【課題】薄膜トランジスタの電流駆動能力を増大するとともに負荷である配線容量を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されたゲート電極及び第１信号配線と、前記ゲート電極及び前記第１信号配線を覆う第１絶縁膜と、前記ゲート電極の直上の位置を含む前記第１絶縁膜上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の一部を覆うとともにその領域を挟んだ両側で前記酸化物半導体層を露出し、且つ、前記第１信号配線の直上の位置を含む前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜から露出した前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、前記第２絶縁膜上に形成されるとともに前記第１信号配線と交差する第２信号配線と、を備えたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高性能、高信頼性のトランジスタを有する半導体装置を作製する技術を提供する。
【解決手段】配線層を導電層から形成する際に酸化物半導体層を保護するための保護導電膜を酸化物半導体層と導電層との間に形成して、２段階のエッチングを行う。第１のエッチング工程には、保護導電膜は導電層よりエッチングされにくく、導電層と保護導電膜とのエッチング選択比が高い条件で行うエッチング方法を採用し、第２のエッチング工程には、保護導電膜は酸化物半導体層よりエッチングされやすく、保護導電膜と酸化物半導体層とのエッチング選択比が高い条件で行うエッチング方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】広視野角の液晶表示装置を得る。
【解決手段】薄膜トランジスタを覆う平坦化絶縁膜18上に液晶駆動用の画素電極19、画素電極19の上にはラビング処理を施さない垂直配向膜31が形成され、共通電極23中には電極不在部である配向制御窓24、共通電極23上にはラビング処理を施さない垂直配向膜32が形成されている。負の誘電率異方性を有する液晶はプレチルトを有することなく法線方向に初配向制御され、電圧印加により、画素電極19端及び配向制御窓24端における斜め電界に傾斜方向が制御され、画素分割が行われる。画素間のブラックマトリクスが省略されてＴＦＴに対応する領域のみ遮光膜21BLが形成され、光リーク電流を防いでいる。 （もっと読む）

【課題】特別なマスクを用いることなく低コストで第１層配線と第２層配線との間の短絡を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にゲート電極３ｇを含む第１層配線３をパターン形成し、第１層配線３を覆う状態でゲート絶縁膜５および有機半導体層７をこの順に成膜する。有機半導体層７上にポジ型のレジスト膜９を成膜し、第１層配線３を遮光マスクとした基板１側からの裏面露光とその後の現像処理によってレジスト膜９を第１層配線３と同一形状にパターニングしてなるレジストパターン９ａを形成する。レジストパターン９ａをマスクにして有機半導体層７をエッチングし、第１層配線３と同一形状に有機半導体層７をパターニングする。この上部にソース電極１１ｓ／ドレイン電極１１ｄを含む第２層配線１１をパターン形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層のチャネル領域の、水素拡散による低抵抗化を抑制するトップゲート型酸化物半導体ＴＦＴ及びこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】基板の上に、ソース電極層と、ドレイン電極層と、酸化物半導体層と、ゲート絶縁層と、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎの少なくとも１種類の元素を含むアモルファス酸化物半導体からなるゲート電極層と、水素を含む保護層と、を有し、ゲート絶縁層は酸化物半導体層のチャネル領域の上に形成され、ゲート電極層はゲート絶縁層の上に形成され、保護層はゲート電極層の上に形成されていることを特徴とするトップゲート型薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】撮像された画像の品質を向上させる固体撮像装置、或いは半導体表示装置を提供する。
【解決手段】グローバルシャッタ方式で駆動を行うことで、電荷の蓄積動作を制御するための電位を全画素で共有することができる。さらに、出力信号が与えられる一の配線に接続されている複数のフォトセンサを第１のフォトセンサ群とし、出力信号が与えられる他の配線に接続されている複数のフォトセンサを第２のフォトセンサ群とすると、電荷の蓄積動作を制御するための電位または信号を第１のフォトセンサ群に与える配線と、上記電位または信号を第２のフォトセンサ群に与える配線とを、接続する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜に固定電荷を注入することなく閾値電圧をプラス方向にシフトさせることが可能な薄膜トランジスタおよびこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域４０Ａ上に絶縁材料よりなる固定電荷蓄積層５０を設け、この固定電荷蓄積層５０の上面側に固定電荷制御電極８０を設ける。固定電荷制御電極８０を正（＋）電位、ドレイン電極６０Ｄを負（−）電位とし、ソース電極６０Ｓを電気的に浮いた状態とすると、または、固定電荷制御電極８０のみを正（＋）電位とすると、チャネル電界によって加速されたホットエレクトロン、または衝突電離によって生じたホットエレクトロンが、ドレイン電極６０Ｄ近傍のチャネル領域４０Ａから固定電荷蓄積層５０に注入され、蓄積される。これにより、チャネル領域４０Ａの電位が制御され、閾値電圧Ｖｔｈがプラス方向にシフトする。 （もっと読む）

【課題】パリレンなどの特殊な保護材料を用いず、一般的な有機半導体層やフォトレジストに適用でき、パターニングによる有機半導体層の性能低下を抑制できる、有機半導体層のパターニング方法及び有機半導体装置の製造方法を提供し、更にこの方法に基づいて作製された有機半導体パターン及び有機半導体装置、並びに表示装置を提供すること。
【解決手段】基板１の上に有機半導体層２を蒸着や塗布によって形成する。その上に、窒化ケイ素などの絶縁性無機化合物又はポリビニルアルコールなどの親水性有機高分子化合物からなる保護層３を、ＣＶＤ法や水溶液の塗布によって形成する。その上にフォトレジスト層４を塗布によって形成し、これをパターニングしてマスク層５を形成する。マスク層５をマスクとして、保護層３と有機半導体層２をパターニングして、有機半導体パターン７を得る。パターニング終了後もマスク層５は保護層として残す。 （もっと読む）

【課題】データの書き込み不良を抑えつつ、面積を小さく抑えることができる不揮発性の記憶装置、または当該不揮発性の記憶装置を用いた半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】不揮発性の記憶素子を有する第１の記憶部と、上記第１の記憶部へのデータの書き込みが正確に行われたかどうかを検証するベリファイ動作において、上記データを一時的に保存するための第２の記憶部（データバッファ）とを有する。そして、第２の記憶部が、記憶素子と、当該記憶素子における電荷の保持を制御するための、オフ電流またはリーク電流が極めて小さい絶縁ゲート電界効果型トランジスタとを有する。 （もっと読む）

【課題】容易に製造することができ、かつ信頼性の高い薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜および活性層し、活性層上に第１の保護層となるＧａ酸化物膜を形成する。Ｇａ酸化物膜上に第２の保護層となる感光性有機系絶縁膜を形成し、感光性有機系絶縁膜においてチャネル領域に整合する部分をパターン部とし、それ以外の部分を非パターン部とする。この非パターン部を除去し、この非パターン部の除去とともにパターン部をマスクとして非パターン部下のＧａ酸化物膜を除去して、第１の保護層および第２の保護層を形成しチャネル保護膜を得る。チャネル保護膜を覆うようにソース電極およびドレイン電極となる膜を形成し、この膜上にレジストパターンを形成し、チャネル保護膜をエッチングストッパとして膜をエッチングし、ソース電極およびドレイン電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流の向上を図る。
【解決手段】ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタを製造する際に、チャネルが形成される半導体膜５ｂ、６ｂとなる結晶性シリコンの半導体層９ｂを成膜する前処理として下地膜１６にプラズマ処理を施すことによって、結晶化度を高めた半導体膜５ｂ、６ｂを形成することができる。特に、プラズマ処理後に不純物半導体膜５ｇ，５ｆ（６ｇ，６ｆ）を形成するので、不純物半導体膜５ｇ，５ｆ（６ｇ，６ｆ）がプラズマに晒されて変質することがなく、薄膜トランジスタ５、６において、結晶性シリコンを含む半導体膜５ｂ、６ｂに応じたオン電流の向上が得られる。 （もっと読む）

【課題】オン電流特性のばらつきを抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。また、良好な画質を有するとともに、製品の歩留まりを向上させることができる発光装置、並びに、該発光装置を実装した電子機器を提供する。
【解決手段】ソース、ドレイン領域となる不純物半導体領域１６が、チャネル保護層１５を含むマスクを用いたイオンドーピングにより形成され、また、シリサイド領域１７が、当該不純物半導体領域１６上へのソース、ドレインメタル層の成膜後のアニールにより不純物半導体領域１６の活性化と同時に形成される。ソース、ドレイン電極１８は、チャネル保護層１５からアライメントずれの最大量よりも離間するように配置形成される。また、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域であるデバイスエリアが、上記ソース、ドレイン電極１８となるソース、ドレインメタル層１８ｘのパターニング時に同時に画定される。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、トランジスタ数を削減し、表示品位及び／または撮像品位を向上させる。
【解決手段】ゲートが選択信号線２０８に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方に出力信号線２１２が電気的に接続され、他方に基準信号線２１１が電気的に接続されたトランジスタ２０５と、リセット信号線２０９にアノードまたはカソードの一方が電気的に接続され、他方にトランジスタ２０５のバックゲート２０６が電気的に接続されたフォトダイオード２０４を有し、フォトダイオード２０４を順バイアスとしてトランジスタ２０５のバックゲート電位を初期化し、逆バイアスとしたフォトダイオード２０４の光の強度に応じた逆方向電流で前記バックゲート電位を変化させ、トランジスタ２０５をオンすることで前記出力信号線２１２の電位を変化させ、光の強度に応じた信号を得る。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングによりパターニングするとき、半導体膜のチャネル領域が放射ダメージを受けないようにする。
【解決手段】窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。そして、レジストパターン２６、２６および第２のチャネル保護膜６をマスクとしたプラズマエッチングで、オーミックコンタクト層形成用膜２５および半導体膜形成用膜２１をパターニングする。この時、エッチング源のプラズマからの紫外線やＸ線等の放射は、遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６によって防ぐことができ、半導体膜４のチャネル領域が放射ダメージを受けることはない。なお、遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６は、後工程で２つに分離される。 （もっと読む）

【課題】 非晶質シリコンＴＦＴの特性を大幅に向上させつつ、その製造プロセスにおける膜飛びを抑制する。
【解決手段】まず、基板１０上にゲート電極１１を形成する。次に、基板１０上に、ゲート電極１１を平面視で覆うゲート絶縁膜１２を形成し、その上に、チャネル領域１３ｃとソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとを有する非晶質の半導体膜１３を形成し、その上に、チャネル領域１３ｃを平面視で覆うチャネル保護層１４を形成する。次に、半導体膜１３とチャネル保護層１４とにレーザーを照射することにより、チャネル領域１３ｃを微結晶化する。次に、半導体膜１３上に、チャネル保護層１４を平面視で覆い、ソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとに平面視で重なる導電膜を形成する。次に、導電膜をエッチングしてソース電極１６ｓとドレイン電極１６ｄとを形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流の安定を図る。
【解決手段】ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタにおけるソース電極６ｉ（５ｉ）と不純物半導体膜６ｇ（５ｇ）の積層体の一部が、チャネル保護膜６ｄ（５ｄ）における膜厚の厚い一端側に重なる構造にすることで、チャネルとなる領域を覆うチャネル保護膜６ｄ（５ｄ）に作用するバックゲート効果を抑制することができ、チャネルの乱れを抑えることができるので、薄膜トランジスタ６（５）のオン電流（Ｉｄ）を従来のものより増加させ、好適な値に安定させることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流の安定を図る。
【解決手段】ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタにおけるチャネル保護膜５ｄ、６ｄは逆テーパ形状を有し、そのチャネル保護膜５ｄ、６ｄの端部が低誘電層５ｃ、６ｃと重なった構造を有しているため、チャネル保護膜５ｄ、６ｄと低誘電層５ｃ、６ｃとが重なった部分に生じる電界Ｅを弱めることができる。そして、チャネルに作用する電界Ｅのバックゲート効果を抑制することによって、各薄膜トランジスタ５、６のオン電流（Ｉｄ）を従来のものより増加させ、好適な値に安定させることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた半導体膜を簡便に得ることができる微結晶半導体膜の結晶化方法と、これを応用した薄膜トランジスタ、半導体装置、及び薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の対面に形成され、ソース領域となる第１非晶質領域４１、ドレイン領域となる第２非晶質領域４２、及び第１非晶質領域４１と第２非晶質領域４２との間に配置されたチャネル領域となる結晶性領域４３を有する半導体膜４と、半導体膜４上に結晶性領域４３と直接接触することなく形成され、ソース領域及びドレイン領域とそれぞれ電気的に接続されたソース電極８１及びドレイン電極８２と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層に対して、窒素、または希ガス（アルゴン、ヘリウムなど）の不活性気体雰囲気下、或いは減圧下で脱水化、又は脱水素化処理のための加熱処理を行い、酸素、酸素及び窒素、又は大気（好ましくは露点−４０℃以下、より好ましくは−５０℃以下）雰囲気下で加酸化処理のための冷却工程を行うことで高純度化及びＩ型化した酸化物半導体層を形成する。該酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０
¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）