【課題】ソース電極又はドレイン電極の膜厚のばらつき又は断線を防止した半導体装置を容易に作製する方法を提案する。
【解決手段】絶縁基板上に形成された半導体層と、半導体層上に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された第２の絶縁層と、を有し、少なくとも第１の絶縁層、及び第２の絶縁層に形成された半導体層に達する開口部と、前記開口部において前記第２の絶縁層の側面に形成された段差と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高い電界効果移動度を有する新規化合物、および、該新規化合物を含有する有機半導体層を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物、および、を該新規化合物を含有する有機半導体層を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。


式中、Ａ１およびＤ１はそれぞれ無置換または置換基を有するアントラセン環を表し、Ｂ１およびＣ１はそれぞれ無置換または置換基を有するチアゾール環を表す。Ｘ１は単結合または２価の基を表す。 （もっと読む）

【課題】半導体層上の封止層形成において、アライメントが容易かつ歩留まりの高い封止層を有する薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法、ならびにアクティブマトリスクディスプレイを提供することにある。
【解決方法】基板上に形成されたゲート電極１１、ゲート絶縁膜２、ソース電極１７、ドレイン電極１６および有機半導体層３を含んでなるトランジスタにおいて、半導体層上に封止層４を有し、その形成に印刷法を用い、ストライプ状にすることで、簡易にパターンを形成でき、歩留まりよく、高いアライメント精度が得られる。 （もっと読む）

コンタクト構造（２３０Ａ，２３０Ｂ）のサイズおよび／または密度を局所的に適合させることによって、例えば、個々のトランジスタ（２１０，２１０Ａ，２１０Ｂ）内で、あるいは、より広い範囲で、高性能の半導体デバイス（２００）の全体的な性能を向上させることができる。このため、コンタクト構造（２３０Ａ，２３０Ｂ）と局所的なデバイス特性との間の相互関係に配慮することができる。一方で、従来のプロセス戦略と高い互換性を維持することができる。
（もっと読む）

【課題】 チャネルドープを行うことなく閾値電圧を調整可能なＭＯＳＦＥＴの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明はＭＯＳＦＥＴの製造方法として具現化される。その製造方法は、ソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域を結ぶチャネル領域を有する半導体基板を用意する工程と、チャネル領域の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、反応性スパッタリング法によってゲート絶縁膜上に金属化合物材料からなるゲート電極を形成する工程を備えている。本発明の製造方法では、反応性スパッタリング法で用いる希ガスと反応性ガスの流量比率を、目標とするＭＯＳＦＥＴの閾値電圧に応じて調整する。 （もっと読む）

【課題】修復用の配線パターンを予め形成することも、画素を常時非点灯化することもなく、欠陥画素を修復可能な表示装置の製造方法およびＴＦＴ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】駆動トランジスタＴｒ１とスイッチングトランジスタＴｒ３とを有する画素回路を備えた表示装置の製造方法において、スイッチングトランジスタＴｒ３に不良が生じた場合に、スイッチングトランジスタＴｒ３’の不良部分を断線する工程と、基板１の全域上にパッシベーション膜３１を形成する工程と、断線したスイッチングトランジスタＴｒ３’のドレイン電極２３’上と、隣接画素のスイッチングトランジスタＴｒ３のドレイン電極２３上の前記パッシベーション膜３１にコンタクトホール３１ａを形成し、コンタクトホール３１ａを介してドレイン電極２３，２３’同士を導電材料により結線する工程とを行うことを特徴とする表示装置およびＴＦＴアレイ基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ構造を非対称にすることなく、短チャネル効果が抑制された状態で、寄生抵抗を十分に低減することができ、チャネル領域の結晶欠陥が抑制された半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】まず、Ｓｉ層１１ａ、ＳｉＯ₂層１１ｂおよびＳｉ層１１ｃがこの順に積層されたＳＯＩ基板１１上に、ゲート絶縁膜１５を介してゲート電極１６を形成する工程を行う。次に、ゲート電極１６をマスクにしたエッチングにより、ＳＯＩ基板１１を最下層のＳｉ層１１ａが露出するまで掘り下げる工程を行う。次いで、露出されたＳｉ層１１ａの表面上に、Ｓｉ層をエピタキシャル成長させてエピタキシャル成長層２２を形成するとともに、エピタキシャル成長層２２にソース・ドレイン領域２３を形成する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル基板上に積層された半導体装置において、硬く脆い層を起因とする耐衝撃性および柔軟性の低さを解決する半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１基板上に第１剥離層を形成する工程と、第２基板上に第２剥離層を形成する工程と、第１剥離層上に無機中間層を形成する工程と、無機中間層上に半導体層を形成する工程と、半導体層上に接着層を形成する工程と、第１基板と前記第２基板とを対向させ、接着層と第２剥離層とを積層する工程と、第１剥離層に光または熱を照射して第１基板を剥離する工程と、無機中間層を薄膜化する工程と、薄膜化した無機中間層上に有機中間層を形成する工程と、有機中間層にフレキシブル基板を接着する工程と、第２剥離層に光または熱を照射して第２基板を剥離する工程と、接着層を除去する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ（半導体装置）の特性を向上させる。特に、低温プロセスに有望なＴＦＴ構成を提供する。
【解決手段】基板（１）と、基板上に形成された第１の半導体膜（３）と、第１の半導体膜上に形成された絶縁膜（１３、１６）と、絶縁膜上に形成された第２の半導体膜（２０３）と、絶縁膜に囲まれ、第１の半導体膜と第２の半導体膜とに接する電極（Ｐ２）と、を含む半導体装置の、電極（Ｐ２）の第２の半導体膜（２０３）に接する部分を金属窒化物（１７）とする。このように電極の第２の半導体膜に接する部分に金属窒化物を設けたので、第２の半導体膜中への電極を構成する材料の拡散や、電極材料と半導体膜との不所望な反応を防止することができる。よって、半導体装置の特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 電子輸送性の優れた有機ｎ型半導体として利用可能な新規化合物を提供すること。
【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表される含フッ素多環芳香族化合物。


［式（Ｉ）中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、炭素数６以上の芳香族炭化水素基又は炭素数４以上の複素環基を示し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、水素原子、ハロゲン原子等を示し、Ｒ^５及びＲ^６は、水素原子又は置換基で置換されていてもよい１価の有機基を示し、ｓ_１及びｔ_１は、２以上の整数を示す。但し、Ｒ^５及びＲ^６の少なくとも１つは、置換基を含め全水素原子の少なくとも１つがフッ素原子で置換された１価の有機基である。］ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチオフェン環を表し、環Ｂは置換または未置換のベンゼン環、あるいは置換または未置換のチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】特定の有機化合物を半導体材料として用いることにより低コストで大面積化が可能である塗布による半導体薄膜の製造が可能で、実用的な半導体特性を有する電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物を半導体材料として用いることを特徴とする電界効果トランジスタ。


（式（１）中、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立に硫黄原子、セレン原子またはテルル原子を表す。Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に無置換または置換脂肪族炭化水素基を表す。） （もっと読む）

【課題】大掛かりな装置を必要とすることなく、低温プロセスで絶縁膜の結晶欠陥を低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に半導体層１３、ゲート絶縁膜１４およびゲート電極１５をこの順に積層してトップゲート型の薄膜トランジスタを製造する。この際、塗布法により、ゲート絶縁膜１４を形成したのち、エネルギービームＥを照射する。これにより、半導体層１３がエネルギービームＥを吸収し、ゲート絶縁膜１４が加熱される。 （もっと読む）

【課題】オン／オフ比を増大させることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに表示装置を提供する。
【解決手段】基板２上に、ゲート電極３と、ゲート絶縁膜４と、チャネル層５と、ソース・ドレイン層７、８とをこの順またはこれと逆の順に積層してなる薄膜トランジスタにおいて、ソース・ドレイン層７、８には、チャネル層５に向かって低濃度となるような濃度勾配を有して不純物が含有されていることを特徴とする薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに表示装置である。 （もっと読む）

【課題】素子特性のばらつきが抑制されたＭＯＳ型素子を含む半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板の半導体領域に埋め込まれた素子分離絶縁膜と、前記素子分離絶縁膜によって素子分離され、上部が前記素子分離絶縁膜の表面よりも上に突出し、前記半導体領域の半導体層と、この半導体層にソース・ドレイン領域、ゲート絶縁膜およびゲート電極が形成され、かつ、前記ゲート電極がチャネル幅方向に平行な面の断面において前記素子分離絶縁膜上に形成されてなるＭＯＳ型素子とを具備してなり、前記ゲート電極下の前記半導体層の上面位置が、前記ゲート電極下の前記素子分離絶縁膜の上面位置よりも、２０ｎｍ以上高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】書き込み時の消費電力が小さく、読み出し専用の記憶装置のメモリ素子に用いられるアンチヒューズを提供する。
【解決手段】アンチヒューズは、第１導電層１１と、第１導電層１１上に非晶質シリコン膜１３と絶縁膜１４とを交互に積層した２層以上の多層膜２０と、多層膜２０上に第２導電層１２を有する。第１導電層１１と第２導電層１２の間に電圧を印加して、多層膜２０の抵抗を低下させることで、メモリ素子にデータを書き込む。第１導電層１１と第２導電層１２の間に非晶質シリコン１３よりも抵抗が高い絶縁膜１４を形成することで、書き込み時にアンチヒューズに流れる電流が低減される。 （もっと読む）

【課題】完全空乏型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の特性を向上させる。
【解決手段】絶縁体（１０１）上の半導体膜（１０３）上に形成された完全空乏型の薄膜トランジスタを、上記半導体膜上にゲート絶縁膜（１０７）を介して形成されたゲート電極と、上記ゲート電極の両側の上記半導体膜中に形成されたソース、ドレイン領域（１１１）と、上記ソース、ドレイン領域間に位置するチャネル領域（ＣＨ）と、上記チャネル領域に隣接するボディコンタクト領域（１１３）と、を有するよう構成する。このように、ボディコンタクト領域を設け、当該領域を介してチャネル領域に生じた過剰キャリアを引き抜くことで、ゲート電極を微細化しても、基板浮遊効果を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、簡便なウェットプロセスで製造でき、トランジスタ特性に優れた新規な有機半導体材料、該有機半導体材料を有機半導体層に含有する有機薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】下記一般式（１）で表される部分構造を有することを特徴とする、有機半導体材料。
【化１】


（式中Ａｒは、置換基を有してもよい芳香族炭化水素環、芳香族複素環を表す） （もっと読む）

【課題】電子輸送性の優れた有機ｎ型半導体として利用可能な新規重合体を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有し、サイクリックボルタンメトリー法で測定されるフェロセンを基準とした還元電位が−１．５Ｖ〜−０．５Ｖである重合体。


式中、Ａｒ^１は、２価の芳香族炭化水素基又は２価の複素環基（これらの基は置換基で置換されていてもよい）を示す。 （もっと読む）

【課題】カルコゲン薄膜トランジスタアレイを備えた電子医療映像装置を提供する。
【解決手段】外部から照射される光エネルギーを吸収して電子−正孔対が形成される信号生成部と、電子−正孔対を分離し、その極性によって信号生成部内の互いに反対側に密集されるように、信号生成部の一面に接触して電気信号を印加する電源と、信号生成部に接触し、分離された電荷のうち一種を流入して保存する信号保存部と、信号保存部に接触し、信号保存部に制御信号を印加して信号保存部に保存された電荷による電気信号を伝達されて映像信号に変換する信号変換部とを備えている。信号生成部は、カルコゲン素材のうち一つである非晶質セレンを使用するか、又はカルコゲンを利用した化合物素材であるＣｄＴｅ又はＣｄＺｎＴｅを使用できる。また、信号保存部は、ＧＳＴを含む薄膜トランジスタアレイ、あるいはＣＩＳを利用した薄膜トランジスタアレイを備えて構成できる。 （もっと読む）