ｂと同層に配置されるデータ線６ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が低減されて結晶性が良好な半導体膜の形成方法及びその成方法を用いて製造された半導体装置並びにディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に非晶質シリコン膜１２を形成する工程と、非晶質シリコン膜１２の表面に、結晶化を促進する触媒物質であるニッケルを含むニッケル薄膜１３を形成する工程と、非晶質シリコン膜１２を熱処理して、非晶質シリコン膜１２を結晶性シリコン膜１２に結晶化する工程と、結晶性シリコン膜１２に、隣接する各結晶粒の結晶方位角度差が、概略１０°以下あるいは５８°〜６２°を保持する最も高い値になるようなエネルギー密度を有するエキシマレーザーを照射して、結晶性シリコン膜１２の結晶性をさらに向上させて多結晶半導体膜とする工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】また、従来のＣＡＤツールによる半導体装置の設計図を用いる場合、インクジェット装置で形成できるパターンが限られるため、半導体装置の回路の中には、そのまま転用することができない回路も生じる恐れがある。
【解決手段】インクジェット装置で吐出して描くことの可能な基本パターンを複数用意し、それらを組み合わせて所望の集積回路のレイアウトを行う。得られたレイアウトを基にして露光マスクを形成する。露光マスクを用いて露光を行った後、現像して液滴の径よりも幅の細い露光領域にレジスト膜を残存させる。そして、被処理表面の露呈部分に対して撥液処理を行った後、レジスト膜上に材料液滴を滴下する。液滴吐出法により選択的に吐出を行い、ドット径よりも幅の細い配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板浮遊効果の抑制と、高速動作とを両立させる。
【解決手段】第１領域１２及び第２領域１４が設定されている、絶縁層２４及び絶縁層上に形成された半導体層２６を有する基板２０と、第１及び第２領域にそれぞれＭＯＳＦＥＴ３０及び５０とを備えて構成されている。ＭＯＳＦＥＴは、半導体層上にゲート絶縁膜３２及び５２を介して設けられているゲート電極３４及び５４と、不純物拡散領域４２及び６２とを備えている。不純物拡散領域は、半導体層のゲート電極を挟む位置に形成された、一対の領域である。第１領域に形成されたＭＯＳＦＥＴは、半導体層の底部の、ｐｎ接合の近傍に結晶欠陥領域６８を備えている。 （もっと読む）

【課題】フローティング本体効果が得られる装置または本体領域が分離された装置を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ装置１０はシリコン基板１２に支持されたシリコン酸化物絶縁体層１４を含む。本体領域２２、５８はシリコン酸化物絶縁体層１４上に配置され、本体領域２２は第１の導電型によって特徴づけられる。ソース、ドレイン領域１８、２０は第２の型によって特徴づけられる。ＳＯＩ層１４上方の本体領域近傍には遷移領域３６、３８、４６、６０が配置され、この遷移領域の導電型は、本体領域におけるフローティング本体効果を抑制するためには第１の導電型になるように、また本体領域を分離するためには第２の導電型になるように形成する。 （もっと読む）

【課題】不純物を含む半導体層の均一な熱処理を可能とする熱処理装置及びこの熱処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】放電ランプユニットと、シャワーヘッドを有するガス噴射ユニットと、被処理物を保持する処理台とを備え、前記シャワーヘッドの少なくとも一部分が前記放電ランプユニットから放射される光を透過するように構成され、前記シャワーヘッドから噴出した高温ガスを、前記被処理物の表面に吹き付けるとともに、それに同期して前記放電ランプユニットから光を照射し、前記半導体膜を熱処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電気的特性のさらなる改善を可能とした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上にＳｉＯ₂膜３１ａと、アモルファス構造のａ−Ｓｉ層３３と、ＳｉＯ₂膜３１ｂと、単結晶構造のＳｉ層５とが順次積層された状態で、チャネル部位を覆い、ソース又はドレインとなる部位を覆わないレジストパターンＲ１をＳｉ層５上に形成する工程と、レジストパターンＲ１をマスクに、イオン注入法によりａ−Ｓｉ層３３に不純物を導入する工程と、ａ−Ｓｉ層３３に導入された不純物を熱処理で横方向に拡散させることにより、当該不純物をチャネル部位直下の領域のａ−Ｓｉ層３３に導入すると同時にａ−Ｓｉ層を多結晶化する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体膜を用いた薄膜トランジスタを備えた表示装置において、初期故障が少なく薄膜トランジスタの小型化による高精細な表示が可能な表示装置を得ることを目的とする。
【解決手段】 多結晶半導体膜４の上層にゲート絶縁膜５を介してゲート電極６が形成されている薄膜トランジスタにおいて、多結晶半導体膜４とゲート電極６とが交差する領域における多結晶半導体膜４のパターン端部断面のテーパー角θ２が、それ以外の領域のテーパー角度θ１よりも低く形成されている。 （もっと読む）

【課題】バックゲート電極を有するＳＯＩ構造と、通常のＳＯＩ構造とを同一の半導体基板に形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】バックゲート領域のＳｉ基板１上に厚膜のＳｉＧｅ層を形成すると共に、通常領域のＳｉ基板１上に薄膜のＳｉＧｅ層を形成する工程と、厚膜及び薄膜のＳｉＧｅ層上にＳｉ層１５を形成する工程と、ＳｉＧｅ層を除去して、バックゲート領域のＳｉ基板１とＳｉ層１５との間、及び、通常領域のＳｉ基板１とＳｉ層１５との間に内部の高さが異なる空洞部２３、２４をそれぞれ形成する工程と、空洞部２３、２４内にそれぞれＳｉＯ₂膜２５を形成して、バックゲート領域ではＳｉＯ₂膜２５ａ及び２５ｂによって上下を挟んだ状態で空洞部２３を残し、通常領域では隙間が残らないように空洞部２４を埋め込む工程と、バックゲート領域に残された空洞部２３内にｐｏｌｙ−Ｓｉ層を埋め込む工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減した不揮発性メモリを提供することを課題とする。
【解決手段】低抵抗状態と高抵抗状態を有する記憶素子と、書き込み回路と、抵抗部と、書き込み回路へ書き込み電圧を入力する電源入力端子と、記憶素子と書き込み回路とを接続するか否かを選択するビット線駆動回路と、記憶素子に書き込みをするか否かを選択するワード線駆動回路とを有する不揮発性メモリであって、記憶素子への書き込み時に流れる電流は電源入力端子から書き込み回路を介して供給されており、抵抗部はこの電流経路上に設けられている。このような構成とすることで書き込み時の消費電流を低減し、低い消費電力の不揮発性メモリを実現することができる。さらに、このような不揮発性メモリにより電池の寿命が長いアクティブ型、あるいはメモリへの書き込み可能な通信範囲が広いパッシブ型の無線タグを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く製造する技術を提供する。
【解決手段】基板上に設けられ、一対の不純物領域の間に設けられたチャネル形成領域を含む島状の半導体層と、半導体層の側面に接して設けられた第１絶縁層と、チャネル形成領域上に設けられ、半導体層を横断するように設けられたゲート電極と、チャネル形成領域及びゲート電極の間に設けられた第２絶縁層と、半導体層及び前記ゲート電極上に形成された第３絶縁層と、第３絶縁層を介して、不純物領域と電気的に接続される導電層と、を有する。不純物領域はチャネル形成領域と比較して膜厚が大きい領域を有し、且つ該膜厚が大きい領域で導電層が接続されている。第２絶縁層は、少なくともゲート電極が重畳する領域の半導体層の側面に設けられた第１絶縁層を覆う。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に［１］ベンゾチオピラノ［６，５，４−ｄｅｆ］−１−ベンゾチオピラン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）