【課題】電極を精度良く形成できると共に、設計マージンを低減することが可能な構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタのゲート電極２２と、このゲート電極２２を覆って形成されたゲート絶縁膜２３と、このゲート絶縁膜２３上に形成され、薄膜トランジスタのソース領域、チャネル領域、ドレイン領域を構成する有機半導体層２４と、この有機半導体層２４上に形成された構造体３１と、ゲート絶縁膜２３上から構造体３１よりも外側の有機半導体層２４上にわたって形成された、薄膜トランジスタのソースドレイン電極２５，２６と、このソースドレイン電極２５，２６と同じ材料により、構造体３１の上に形成された、電極材料層３２とを含む半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】製造工程が簡単であり低コスト化を可能にする光マトリックスデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２種類の段差パターン有する転写型５に、転写型５の、物質を形成させる転写面に設けられた段差を平坦化させるための平坦化膜６を形成する。そして、平坦化膜６が形成された転写型５に半導体膜７とゲート絶縁膜８を積層させ、これらを基板１上に予め形成されたゲート線２上に、接着用樹脂４を介して、基板１上に転写する。それにより、半導体膜７およびゲート絶縁膜８に段差をつけることなく、ゲート線２上方の、ゲートチャネルが形成される領域にあたる半導体膜７上に、マスクとして機能する平坦化膜６を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルストップ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続する発光素子と重なる位置にカラーフィルタ層を薄膜トランジスタと発光素子の間に設ける。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有するトランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製するための、半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜にマイクロ波または高周波の電磁波を照射し、電磁波が照射された酸化物半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極上に酸化物半導体膜の一部と接する酸化物絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜前にゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減した後、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行った後、酸素雰囲気下において徐冷する。ゲート絶縁層中、及び酸化物半導体膜中に加え、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】有機トランジスタの導電特性を改良し、高強度の電流を得られるようにする。
【構成】ソース電極６及びドレイン電極８間の半導体層１０中に、導電性チャンネルに近接し、又は電気絶縁層２０及び前記半導体層１０に対して、ゲート電極２２の反対側に位置する圧電層２３を備え、該圧電層２３は、前記ソース電極６及びドレイン電極８から、及び前記半導体層１０から絶縁されている。 （もっと読む）

【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】第１の導電膜１０２と、絶縁膜１０４と、半導体膜１０６と、不純物半導体膜１０８と、第２の導電膜１１０とを積層し、この上に多階調マスクを用いて凹部を有するレジストマスク１１２を形成し、第１のエッチングを行って薄膜積層体を形成し、第１の導電膜１０２がエッチングされた膜１１３に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層１１６Ａを形成し、その後ソース電極及びドレイン電極等を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。半導体膜としては結晶性半導体膜１０６を用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチングプロセスを簡略化して、半導体層１８を薄く形成することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極１４を形成する。ゲート電極１４を覆うようにゲート絶縁膜１６を形成する。ゲート絶縁膜１６上の少なくともゲート電極１４と重なる領域に半導体層１８を形成する。半導体層１８の第１領域２０及び第２領域２２に挟まれる第３領域２４上にチャネル保護膜２６を形成する。第１領域２０及び第２領域２２並びにチャネル保護膜２６に対して、ドーパントを含有するガスによるプラズマ処理を行って、第１領域２０及び第２領域２２の表層２８の不純物濃度を高める。プラズマ処理が行われた第１領域２０及び第２領域２２の表層２８上に、それぞれ、ソース電極３２及びドレイン電極３４を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタによって形成される半導体装置の製造工程において、フォトマスク数を削減し、製造コストを低減することができ、且つ生産性及び信頼性を向上することのできる技術を提供することを目的の一とする。
【解決手段】チャネル保護層を形成する膜を透光性を有する酸化物半導体層上に形成し、チャネル保護層を形成する膜上にポジ型のフォトレジストを形成し、裏面露光法を用いて酸化物半導体層中のチャネル形成領域上に選択的にチャネル保護層を形成することを要旨とするものである。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少なくとも一部の回路を、上下をゲート電極で挟んだ酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成する。酸化物半導体とその上に設けられるゲート電極の間にはチャネル保護層を設ける。同一基板上に画素部及び駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一とする。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置において、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成され、ゲート電極層と重なるチャネル形成領域となる半導体層上にチャネル保護層が設けられた逆スタガ型薄膜トランジスタが設けられた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続するパッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜を有する薄膜トランジスタの製造に際し、加工精度を良くする。
【解決手段】 まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜８の上面全体に保護膜９を形成し、その上に上層絶縁膜１２を成膜する。次に、上層絶縁膜１２および保護膜９にコンタクトホール１０、１１を形成する。この場合、チャネル長Ｌは２つのコンタクトホール１０、１１間の間隔により決定され、チャネル幅Ｗはコンタクトホール１０、１１の所定方向の寸法により決定される。これにより、半導体薄膜８にサイドエッチングがやや生じても、チャネル長Ｌおよびチャネル幅Ｗに寸法変化が生じることはない。 （もっと読む）

【課題】オン電流とオフ電流の適正化を図った薄膜トランジスタを備えた表示装置及びその製造方法を提案することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極ＧＴと、チャネル領域と、チャネル領域を挟む領域に形成される２つの不純物領域とを含んで、ソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴ間の電流を制御する半導体膜Ｓと、ソース電極ＳＴ等と２つの不純物領域との間に介在する２つのオーミックコンタクト層ＤＳと、半導体膜Ｓの略中心となる位置を中心とする一部の領域に積層される絶縁膜ＥＳと、を含み、半導体膜Ｓは、微結晶シリコン又は多結晶シリコンを含んで形成され、２つの不純物領域は、絶縁膜ＥＳが形成されない領域に形成され、２つのオーミックコンタクト層ＤＳは、２つの不純物領域を覆うように形成され、ソース電極ＳＴ等は、オーミックコンタクト層ＤＳを覆うように形成される、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸素を含む化合物半導体を活性層とする薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに薄膜トランジスタを備える平板表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜によりゲート電極から絶縁され、酸素を含む化合物半導体からなる活性層と、活性層上に形成された保護層と、活性層と接触するソース電極及びドレイン電極とを備え、保護層が、酸素との結合力を有する無機物を含む酸化物からなる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板に形成されたＭＯＳトランジスタの放熱特性の向上しつつ外部からのノイズによる電気的特性の劣化を防止する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、絶縁基板と絶縁基板上に形成された半導体層を有する基板と、半導体層に形成されたソース領域及びドレイン領域と半導体層上にゲート電極を介して形成されたゲート電極を有する電界効果トランジスタと、基板に形成され電界効果トランジスタを電気的に分離するための素子分離層と、ドレイン領域上に形成された放熱膜と、半導体層上とゲート電極上と放熱膜上とに形成された層間絶縁層と、層間絶縁層に形成されドレイン領域と接続する第１コンタクトプラグと、層間絶縁層に形成され第１コンタクトプラグと電気的に絶縁され放熱膜と接続する第２コンタクトプラグとを有し、放熱膜は、絶縁基板及び層間絶縁層よりも熱伝導率の高い絶縁膜であることが特徴である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタアレイにおいて、ゲート絶縁膜におけるピンホールなどの欠陥を減少させ、高い信頼性を有する薄膜トランジスタアレイを提供し、且つゲート絶縁膜を簡便な方法で形成する方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜１１，１２を２層以上の構造とし、且つそのうちの１層以上に樹脂フィルムを用い、該樹脂フィルムをラミネート法で形成することで、高い絶縁特性をもったゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタアレイを容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域における欠陥準位を完全に補完することができ、これによって素子間で均一な特性が得られる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、チャネル領域を構成する微結晶シリコン薄膜７ａと、シリコンに結合した水素［Ｓｉ−Ｈ］を８×１０²¹個／ｃｍ³以上含む窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる水素含有シリコン系絶縁膜１３とを積層成膜する。その後、水素含有シリコン系絶縁膜１３をパターニングしてなるチャネル保護層１３ａから微結晶シリコン薄膜７ａに対して、水素を導入するための水素化アニール処理を行う。尚、窒化シリコンからなる水素含有シリコン系絶縁膜１３には、窒素に結合した水素［Ｎ−Ｈ］よりもシリコンに結合した水素［Ｓｉ−Ｈ］を多く含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ｎ型カルコゲニド素材とｐ型カルコゲニド素材を製造する方法、ｎ型カルコゲニド素材とｐ型カルコゲニド素材を用いてカルコゲニド薄膜トランジスタを製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にチャネル層を構成するｎ型カルコゲニド層を形成するステップと；ｎ型カルコゲニド層の上部に拡散防止層を形成し、拡散防止層をパターニングするステップ；およびｎ型カルコゲニド層にＴｅ合金を蒸着し拡散させ、ソースおよびドレイン領域を構成するｐ型カルコゲニド層を形成するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、積層構造の単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、走査線（１１）と、走査線の上層側に設けられ、走査線と交差するデータ線（６ａ）と、データ線の上層側に、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極の下層側に、画素電極に容量絶縁膜（７５）を介して対向するように設けられた容量電極（７１）と、走査線の上層側且つデータ線の下層側に設けられ、データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域（１ｄ）、画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、及び走査線と同一層からなると共に走査線に電気的に接続された第１ゲート電極（３ａ）にゲート絶縁膜を介して対向するように配置されたチャネル領域（１ａ’）を有する半導体層（１ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で薄膜トランジスタを高い歩留まりで製造する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ソース電極とドレイン電極の対向する部分の間のゲート絶縁層が露出している部分と、ソース電極とドレイン電極の対向する部分の一部をそれぞれ覆うようにレジスト層を形成する工程と、基板の最上層に、ソース電極の一部とドレイン電極の一部とをレジスト層を跨ぐように覆い、レジスト層を跨ぐ部分の両側はレジスト層が露出するように構造体を形成する工程と、レジスト層を除去する工程と、レジスト層が除去された構造体とゲート絶縁層の間の隙間に、滴下した液滴が流入可能な位置に半導体材料を溶解または分散した半導体溶液を滴下する工程と、構造体の下に流入した半導体溶液を乾燥させて半導体層を形成する工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）