【課題】構造が簡単なトランジスタにより、サステイン耐圧を改善し且つサステイン耐圧のばらつきの抑制及びトランジスタ形成後のドレイン抵抗及び接合プロファイルの調整が可能な、自由度が高い半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、ｐ型ウェル１０２に形成され、互いに並行に延びると共に、ゲート長方向の幅が比較的に大きい第１ゲート電極１２５と、ゲート長方向の幅が比較的に小さい第２ゲート電極１２６と、ｐ型ウェル１０２における第１ゲート電極１２５及び第２ゲート電極１２６同士の間に形成されたＬＤＤ低濃度領域１３５と、該ｐ型ウェル１０２における第１ゲート電極１２５及び第２ゲート電極１２６のそれぞれの外側に形成されたＬＤＤ中濃度領域１３４とを有している。ＬＤＤ低濃度領域１３５の不純物濃度は、ＬＤＤ中濃度領域１３４の不純物濃度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣまたはＬＳＩの標準電源電圧用のトランジスタ構成部分ないしはプロセス技術を活用して高電圧動作電界効果トランジスタを該ＩＣ中に作りこむ。
【解決手段】 電界効果トランジスタの動作電圧を大きくするために、ゲートにドレイン電位に応じて変化する電位分布を設ける手段をとる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ動作とＩＧＢＴ動作との切替りを高精度に検出でき、当該高精度検出により低損失駆動が可能である高耐圧半導体装置及びそれを備えた電流制御装置を提供する。
【解決手段】Ｐ^-型基板１の表面に形成されたＮ型のリサーフ領域５と、Ｐ型ベース領域１０と、Ｎ⁺型エミッタ／ソース領域１４と、ゲート絶縁膜７と、リサーフ領域５内に形成されたＮ⁺型ドレイン領域３２及びＰ型コレクタ領域３１と、ゲート絶縁膜７上に形成されたゲート電極９０と、Ｐ型コレクタ領域３１及びＮ⁺型ドレイン領域３２に電気接続されたコレクタ／ドレイン電極１１０と、Ｐ型ベース領域１０に電気接続されたバックゲート電極６２と、Ｎ⁺型エミッタ／ソース領域１４に電気接続されたエミッタ／ソース電極６１とを備え、Ｐ型コレクタ領域３１及びＮ⁺型ドレイン領域３２は交互に接触するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ低抵抗の半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成され、該半導体層の表面方向における幅が該半導体層の表面と垂直方向における高さ以上である櫛歯状の電極と、を備える。また、基板上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層上に、前記半導体層の表面方向における幅が該半導体層の表面と垂直方向における高さ以上である櫛歯状の電極を形成する電極形成工程と、を含む。 （もっと読む）

半導体プロセス及び結果として得られるトランジスタであって、このプロセスでは、取り出し導電スペーサ（１４６，１５０）をゲート電極（１１６）の各側に形成する。取り出し導電部（１４６，１５０）及びゲート電極１１６を個別にドープして、これらの構造の各々がｎ型またはｐ型になるようにする。ソース／ドレイン領域（１５６）は、ソース／ドレイン領域がスペーサ（１４６，１５０）のいずれかの側に横方向に配置されるようにイオン注入により形成される。スペーサ（１４６，１５０）には、第１注入角のイオン注入（１３２）を使用して第１取り出しスペーサ（１４６）に不純物をドープし、そして第２注入角のイオン注入（１４０）を使用して第２取り出しスペーサ（１５０）に不純物をドープすることにより個別に不純物をドープすることができる。一実施形態では、異なる不純物のドーピングが行われる取り出しスペーサ（１４６，１５０）を使用することにより、しきい値調整用のチャネルイオン注入を行なう必要を無くすことができる。
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【課題】電力用デバイスにおいて双方向に電圧をブロックできるようにする。
【解決手段】大電流を搬送するチャンネルを得るＡｌＧａＮ／ＧａＮインターフェースを備えたIII族窒化物双方向スイッチであり、この双方向スイッチは、この双方向スイッチのために、電流を搬送するチャンネルを形成するための二次元電子ガスの発生を阻止したり、または可能にする少なくとも１つのゲートにより作動する。 （もっと読む）

ＩＩＩ族窒化物スイッチは、凹型のゲートコンタクトを含み、ノミナリーオフの、すなわち、エンハンスメント型のデバイスを提供する。凹型のゲートコンタクトを提供することにより、ゲート電極が不活性状態である場合には、２つのＩＩＩ族窒化物材料の界面に形成された伝導チャンネルが遮断され、デバイス中の電流の流れを防止する。ゲート電極は、ショットキコンタクト又は絶縁金属コンタクトである可能性がある。２つのゲート電極が提供され、ノミナリーオフ特性の双方向スイッチを形成することが可能である。ゲート電極と共に形成された凹部は、傾斜した側壁を持つ可能性がある。デバイスの電流伝達電極に関連して、多くの形状にてゲート電極を形成することが可能である。
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電源制御装置システム（２５）は、電源制御装置システム（２５）のスタートアップ動作を制御するために２つの別個の電流を使用する。２つの電流は、電源制御装置システム（２５）の動作を抑止するために接地に分流され、２つの電流のうちの１つは電力消散を最小限にするためにディセーブルにされる。２つの独立した制御電流は、２つの別個の制御信号（２３、２４）に応答して、マルチ出力電流高電圧装置（１２）によって生成される。
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