【解決手段】半導体上に反応ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む第１の絶縁層が形成された電界効果型トランジスタの上記第１の絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機分子で構成された第１の有機単分子膜を形成し、該第１の有機単分子膜に塩基数３〜３５の短鎖プローブＤＮＡを上記反応性官能基を介して、直接又は架橋分子を介して結合させてなる、プローブＤＮＡ／有機単分子膜／絶縁層／半導体構造を検出部として備える半導体ＤＮＡセンシングデバイス。
【効果】本発明の半導体ＤＮＡセンシングデバイスは、オンチップでの高感度マイクロマルチＤＮＡセンシングデバイスとして非常に効果的な半導体デバイスであり、これを用いた集積化デバイスは、一塩基多型等のミスマッチ配列のＤＮＡ解析を高精度に可能とするセンシング特性を有するものであり、高度な医療の提供・テーラーメード医療に有効である。 （もっと読む）

【課題】薄いニッケル膜を用いてシリコンゲルマニウム層をシリサイド化する場合であっても、シート抵抗の上昇や接合リーク電流の増加を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板３４上にゲート電極５４ｐを形成する工程と、ゲート電極の両側の半導体基板内にソース／ドレイン拡散層６４ｐを形成する工程と、ソース／ドレイン拡散層にシリコンゲルマニウム層１００ｂを埋め込む工程と、シリコンゲルマニウム層の上部にアモルファス層１０１を形成する工程と、アモルファス層上にニッケル膜６６を形成する工程と、熱処理を行い、ニッケル膜とアモルファス層とを反応させることにより、シリコンゲルマニウム層上にシリサイド膜１０２ｂを形成する工程とを有している。 （もっと読む）

半導体装置（１００）を形成する方法は、第一領域（１０４）を備える半導体基板と、第一領域上にゲート誘電体（１０８）を形成するステップと、ゲート誘電体上に導電性金属酸化物（１１０）を形成するステップと、導電性金属酸化物上に耐酸化バリア層（１１１）を形成するステップと、耐酸化バリア層上にキャッピング層（１１６）を形成するステップとを含む。一実施形態において、導電性金属酸化物はＩｒＯ_２，ＭｏＯ_２及びＲｕＯ_２であり、耐酸化バリア層はＴｉＮを含む。
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【課題】 本発明は、ゲート電極の空乏化を抑制すると共に、シリサイドの高抵抗化を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ゲート絶縁膜上に、所定の半導体材料とゲルマニウムとを含む膜を形成するステップと、膜を酸化することにより、ゲート絶縁膜上に、当該膜よりもゲルマニウム濃度が高くかつ膜厚が薄い第１の膜を形成すると共に、第１の膜上に酸化膜を形成するステップと、酸化膜を除去するステップと、第１の膜上に、半導体材料を含み、第１の膜よりもゲルマニウム濃度が低い第２の膜を形成するステップと、第２の膜及び第１の膜にエッチングを行うことにより、ゲート電極を形成するステップとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）