【課題】レーザ光照射による処理で高品質なシリサイド膜を形成し、絶縁基板に形成された電気的特性のばらつきの小さい電界効果型トランジスタの微細化と高性能化を実現する。
【解決手段】絶縁基板上に形成された一対の不純物領域及びチャネル形成領域を有する島状の半導体膜において、一対の不純物領域上に第１の金属膜を形成し、ゲート絶縁膜を介してチャネル形成領域上に位置するゲート電極上に反射膜として機能する第２の金属膜を形成する。第１の金属膜にレーザ光を照射して、第２の金属膜が形成された領域においてレーザ光を反射させ、且つ、一対の不純物領域において選択的に島状の半導体膜と第１の金属膜とを反応させる。 （もっと読む）

【課題】真空プロセスの工程数を減らし、薄膜トランジスタの製造コストを低減させる。。
【解決手段】非晶質シリコン薄膜１３の上に絶縁保護膜１４を形成したのち、ｎ型不純物を含む非結晶シリコン膜１５を形成する。ウェットエッチングにより非結晶シリコン膜１５の絶縁保護膜１４上に開口１５Ｃを形成し、非結晶シリコン膜１５をソース領域１５Ａ側と、ドレイン領域１５Ｂ側に分離する。続いて、シリコン（Ｓｉ）を触媒とした無電解めっきプロセスにより、非結晶シリコン膜１５上に金属層、例えばクロム（Ｃｒ）膜を形成する。真空プロセスを用いることなく、常圧でソース電極１６，ドレイン電極１７および配線を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】クロック信号の生成を制御することにより低消費電力の半導体装置及びその駆動方法を提供することを課題とする。
【解決手段】外部と信号の送受信を制御する送受信制御回路と、受信信号に含まれるエッジを検出し、且つリングオシレータの動作を制御するリングオシレータ制御回路と、リングオシレータの動作に基づいてクロック信号を生成するクロック生成回路と、クロック信号により動作を行うロジック回路とを設け、外部と信号の送受信を行う期間において、リングオシレータ制御回路が受信信号に含まれるエッジを検出した場合に、リングオシレータの動作を開始させてクロック生成回路からクロック信号を出力させ、送受信制御回路から外部への応答信号の送信が終了することにより、リングオシレータの動作を停止させてクロック生成回路からのクロック信号の出力を停止させる。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を用いた絶縁膜を低温プロセスで結晶化することが可能で、これによりガラス基板やプラスチック基板上に特性の向上が図られた素子を設けることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、金属酸化膜１５と非晶質シリコン膜１９との積層体を成膜形成する。積層体の上部に光吸収層２３を形成する。光吸収層２３で吸収される波長のエネルギー線Ｌｈを光吸収層２３に対して照射し、光吸収層２３で発生させた熱により非晶質シリコン膜１９と金属酸化膜１５とを同時に結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタ素子として有機薄膜トランジスタを有する有機薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、バンクの形成をより少ない工程で行うことが可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板上の第１領域に有機薄膜トランジスタが形成され、第１領域に隣接して発光素子を形成するための第２領域を有しており、第２領域の周縁部にバンク部が形成された有機薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、基板上の第１領域に、有機薄膜トランジスタを形成するとともに、この有機薄膜トランジスタが有するゲート絶縁層及び有機半導体層のうちの少なくとも一方を第２領域にまで形成して、第２領域に当該領域上に形成された積層構造からなるバンク前駆体層を形成する第１工程、及び、バンク前駆体層における周縁部以外の領域を除去して、残存したバンク前駆体層からなるバンク部を形成する第２工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 歩留まり良く、大結晶粒アレイ半導体薄膜を作製できる結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法、レーザ結晶化用基板、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。
【解決手段】 基板に非単結晶半導体膜を形成する工程と、前記非単結晶半導体膜上に結晶化用レーザ光の一部を吸収する光吸収性膜を形成する工程と、前記光吸収性膜の表面において、連続する周期的な光強度分布を形成する前記結晶化用レーザ光を照射する工程と、を有する結晶化方法であって、前記光吸収性膜の前記結晶化用レーザ光の吸収率をＡcap、前記非単結晶半導体膜の前記結晶化用レーザ光の吸収率をＡsi、前記吸収率Ａcapと前記吸収率Ａsiとで定義される光吸収比率をｒ＝Ａcap/(Ａcap＋Ａsi)としたときに、前記光吸収比率ｒを所望する結晶粒長を得る値に選択した光吸収性膜にする。 （もっと読む）

【課題】水分および酸素が吸着することによる経時的な特性の低下を回復することができる薄膜トランジスタ、かかる薄膜トランジスタを備え信頼性の高い配線基板、表示装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、基板２上に設けられ、ソース電極３およびドレイン電極４と、有機半導体層５と、ゲート絶縁層６と、ゲート電極７と、有機半導地層５およびゲート絶縁層６を加熱する加熱手段１２と、加熱手段１２の作動を制御する機能を有する制御手段１３とを有しており、制御手段１３は、加熱手段１２を所定時に作動させることにより、有機半導体層５およびゲート絶縁層６を加熱して、有機半導体層５およびゲート絶縁層６に吸着した水分および酸素の吸着量を低下させるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】優れた特性の薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体物質から形成されたチャンネル層、チャンネル層上に互いに対向して位置するソース電極及びドレイン電極、ソース電極及びドレイン電極の下で、チャンネル層をカバーするように形成された保護層、チャンネル層に電界を印加するためのゲート電極、及びゲート電極とチャンネル層との間に介在されたゲート絶縁層を備えることを特徴とする薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】不良が生じにくい素子構造及び当該素子を有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の電極層と第２の電極層からなる一対の電極層間に有機化合物を含む層を有する素子構造とし、一対の電極層のうち、少なくとも一方の電極層のヤング率を７．５×１０^１０Ｎ／ｍ^２以下とする。作製される素子の用途に応じた有機化合物を用いて有機化合物を含む層を形成し、記憶素子、発光素子、圧電素子、有機トランジスタ素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】 非対称マルチゲート型トランジスタ及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 １つの実施形態において、不均一なドーピング・プロファイルをもつ半導体フィンを有する非対称マルチゲート型トランジスタが示される。フィンの第１の部分がより高いドーピング濃度を有し、一方、該フィンの第２の部分はより低いドーピング濃度を有する。別の実施形態において、半導体フィン上に形成され、厚さが異なるゲート誘電体を有する非対称マルチゲート型トランジスタが示される。この非対称マルチゲート型トランジスタは半導体フィンの第１の側面部分の上に形成される薄いゲート誘電体と、該フィンの第２の側面部分の上に形成される厚いゲート誘電体とを有する。 （もっと読む）

【課題】レジストを使用することなく、簡単な工程でチャネル保護膜を作製する方法を提示する。さらには、半導体装置の作製に係る材料の消費量を低減し、製造コストの削減を図ることを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に半導体層を形成し、半導体層上に絶縁性を有する光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、基板側から光吸収層にレーザビームを照射して、光吸収層及び光吸収層上に形成される絶縁層それぞれの一部を除去して、チャネル保護膜を形成する。また、半導体層及びチャネル保護膜上に分離された導電層を形成する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性の経時変化が小さくかつキャリア移動度が高速でありながらも、リーク電流の発生を小さく抑えた薄膜トランジスタを、工程を追加することなく得ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上のゲート電極２を覆う状態で、ゲート絶縁膜３および第１半導体膜４を成膜し、ゲート電極２の中央部上に光透過性の絶縁性パターン５を形成し、さらに第２半導体膜６で覆う。絶縁性パターン５をストッパとした第２半導体膜６のパターンエッチングにより、第２半導体膜６を絶縁性パターン５の中央部上で分離したソース／ドレイン領域６ｓ，６ｄを形成する。ソース／ドレイン領域６ｓ，６ｄおよび絶縁性パターン５上からレーサ光Ｌｈを照射することにより、ソース／ドレイン領域６ｓ，６ｄを結晶化すると共に、絶縁性パターンのみが積層された部分の下層で結晶性が高く、ソース／ドレイン領域６ｓ，６ｄと絶縁性パターン５との両方が積層された部分の下層で結晶性が低くなるように、第１半導体膜４を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】２種類の薄膜トランジスタの製造工程を共通化した場合でも、一方の薄膜トラン
ジスタについてはゲート絶縁層の膜厚を厚くする一方、他方の薄膜トランジスタではオン
電流特性を向上可能な電気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器、および電気光
学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板１０を構成するにあたって、絶縁膜４の厚い下層側絶縁
膜４ａを形成した後、この下層側絶縁膜４ａの除去領域４１、４５を形成し、次に、薄い
上層側絶縁膜４ｂを形成する。その結果、上層側絶縁膜４ｂによって、駆動回路用の薄膜
トランジスタ１ｇのゲート絶縁層４ｇ、および保持容量１ｈの誘電体層４ｃが形成される
。また、下層側絶縁膜４ａと上層側絶縁膜４ｂとによって、画素スイッチング用の薄膜ト
ランジスタ１ｃのゲート絶縁層４ｅが形成される。 （もっと読む）

【課題】表示品質と開口率を向上することができる液晶表示装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】基板上に位置し、相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と、ゲート配線に接続されるゲート電極と、ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に位置するアクティブ層と、アクティブ層上に位置し、相互に離間されたソース電極及びドレイン電極と、アクティブ層及びソース電極間、並びにアクティブ層及びドレイン電極間に位置するオーミックコンタクト層と、アクティブ層上に位置し、ソース電極及びドレイン電極の内側に向かう二つの側面を有し、二つの側面のうち、少なくとも一つは、ソース電極及びドレイン電極の内側間に位置するシールドパターンと、画素領域に位置し、ドレイン電極に接続される画素電極とを設けた。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で高性能な薄膜トランジスタを製造する有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体層と、有機半導体層内のチャネル領域に対向するように形成されたゲート電極と、チャネル領域を挟むソース電極及びドレイン電極とを具備してなる有機薄膜トランジスタの製造方法において、有機半導体層は、ソース電極及びドレイン電極を覆うように有機半導体からなる層を設ける工程と、チャネル領域に相当する有機半導体からなる層上に保護層を設ける工程と、有機半導体からなる層に、活性エネルギー線を照射することにより有機半導体を除去する工程、を経て形成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高い移動度を備え、且つ移動度や閾値電圧特性のバラツキの小さい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 絶縁基板（１）上に設けられた５０ｎｍより薄い厚さの非単結晶半導体薄膜（３）に、逆ピークパターン状の光強度分布のレーザ光を照射して、結晶を横方向に且つ一方向に成長させる。これにより、幅よりも結晶成長方向の寸法が長い帯状の結晶粒（４）が、幅方向に互いに隣接して配置された結晶粒列（５）が形成される。この結晶粒列（５）の中の複数の結晶粒を含む領域に、結晶成長方向に電流が流れるように、ＴＦＴのソース領域（ｓ）及びドレイン領域（ｄ）を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの活性層となる半導体薄膜のレーザアニールによる再結晶化処理を均一化及び最適化するとともに、ゲート配線の低抵抗化を図る。
【解決手段】表示装置は、各薄膜トランジスタ４のゲート電極１を互いに接続するゲート配線６と、各薄膜トランジスタ４のソース電極Ｓを互いに接続する信号配線７とが絶縁基板上で互いに交差する様に形成されている。ゲート配線６は、個々のゲート電極１と一体的に形成された一体部６ａと、これらを互いに接続する別体部６ｂとに分かれている。ゲート電極１はゲート配線６の別体部６ｂより低い熱伝導性を有し、ゲート配線６の別体部６ｂはゲート電極１より低い電気抵抗を有する。信号配線７とゲート配線６の一体部６ａとが絶縁膜１４をはさんで交差する。 （もっと読む）

【課題】 窒化シリコン膜のパターニングに付随して生じる欠陥を低減することができる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化シリコン膜５を全面に形成した後、その上に酸化シリコン膜６を形成する。次に、ゴミ等を除去するために水洗浄処理を行う。次に、酸化シリコン膜６及び窒化シリコン膜５のパターニングを行う。このとき、窒化シリコン膜５の形状は、その上に酸化シリコン膜６が存在しているため逆テーパ形状となる。次に、半導体膜４をパターニングする。次に、ソース電極７及びドレイン電極８を半導体膜４上に形成する。このようにして薄膜トランジスタ１０が形成される。このとき、ソース電極７及びドレイン電極８の間に、金属膜の残部や堆積物等のゴミ１１が発生することがある。このような場合であっても、窒化シリコン膜５が逆テーパ形状となっているため、ゴミ１１とソース電極７及びドレイン電極８との間で段切れが生じる。 （もっと読む）

【課題】 成膜された半導体膜等をプラズマエッチングによりパターニングするとき、半導体膜のチャネル領域が放射ダメージを受けないようにする。
【解決手段】 窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。そして、レジストパターン２６、２６および第２のチャネル保護膜６をマスクとしたプラズマエッチングにより、オーミックコンタクト層形成用膜２５および半導体膜形成用膜２１をパターニングする。この場合、エッチング源のプラズマからの紫外線やＸ線等の放射は、遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６によって防ぐことができ、したがって半導体膜４のチャネル領域が放射ダメージを受けることはない。なお、遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６は、後工程で２つに分離される。 （もっと読む）

【課題】
有機TFTの有機半導体層は、水、光または酸素等の影響で劣化しやすいことを鑑み、本発明は、作製工程を簡略化するとともに、信頼性の高い有機ＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、マスクを用いたエッチングにより有機材料を含む半導体層を形成し、マスクを除去せず半導体層上に残した状態で有機ＴＦＴを完成させる。そして、残存するマスクを使って、水、光または酸素等による劣化から半導体層を保護することができる。 （もっと読む）