【課題】単結晶シリコン層の製造方法、及びこれを利用した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にシリコン窒化物層を形成する段階と；前記シリコン窒化物層上に絶縁層を形成する段階と；前記絶縁層中にホールを形成する段階と；選択的堆積過程により、前記ホール内の前記シリコン窒化物層の露出部上に第１シリコン層を堆積する段階と；前記絶縁層と前記ホール内に形成される第１シリコン層との上に第２シリコン層を堆積する段階と；前記第２シリコン層を熱処理により結晶化して単結晶シリコン層とする段階と、を含むことを特徴とする単結晶シリコン層の形成方法である。前記方法により、高品質の単結晶シリコン層を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガラスまたはポリマー基板上にコーティングされた非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を低温結晶化（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｐｏｌｙ-ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｉｌｉｃｏｎ）する過程で再現性及び安定性を確保することができるシリコン低温結晶化のための金属触媒ドーピング装置及びドーピング方法を開示する。
【解決手段】本発明は、チェンバ、前記チェンバ内に設置されて、基板が安着して移送可能に配置されるヒーター、前記ヒーターと同一な平面上に配置される対向電極板、前記チェンバに設置されて、線形的に移動する線形駆動部、前記線形駆動部によって線形的に移動するスパッタガンを含み、前記スパッタガンは、前記線形駆動部に結合される負極電極、前記対向電極板と対向する方向に配置される負極電極板を含む。 （もっと読む）

【課題】 結晶性をより向上させることのできる結晶質半導体材料の製造方法およびそれを利用した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて非晶質膜１４に対して一様に１５０回のパルス（エネルギービームＥ₁）照射を行う。このときの温度は、非晶質膜１４において、基板１１の垂直方向に対して｛１００｝面方位を有するシリコンの結晶粒が部分的に溶融すると共に、シリコンの非晶質または｛１００｝以外の面方位を有する結晶粒が溶融するものである。シリコン酸化膜１３と液相シリコンの間で｛１００｝面方位を有する結晶が新たに発生し、この発生したシリコンの結晶が確率的に結合し｛１００｝面方位を有する結晶粒が新たに形成されることが繰り返される。基板１１の垂直方向に対して｛１００｝面方位に優先配向され、シャープな粒界を有する正方形状の結晶質膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族半導体多結晶の低温成長において、結晶性に優れ、かつ結晶粒径や配向性を制御した高品質のＩＶ族半導体多結晶の成長を可能にする半導体基材の製造方法及び得られた半導体基材を提供する。
【解決手段】ＩＶ族半導体の基材上への多結晶の低温成長において、ハロゲン化ゲルマニウムとシラン類との熱ＣＶＤ法を用いて、５５０℃以下の温度と１５ｔｏｒｒ以上の圧力で予め基材上にＩＶ族元素より成る結晶核を生成した後、これを核として利用し、従来のＩＶ族半導体の低温結晶成長技術により結晶成長を行うことにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ハロゲン化アルミニウム、より好ましくは、塩化アルミニウム(AlCl₃)と異種金属又はこれらの金属化合物とを含む混合雰囲気の低温条件で非晶質シリコン薄膜を結晶化することによって、経済的且つ効率的に多結晶シリコン薄膜を製造することを目的とする。
【解決手段】 本発明の多結晶シリコン薄膜の製造方法は、基板上に形成された非晶質シリコン薄膜をハロゲン化アルミニウムと異種金属又はこれらの金属化合物を99:1〜1:99の比で混合された雰囲気下、400℃〜600℃の温度で熱処理する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体被覆層による半導体層の被覆性を向上することができ、リーク電流の低減による特性向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板被覆層、半導体層及び半導体被覆層をこの順に基板上に備える半導体装置の製造方法であって、上記製造方法は、基板被覆層の少なくとも表層部が半導体層の外縁領域でサイドエッチングされる処理工程と、半導体層の少なくとも外縁部にエネルギー照射を施す工程とを有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】従来方法に比べ格段に粒径の大きな多結晶シリコン薄膜を形成して、性能の向上した電子回路装置を構成できる薄膜半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】異種基板０１、０９上に非晶質シリコン薄膜０４ａ、１１ａを所望の膜厚以上に形成し、連続波レーザ光０６、１３を照射し走査を行なうことによって多結晶シリコン薄膜０４ｂ、１１ｂを形成し、その後、所望の膜厚まで薄くし、多結晶シリコン薄膜０４ｂ’、１１ｂ’を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも厚膜でクラックのない多結晶シリコン膜をガラス基板等の異種基板上に作製した薄膜半導体装置を得ること。
【解決手段】ガラス基板上に直接形成された多結晶シリコン膜において、その平均結晶粒面積が８０平方μｍ以上である薄膜半導体装置である。これは非晶質シリコン膜にレーザ光を走査して多結晶シリコンとする際、レーザ光強度の弱い領域１３で照射した後、レーザ光強度の強い領域１４で照射することで得られる。 （もっと読む）

【課題】クラックを生じさせることなく、レーザアニールで厚膜の多結晶シリコン膜をガラス基板等の異種基板上に作製することを可能とする。
【解決手段】ガラス等の異種基板０１上に形成されたシリコンを主成分とする膜０３にレーザ光１２を走査させることで熱処理を行い、該シリコンを主成分とする膜０３を融解、結晶化０３ａを行う薄膜半導体装置の製造方法において、上記レーザ光１２として、走査方向に対して２つの領域１３、１４からなり、一つの領域１４はレーザ光強度が強く、もう一つの領域１３はレーザ光強度が弱く、且つレーザ光強度の強い領域１４は、もう一つのレーザ光強度が弱い領域１３よりも走査方向に向かってその長さが短く、且つレーザ光走査した際、レーザ光強度の弱い領域１３が照射された後、レーザ光強度の強い領域１４が照射される順に並んだものを用いる。 （もっと読む）

【課題】水素を含む非単結晶シリコン膜にレーザ照射をすることで多結晶シリコン膜を形成するに際し、水素の突沸に起因するアブレーションを起こさせずに、厚膜（〜数μｍ）をレーザアニールにより結晶化することのできる薄膜半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】水素を含み、且つその水素含有量が１％以下である非単結晶シリコン膜０３にレーザ光０５を照射するか、又は、水素を含む非単結晶シリコン膜０３ａに熱処理を施して水素含有量を１％以下に低減した非単結晶シリコン膜０３にレーザ光０５を照射することで多結晶シリコン膜０４を形成する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えず、小さな面積の被剥離層だけでなく、大きな面積の被剥離層も歩留まりが良好な剥離方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の材料を含む第１の層を形成する工程と、第１の層上に第２の材料を含む第２の層を形成する工程と、第２の層上に被剥離層を形成する工程と、加熱処理またはレーザー光の照射を行って、第２の層の圧縮応力を用いることにより、基板と被剥離層とを分離する工程とを含む。第１の材料は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ及びＰｔから選択された１つ又は複数である。第２の材料は、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンである。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。また、被剥離層の形成において、熱処理温度、基板の種類等の限定を受けない剥離方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属層を形成し、前記金属層上に酸化物層を形成し、前記酸化物層上に被剥離層を形成し、前記被剥離層を前記金属層が設けられた基板から前記酸化物層の層内または界面において物理的手段により剥離する。 （もっと読む）

【課題】また、ＣＷレーザまたは擬似ＣＷレーザを用いてレーザアニールを行った場合、エキシマレーザを用いた場合に比べ生産性が悪く、更なる生産性の向上が必要である。
【解決手段】レーザ光を非線形光学素子に通すことなく基本波のままとし、高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を半導体薄膜に照射してレーザアニールを行うことを特徴とする。非線形光学素子を用いず、且つ、高調波に変換しないため、大きな出力を有するレーザ発振器をレーザアニール法に用いることが可能となる。従って、一度の走査で形成される大粒径結晶の領域の幅を拡大することができるため、格段に生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 基板上に、成長の核となる微結晶を作製し、その粒径と密度を制御し、大粒径多結晶Si薄膜を作製できるGe微結晶核付き基板の作製方法及びGe微結晶核付き基板を提供する。
【解決手段】 電子工業用ガラス基板、石英ガラス基板、熱酸化したSiウェーハ又はSiO₂膜付き基板の上に固相成長法により島状に独立したGe微結晶を形成し、次いで酸素エッチングによってGe微結晶の粒径と密度とを、３００〜６００℃の範囲のエッチング温度とエッチング時間とで制御する。前記基板の上に粒径が１〜４０ｎｍのGe微結晶を、密度が１×１０⁵〜１×１０⁷個／ｃｍ²となるように分散配置した。 （もっと読む）

本発明は、半導体層の再結晶化及びドーピングを同時に行うための方法、詳細には結晶性シリコン薄層太陽電池を製造するための方法に関する。この方法では、第１の工程において、基板ベース層１が形成され、それに続く工程において、その基板ベース層上に、少なくとも１つのドープされた部分層を有する中間層構造２が堆積され、それに続く工程において、中間層構造２上に、ドープされないか、又は同様にドープされる吸収体層３が堆積され、再結晶化工程において、吸収体層３が加熱され、溶融され、冷却され、焼き戻される。有利な方法の変更形態では、ドープされないキャッピング層の代わりに、少なくとも１つの部分層を有するキャッピング層構造４を、吸収体層３の上に被着被着することもできる。 （もっと読む）

【課題】 良質のｐｏｌｙ−Ｓｉの製造及びそれを利用する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１に形成されたａ−Ｓｉ膜３に中性イオンを注入した後、熱処理による多結晶化を行うｐｏｌｙ−Ｓｉ（多結晶シリコン）、多結晶シリコン層を含んだ半導体素子、及び多結晶シリコン活性層上に形成されたゲート絶縁層上に形成されるゲートを備えたＴＦＴの製造方法であって、熱処理時に高エネルギーであるａ−Ｓｉを多結晶化でき、一方では、熱に弱いプラスチック等にも良質のｐｏｌｙ−Ｓｉを形成でき、シリコン及びガラスのように熱に強い基板、またはプラスチックのように熱に弱い基板に良質の多結晶を形成できる。 （もっと読む）

結晶質または多結晶質層を形成する方法は、基板と基板上のパターンを提供する工程を有してなる。本方法は、核形成材料を提供し、核形成材料上に結晶質層を形成する各工程も含む。基板上に堆積された結晶質材料は、単結晶質であっても多結晶質であってもよい。
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後に絶縁層およびシリコン薄膜が形成される基板中のシリコン薄膜の焼鈍方法が開示される。本方法は、基板が処理中に変態しない温度範囲内でシリコン薄膜を加熱または予備加熱して、そこに内因性キャリヤを生成させることにより、抵抗をジュール加熱が可能な値に低下する工程；および予備加熱されたシリコン薄膜に電界を印加して、ジュール加熱をキャリヤの移動によって引き起こすことにより、結晶化を行い、結晶欠陥を排除し、結晶成長を確実にする工程を含む。本方法を用いると、予備加熱条件に従って、ａ−Ｓｉ薄膜、ａ−Ｓｉ／ポリ−Ｓｉ薄膜またはポリ−Ｓｉ薄膜にジュール加熱が選択的に引き起こされ、それによって良好な品質のポリ−Ｓｉ薄膜が、非常に短時間に、基板を損傷することなく作製される。 （もっと読む）