【課題】カルコゲン薄膜トランジスタアレイを備えた電子医療映像装置を提供する。
【解決手段】外部から照射される光エネルギーを吸収して電子−正孔対が形成される信号生成部と、電子−正孔対を分離し、その極性によって信号生成部内の互いに反対側に密集されるように、信号生成部の一面に接触して電気信号を印加する電源と、信号生成部に接触し、分離された電荷のうち一種を流入して保存する信号保存部と、信号保存部に接触し、信号保存部に制御信号を印加して信号保存部に保存された電荷による電気信号を伝達されて映像信号に変換する信号変換部とを備えている。信号生成部は、カルコゲン素材のうち一つである非晶質セレンを使用するか、又はカルコゲンを利用した化合物素材であるＣｄＴｅ又はＣｄＺｎＴｅを使用できる。また、信号保存部は、ＧＳＴを含む薄膜トランジスタアレイ、あるいはＣＩＳを利用した薄膜トランジスタアレイを備えて構成できる。 （もっと読む）

【課題】銅薄膜にダメージを与えないエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明では処理対象物１０上でフッ素系ガスのプラズマを発生させ、電極溝１８内に露出する銅薄膜（例えばソース電極２１、ドレイン電極２２）にフッ素化合物薄膜を予め形成しておくので、ハロゲンガスのプラズマでシリコン層１７をエッチングする際に、銅薄膜がハロゲンガスのプラズマで腐食されない。シリコン層１７をエッチングした後に、Ｏ₂ガスのプラズマに曝すか、水洗すれば、銅薄膜表面に残留するハロゲンガスが除去されるので保存性も高くなる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造工程における生産性の向上を図ることができる半導体デバイスの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】準備したＳＯＩウエハに半導体機能素子及び前記ＳＯＩウエハを構成する支持基板に接続するための基板コンタクトを形成し、前記半導体機能素子上に形成した外部接続パッド同士が非接続となるように前記基板コンタクトと前記外部接続パッドと接続するパターンを形成し、前記外部接続パッド間の導電度を測定する半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶性が優秀な多結晶シリコンを形成すると同時に、結晶化時高温の結晶化温度による基板の曲がりを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着し、シリコン層をＨ_２Ｏ雰囲気、特定温度下で熱処理して非晶質シリコン層を部分結晶化する工程、部分結晶化された非晶質シリコン層をレーザ光を照射して多結晶シリコン膜を形成する工程と、多結晶シリコン層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを備えることによって、非晶質シリコンの固相結晶化法によって結晶化時高温の結晶化温度による基板の曲がりを防止することができ、製造された薄膜トランジスタの不良を減少させることができる。 （もっと読む）

少なくとも１つのアルキル基と少なくとも１つのアリール基すなわち芳香族基を含む少なくとも１種のシリコン系材料、少なくとも１種の触媒、および少なくとも１種の溶媒を含む架橋可能な組成物が開示されている。ａ）デバイス内の表面；ならびにｂ）少なくとも１種のシリコン系材料、少なくとも１種の触媒、および少なくとも１種の溶媒から作製される、少なくとも１種の充分に光透過性の架橋フィルム；を含むオプトエレクトロニクスデバイスが開示されている。ａ）デバイス内の表面（１２０）；ならびにｂ）少なくとも１種のシリコン系材料、少なくとも１種の架橋剤、および少なくとも１種の溶媒を含む、少なくとも１種の光透過性の架橋可能な組成物（１４０）；を含むオプトエレクトロニクスデバイスも開示されている。ａ）表面（１２０）を供給すること；ｂ）少なくとも１種の充分に光透過性の架橋可能な組成物（１４０）を供給すること、ここで前記組成物は、少なくとも１種のシリコン系材料と少なくとも１種の触媒を含む；ｃ）前記表面に前記架橋可能な組成物を施すこと；およびｄ）充分に光透過性の架橋組成物が形成されるように前記架橋可能な組成物を硬化させること；を含む、オプトエレクトロニクスデバイス（１０５）の製造方法も開示されている。ポリフェニルシルセスキオキサン、ポリフェニルシロキサン、もしくはこれらの組み合わせ物；硝酸テトラメチルアンモニウム；少なくとも１種の溶媒、およびアミノプロピルトリエトキシシラン系の化合物；を含む架橋可能な組成物も開示されている。 （もっと読む）

【課題】様々なエッチング工程におけるエッチングマージンを増やすための半導体装置の素子構造及び該素子構造を有する半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】開口部を有する絶縁物１００の上に配置された島状半導体層２００を有し、前記島状半導体層は埋込半導体層（領域２１１、領域２１２）と薄膜半導体層（領域２１３）とを有する。さらに、前記埋込半導体層の膜厚は前記薄膜半導体層の膜厚よりも厚くする。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの半導体基板表面への到達を防止できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層を形成する工程と、ＳｉＧｅ層上にＳｉ層５を形成する工程と、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層を順次、部分的にエッチングして、ＳｉＧｅ層を露出させる溝Ｈを形成する工程と、溝Ｈを介してＳｉＧｅ層をフッ硝酸溶液でエッチングすることによって、Ｓｉ基板１とＳｉ層５との間に空洞部を形成する工程と、空洞部の内部に面するＳｉ基板１の上面及びＳｉ層５の下面をそれぞれ熱酸化して、空洞部内に隙間を残しつつ当該隙間の上下にＳｉＯ₂膜３１ａ及び３１ｂを形成する工程と、ＳｉＯ₂膜３１ａ及び３１ｂによって上下を挟まれた隙間にＳｉ₃Ｎ₄膜３２を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】抵抗素子を形成するときのレイアウト的な制限が少なく、小面積で高抵抗を確保できる半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗回路１２０，１３０，１４０は、ＳＯＩ層１０３内に形成された、低濃度不純物領域すなわち抵抗素子１２１，１３１，１４１および高濃度不純物領域すなわち抵抗用配線１１２，１２２，１３２，１４２を有する。高濃度不純物領域１１２，１２２，１３２，１４２は、一方の端部が低濃度不純物領域１２１，１３１，１４１の端部に接し、且つ、他方の端部が他の素子（電界効果トランジスタ、他の抵抗素子等）の不純物領域と接する。さらに、高濃度不純物領域１１２，１２２，１３２，１４２上には、シリサイド層１１８，１２３，１３３，１４３が、選択的に形成される。コンタクトやメタル配線を用いずに配線できるのでレイアウトが容易であり、また、シリサイド層を選択的に形成するので高特性である。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの半導体基板表面への到達を防止できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層を形成する工程と、ＳｉＧｅ層上にＳｉ層５を形成する工程と、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層を順次、部分的にエッチングして、ＳｉＧｅ層を露出させる溝を形成する工程と、この溝を介してＳｉＧｅ層をフッ硝酸溶液でエッチングすることによって、Ｓｉ基板１とＳｉ層５との間に空洞部を形成する工程と、空洞部内にＳｉＯ₂膜（ＢＯＸ層）３０を形成する工程と、ＢＯＸ層３０を側面の側からエッチングして、Ｓｉ層（即ち、ＳＯＩ層）５の周縁部５ａとＳｉ基板１との間に隙間Ｓを形成する工程と、隙間ＳにＳｉ₃Ｎ₄膜３２を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】被照射流域全体に隙間なく照射できるとともに、重なり部の発生を最小限に抑えて剥離欠陥を防止することのできる薄膜層の剥離方法、薄膜デバイスの転写方法を提供する。
【解決手段】基板１００上に分離層１２０を介して存在する被転写層１４０を基板１００から剥離する被転写層１４０の剥離方法であって、分離層１２０にレーザー光を複数回照射して分離層１２０の内部および／または界面において剥離を生じさせ、被転写層１４０を基板１００から離脱させる際、レーザー光による単位照射領域が略正六角形である。 （もっと読む）

【課題】有機トランジスタの雰囲気の水分を封止によって低く押さえるとともに、水分の
影響による特性の変化を抑制する有機トランジスタの駆動方法、及び電気泳動表示装置を
提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス駆動を行なう有機トランジスタを有する素子基板１
２と、共通電極を有する透明性を有する対向基板１３を相対向させて形成した表示パネル
１１の外周全体を、少なくとも対向基板１３側は透明で水分の浸入を防ぐ封止材３０にて
封止する。そして、電気泳動表示装置１０の内部にある水分によって変化する、有機トラ
ンジスタの電圧閾値は有機トランジスタのバックゲート電極からバイアス電圧を印加する
ことによって抑制する。これらによって、表示性能の劣化を抑制した電気泳動表示装置１
０を構成する。 （もっと読む）

ゲート誘電層に近接する自己整合ソース及びドレイン張り出し部を有するトランジスタの作製方法は、基板上にゲート積層体を作製する工程、前記ゲート積層体に隣接する前記基板の領域へドーパントを注入する工程であって、前記ドーパントは前記基板のエッチング速度を増大させ、かつ前記ソース及びドレイン張り出し部の位置を画定する工程、前記基板のドーパントが注入された領域上に設けられた前記ゲート積層体の横方向で対向する面に一対のスペーサを形成する工程、前記基板のドーパントが注入された領域及び該領域の下に位置する前記基板の一部をエッチングする工程であって、前記ドーパントが注入された領域のエッチング速度は該領域の下に位置する前記基板の一部のエッチング速度よりも速い工程、並びに、前記の基板のエッチングされた部分中にシリコンベースの材料を堆積する工程、を有する。
（もっと読む）

【課題】低温でレーザアニール工程を省略した薄膜トランジスタ
【解決手段】薄膜トランジスタにおいて、Ｓｉ，Ｇｅを含有した半導体層４を適用し、この半導体層４のＧｅ濃度が、絶縁基板１側で高く、半導体層４の結晶配向が絶縁基板１側から２０ｎｍの領域でランダム配向、半導体層４の膜表面側で(１１１)、（１１０）あるいは(１００)優先配向性を示す。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体膜を、歩留まり良く、レーザ光の照射で結晶化する。
【解決手段】絶縁膜、半導体膜、絶縁膜、および半導体膜の順で、基板上に膜を積層する。基板の上方からレーザ光を照射下層および上層の半導体膜を溶融させて、下層の半導体膜を結晶化させる。レーザ光の照射により、上層の半導体膜が液相状態になることで、レーザ光が反射されるため、レーザ光によって下層の半導体膜に過剰に加熱されることを防ぐことができる。また、上層の半導体膜も溶融することで、下層の半導体膜の溶融時間を延ばすことができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板などの導電性基板を使って大素子を形成する場合でも、基板に流れるリーク電流を低減でき、大電流でかつ高耐圧の大素子を実現可能にしたＧａＮ系半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体デバイス２０は、シリコン（１１１）基板１上に、複数のＧａＮ系HFET１０を形成し、各ＧａＮ系HFET１０の電極同士を多層配線で連結して作製された大素子である。シリコン基板１上の半導体動作層（チャネル層３と電子供給層４）を複数の半導体動作層領域に電気的に絶縁分離するイオン注入領域９が形成されている。絶縁分離された各半導体動作層領域と電極５〜７により、複数のＧａＮ系HFET（ユニット素子）１０がそれぞれ形成される。各ＧａＮ系HFET１０の電極同士を電気的に接続して、複数のＧａＮ系HFETが１素子として機能する。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にジベンゾ[ｌｍ，ｙｚ]ピラントレン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にベンゾ[ｒｓ]ジナフト［２，１，８，７−ｋｌｍｎ：３’，２’，１’，８’，７’−ｖｗｘｙｚ］ヘキサフェン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】回路、特に薄膜トランジスタ回路を効率良く好適に製造する。
【解決手段】薄膜回路はリソグラフィ技術とインクジェット技術とを組み合わせて用いることによって製造される。極めて高い解像度の得られるリソグラフィ技術は、トランジスタのソースおよびドレイン電極、配線部、および回路電極の形成に用いられ、導電性の高い材料の利用を可能とする。半導体領域、絶縁体領域、ゲート電極および他の配線部、並びに、配線の交差部は特に、インクジェット印刷技術を用いてパターニングされる。インクジェット印刷技術においては、種々の材料をリソグラフィ工程を複数回行う場合や、特にプラスチック基板を用いる場合の、位置合わせに対する懸念は大幅に軽減される。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置の生産コストを低減するために、４枚マスク・プロセスに続く３枚マスク・プロセスの開発を推進する。
【解決手段】走査線とゲート絶縁層と半導体層との積層よりなる多層膜パターンを形成し、多層膜パターン間を感光性無機絶縁層で埋めて走査線の側面を絶縁化することで、走査線と半導体層の同時形成を行うことができ、３枚マスク・プロセスを実現する。 （もっと読む）

【課題】異なる金属酸化膜を複数積層させてなる絶縁膜について、当該絶縁膜の誘電率を高めることができる絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、第１の電極１２を形成し、その上に、酸化アルミニウム膜と酸化チタン膜とが積層された積層膜よりなる絶縁膜１３を形成した後、この絶縁膜１３に対して、当該絶縁膜１３の透過率が１０〜８０％になる波長を持つレーザーＬを照射する。それにより、絶縁膜１３の容量を大きくし誘電率を高める。 （もっと読む）