【課題】 駆動用ＴＦＴの活性層の大きさを変更せずに、同じ駆動電圧を加えた状態でもホワイトバランスを合わせられるフラットパネルディスプレイを提供する。また、各副画素に最適の電流を供給することによって適正な輝度を実現し、寿命が長いフラットパネルディスプレイを提供する。
【解決手段】 自発光素子を具備する複数の副画素を含む画素と、前記副画素の各々に備えられた、少なくともチャンネル領域を有する半導体活性層を具備し、前記自発光素子に電流を供給するために前記自発光素子に接続されてなる、駆動用薄膜トランジスタ（２０ｒ、２０ｇ、２０ｂ）とを含むフラットパネルディスプレイであって、前記半導体活性層のチャンネル領域が、少なくとも２つの前記副画素に関して相異なる方向に配置されてなることを特徴とするフラットパネルディスプレイである。 （もっと読む）

【課題】　配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号の書き込み不良や階調不良などを防止し、より高画質のＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】　本発明はＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置に用いられる電極や配線として、Ｃｕを有する配線を設ける。また、該配線のＣｕを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。このような構成により、電圧降下や信号のなまりを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】　本発明の目的は、液晶配向の不良を減少させ、開口率を高めることにある。
【解決手段】　第１絶縁基板と、第１絶縁基板上部に形成されており、ゲート電極を有するゲート線と、ゲート線を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上部に形成されている半導体層と、半導体層上部に形成されているソース電極及びドレイン電極とソース電極に連結されており、ゲート線と交差するデータ線と、有機絶縁膜からなっており、ドレイン電極を露出する第１接触孔を有する保護膜と、第１接触孔を通じてドレイン電極と連結されている画素電極と、第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、ゲート線またはデータ線と重なるブラックマトリックスと、第１絶縁基板と第２絶縁基板の間でブラックマトリックスと重なって位置し、写真エッチング工程で形成された基板スペーサとを含む液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】表示品質と画像取込み性能に優れた表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置の製造工程にてＴＦＴ１１のチャネル部とフォトダイオードＤ１，Ｄ２のＩ層をともに水素化する際、ＴＦＴ１１とフォトダイオードＤ１，Ｄ２とで水素化の進行に違いが出るようにして、ＴＦＴ１１のチャネル部の欠陥密度を少なくし、かつフォトダイオードＤ１，Ｄ２のＩ層の欠陥密度を多くする。これにより、ＴＦＴ１１のリーク電流が抑制され、フォトダイオードＤ１，Ｄ２の光に対する感度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 高い周波数が印加され、数ｃｍ〜数１０ｃｍの長さを有する配線の抵抗を低減し、伝送される信号波形のなまりを低減する。
【解決手段】 高周波が印加される配線１１１は、層間絶縁膜１０７を介して、配線１１１の線方向にそって複数設けられたコンタクトホールにより配線１０６と電気的に並列接続している配線構造を採用する。その配線構造を周辺回路一体型アクティブマトリクス型液晶表示装置の周辺回路に用いることで、高周波信号が印加される配線において信号波形のなまりを低減できる。 （もっと読む）

【課題】 高いビット数のデジタル信号に対応し、線形性が良く、占有面積の小さいＤ／Ａ変換回路を提供する。
【解決手段】 複数の容量を有するＤ／Ａ変換回路であって、複数の容量は、第１電極と、第１電極に接している第１誘電体と、第１誘電体に接している第２電極と、第２電極に接している第２誘電体と、第２誘電体に接している第３電極とをそれぞれ有しており、第２電極は、第１電極及び第３電極と重なっており、第２電極は、第１電極及び第３電極と重なっている部分において開口部を有しており、第２電極が有する開口部において、第１誘電体及び第２誘電体にコンタクトホールが形成されており、コンタクトホールを介して第１電極と第３電極が接続されていることを特徴とするＤ／Ａ変換回路。 （もっと読む）

【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、耐光性を高め、高品位の画像を表示する。
【解決手段】 電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、これに接続された配線（３ａ、６ａ）と、ＴＦＴの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光層（３００、６ａ）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光層（１１ａ）とを備える。基板には、配線に対向する領域に格子状やストライプ状の溝（１０ｃｖ）が掘られており、この溝内でチャネル領域に対向する領域に凹部（４０１）が更に掘られている。下側遮光膜は、該凹部内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコン薄膜の表面に形成された突起を容易且つ確実に除去することができる多結晶シリコン薄膜の平坦化方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 多結晶シリコン薄膜を炭素（Ｃ）とフッ素（Ｆ）と水素（Ｈ）とを少なくとも含有するガスのプラズマに曝すことにより突起を除去して多結晶シリコン薄膜の表面を容易且つ確実に平坦化することができる。 （もっと読む）

【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。
【解決手段】
絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ａｇ層、及び保護層の３重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ａｇ層は銀や銀合金からなり、保護層はＩＺＯ、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。 （もっと読む）