【課題】本発明は、その金属フィルムが接着剤を介せずに黒鉛の表面に直接且つ緊密に形成されている放熱装置、及び該放熱装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、電子部品を搭載し、作動中の該電子部品から生じる熱を発散させるための放熱装置であって、積層構造を有する黒鉛により平板状に形成された本体と、電気メッキによって前記本体の表面に形成されている金属層とからなっている放熱装置、及び、本体を洗浄する本体の洗浄工程と、本体の洗浄工程において洗浄した本体の表面に、電気メッキによって金属層を形成する金属電気メッキ工程とを備える、放熱装置の製作方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 セラミックス回路基板の回路パターン周縁部に発生する凹凸を生じにくいセラミックス回路基板用素材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、セラミックス基板上に形成された導電部を含んだ回路基板を形成するためのセラミックス回路基板用素材であって、前記導電部の所望の回路パターンを形成する際に、印刷マスクを用いて塗布されたエッチングレジスト膜の硬化後の回路パターン中央部の平均厚さを３０μｍ〜６０μｍとするとともに回路パターン周縁部の最大厚さを回路パターン中央部の平均厚さよりも５μｍ以上厚く形成したセラミックス回路基板用素材である。 （もっと読む）

【課題】薄型化を図ることができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】ベース基板２と、該ベース基板の上面側に形成された回路パターン部３、４と、該回路パターン部上に搭載された半導体チップ５と、回路パターン部上に取り付けられ、該回路パターン部を介して半導体チップに電気接続された端子部材６、７と、ベース基板の上面に成形され、回路パターン部、半導体チップ及び端子部材を内部に封入したモールド樹脂８と、を備え、端子部材は、上端面がモールド樹脂の外面に露出していると共に該上端面に開口したねじ孔６ａ、７ａを有する筒状に形成されている半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱特性を有するとともに、はんだ濡れ性を向上させることができるパワーモジュール用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２に金属層６および金属層７を積層するとともに、金属層６上に無電解ニッケルメッキ層６１を形成した後、その無電解ニッケルメッキ層６１を厚さが０．５μｍ以上２．０μｍ以下、算術平均粗さが０．１μｍ以上０．４μｍ以下となるように研磨してメッキ層６０を形成する。 （もっと読む）

【課題】モールド樹脂の剥離を抑制可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ２０と、一面１０ａを有すると共に一面１０ａに導電性部材搭載領域を有し、導電性部材搭載領域に半導体チップ２０が導電性部材３０を介して搭載される搭載部材１０と、搭載部材１０の少なくとも一部および半導体チップ２０を封止するモールド樹脂４０と、を有し、搭載部材１０の一面１０ａのうちモールド樹脂４０と接する部位が凹凸形状とされている半導体装置において、搭載部材１０のうちモールド樹脂４０と接する部位の表面に水酸化物１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性能及び冷却性能を低下させることなく、パワーモジュールに冷却器を半田接合して構成される半導体装置を得る。
【解決手段】 ベース板２と、ベース板２の一方の主面上に設けられたパワー半導体素子３と、ベース板２の他方の主面にその一方の主面が固着された絶縁樹脂層４ａと、絶縁樹脂層４ａの他方の主面にその一方の主面が固着された金属層４ｂと、金属層４ｂの他方の主面が露出するようにベース板２、パワー半導体素子３及び絶縁樹脂層４ａを被覆して筐体を形成する樹脂筐体５とを有するパワーモジュール１と、一主面に少なくとも１つの凸状段差部７ｂが形成され、凸状段差部７ｂの少なくとも上面において金属層４ｂの露出面に半田により接合される冷却器７とを備えた半導体装置であって、凸状段差部７ｂの上面の面積が金属層４ｂの他方の主面の面積より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を高温で動作させても封止樹脂の剥離を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体素子１と、半導体素子１が実装された回路基板２と、回路基板２が実装された放熱性を有するベース板３と、ベース板３に設置され、かつ回路基板２を囲む空間４を有するケース材５と、ベース板３に設置され、空間４を回路基板２の配置された第１の領域Ｒ１とその他の第２の領域とを有するように区画する仕切り板６と、第１の領域Ｒ１においては半導体素子１を覆うように、仕切り板６で区画された第１および第２の領域の各々を封止する封止樹脂７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】伝熱性及び放熱性に優れた放熱部品、及びそれを有する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本放熱部品は、銅を主成分とする基材と、前記基材の表面の少なくとも一部を覆う電気アルミニウムめっき層と、前記電気アルミニウムめっき層の表面の一部が陽極酸化されたアルマイト層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】凹部を含む突起を有する構造において、凹部のエアー抜けを改善し、凹部にボイドを巻き込まない構造を備えた樹脂封止型半導体装置を提供することを第１の目的とする。また、凹部内にボイドを巻き込まない構造を備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】ヒートシンク１０は、当該ヒートシンク１０の一面１１のうち半導体素子３０が実装される実装領域１６において、一面１１の面方向のうちの一方向に沿って形成された線状の凹部１４と、凹部１４の両側にそれぞれ位置する突起部１５と、により構成された線状突起１３を有している。これにより、接合層２０は凹部１４の延設方向である一方向に沿って濡れやすくなるので、凹部１４に位置するエアーが抜けやすく、凹部１４にボイドを巻き込まない構造とすることができる。 （もっと読む）

【課題】電力用半導体モジュールを樹脂封止する過程、ヒートシンクにハンダ接合する過程などで電力用半導体素子に大きな熱応力が生じると電力用半導体素子が割れてしまい、電気特性が異常となり、出荷不適合となるという問題があることから、電力用半導体素子の熱応力の低減が必要である。
【解決手段】導電性と放熱性を有するヒートスプレッダ、このヒートスプレッダに固着された電力用半導体素子、及びこの電力用半導体素子にヒートスプレッダを介し接続された電極端子を有する電力用パワーモジュールであって、電力用半導体素子の側面領域を、保護樹脂で覆い、電力用パワーモジュールを冷却するヒートシンクを、固着層で一体化したものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、製造が容易でモーター等に容易に取り付け可能な小型積層型ヒートシンク及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明によるヒートシンクは、冷媒流路となる貫通孔を有する複数の流路板が積層され、両側に前記流路の封止面となる封止板が配置され、前記封止板または前記流路板に冷媒流入出口が設けられたヒートシンクにおいて、前記流路板の各々は前記貫通孔が回転対称位置に形成されており、所定枚数ずつ対称回転角度分回転させて積層することにより前記貫通孔の一部が隣接する流路板の貫通孔と重複するよう配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放熱性を維持しつつ、ヒートシンクと絶縁樹脂シートの密着性を向上させることのできるパワーモジュールおよび該パワーモジュール用リードフレームを提供することを目的とする。
【解決手段】ＣｕまたはＣｕ合金からなる導体板と、少なくとも該導体板の半導体素子を搭載する一方面とは反対側の他方面に形成されたＡｌ膜とを備えるリードフレームと、前記導体板の前記一方面に搭載された半導体素子と、少なくとも前記半導体素子と前記導体板を封止する封止樹脂と、前記Ａｌ膜を介して前記導体板と接着される絶縁樹脂シートとを具備することを特徴とするパワーモジュールである。 （もっと読む）

【課題】半導体チップからの発熱による光電変換部の機能障害を防止できる半導体モジュールを提供する。
【解決手段】光電変換領域１１８が形成された第１の半導体チップ１０１と、第１の半導体チップ１０１上における光電変換領域１１８が形成されていない領域に設けられ、第１の半導体チップ１０１と電気的に接続された第２の半導体チップ１０２と、第１の半導体チップ１０１，第２の半導体チップ１０２を収容するとともに、少なくとも光電変換領域１１８と対向する領域が透光性材料で形成されたパッケージ１０３と、第２の半導体チップ１０２とパッケージ１０３を熱的に連結する熱伝導部材１０９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
高い熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率を兼ね備え、さらには、半導体素子のヒートシンク等として使用するのに好適なように、表面の面粗さ、平面度を改善したアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド粒子を４０体積％〜７０体積％含有し、残部がアルミニウムを含有する金属で構成され、厚みが０．４〜６ｍｍの板状又は凹凸部を有する板状のアルミニウム−ダイヤモンド系複合材料であって、両主面が厚み０．０５〜０．５ｍｍのアルミニウム−セラミックス系複合体で被覆され、且つ側面部及び穴部がアルミニウム−ダイヤモンド系複合体が露出してなる構造であることを特徴とするアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】放熱板の外形サイズを変更することなくキャビティ面積、ひいてはキャビティ容量を増大してＩＣパッケージのマルチチップ化に対応可能な放熱板及び放熱板を有するＩＣパッケージの接続装置を提供する。
【解決手段】放熱板１の周壁３にて相互に対向する一対の側壁３Ａ、３Ｂの長さ方向における中央部に各側壁３Ａ、３Ｂの下端縁３Ｃから外方に向かって水平に耳部４、５を形成するとともに、各耳部４、５をソケット１２の蓋部材１４に形成された一対の押圧突起２３、２３を介して弾性的に押圧するように構成する。 （もっと読む）

【課題】アルミ製部材の表面にＮｉと、Ｓｎとをコーティングしてメッキ層を形成してなる放熱体において、半田の濡れ性をさらに向上させた放熱体を提供する。
【解決手段】アルミ製部材の表面にＮｉと、Ｓｎとをコーティングしてメッキ層を形成することにより半田の濡れ性を向上させた放熱体１１において、Ｎｉの全体に占める重量比率が０．１８乃至０．４８％になり、Ｓｎの全体に占める重量比率が０．１０乃至０．３８％になるようにメッキ層を形成するとともに、ウレタン樹脂の全体に示す重量比が０．０１乃至０．０８％になるように前記メッキ層にウレタン樹脂をコーティングする。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板にクラックや割れが発生することを防止して、電子部品から発生する熱の放散が良好な長期信頼性に優れた回路基板および電子装置を提供することにある。
【解決手段】回路基板10は、貫通孔を有する絶縁基板１と、該絶縁基板１の両面に貫通孔を塞ぐように取着されており電子部品20が搭載される金属板３と、貫通孔内に配置され絶縁基板１の両面に取着された金属板３に両端がそれぞれ接合された金属体５と、外面が貫通孔の内壁面にろう材層２を介して接合され内面が金属体５の側面に接合されており金属体５よりも小さい熱膨張係数を有する枠体６とを備えている。電子部品20から発生する熱を効率よく外部に放散し、絶縁基板１にクラックや割れが発生することを防止する。 （もっと読む）

【課題】アルミ製ベースプレートの一方の面に対象物を設けるとともに他方の面に放熱体を設け、対象物または放熱体をベースプレートにハンダ付けするにあたって、前記ベースプレートの表層側を最適なメッキ層によって形成し、ハンダの濡れ性をさらに向上させた放熱構造を提供することを課題としている。
【解決手段】本発明は、アルミ製ベースプレート２の一方の面に対象物を密着させて設けるとともに、他方の面に放熱体３を設け、前記ベースプレート２の表層側を、ハンダＨの濡れ性を向上させるメッキ層によって形成し、対象物及び放熱体３の一方又は両方をベースプレート２にハンダ付けし、対象物の熱がベースプレート２を介して放熱体３に伝導されて放熱されることにより、対象物が冷却される放熱構造であって、少なくともニッケル及びスズを前記メッキ層に含有させ、ニッケルのベースプレート２全体に占める重量比率が０．１８乃至０．４８％であり、スズのベースプレート２全体に占める重量比率が０．１０乃至０．３８％である。 （もっと読む）

【課題】アルミ製ベースプレートの一方の面に対象物を設けるとともに他方の面に放熱体を設け、対象物または放熱体をベースプレートにハンダ付けするにあたって、前記ベースプレートの表層側を最適なメッキ層によって形成し、ハンダの濡れ性をさらに向上させた放熱構造を提供することを課題としている。
【解決手段】本発明は、アルミ製ベースプレート２の一方の面に対象物を密着させて設けるとともに、他方の面に放熱体３を設け、前記ベースプレート２の表層側を、ハンダＨの濡れ性を向上させるメッキ層によって形成し、対象物及び放熱体３の一方又は両方をベースプレート２にハンダ付けし、対象物の熱がベースプレート２を介して放熱体３に伝導されて放熱されることにより、対象物が冷却される放熱構造であって、少なくとも亜鉛及びニッケルを前記メッキ層に含有させ、ニッケルのベースプレート２全体に占める重量比率が２．７２乃至２．９４％であり、亜鉛のベースプレート２全体に占める重量比率が０．１６乃至０．２４％である。 （もっと読む）

【課題】伝導冷却パッケージレーザーのパッケージ方法を提供して、半導体レーザー特性が製造工程における高熱に影響されることを低減し、且つ半導体レーザーが生じる脆化・破砕の状況を低減する。
【解決手段】伝導冷却パッケージレーザー２００のパッケージ方法及び構造であって、半導体レーザー素子２１０を第１のヒートスプレッダ２３０に溶接するステップと、アルミニウムニッケル多層薄膜複合材料２４０によって第１のヒートスプレッダ２３０を第２のヒートスプレッダ２５０に固定するステップとを含む。 （もっと読む）