【課題】半導体基板を分割し、かつ当該半導体基板から分離した半導体層をガラス基板など耐熱温度が低い基板に接合させることで、ＳＯＩ基板を作製する。また、分離後の半導体基板の再生処理を行う。
【解決手段】ガラス基板などのベース基板に、単結晶半導体層を接合するために、接合層に、有機シランを原材料としてＣＶＤ法で成膜した酸化シリコン膜を用いる。ガラス基板等の耐熱温度が７００℃以下の基板であっても接合部の結合力が強固なＳＯＩ基板を形成することができる。また、半導体層が分離された単結晶半導体基板にレーザ光を照射して、当該半導体層の分離面を平坦化することで、再利用を可能とする。 （もっと読む）

【課題】低コスト、高発電効率、軽量であって一般家庭用途への適用が容易であり、しかもパネルの基材に樹脂材料を使用することもできる太陽電池パネルの製造方法及び薄膜シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】この太陽電池パネル１の製造方法は、基材２上に直接又はバッファ３層を介して第１〜第３非晶質膜４，７，８を製膜する工程と、製膜工程を繰り返して第２非晶質膜７を積層する工程と、第１非晶質薄膜４に金属１１をドープする工程と、金属１１ドープ後の第１非晶質膜４をアニール処理して金属１１を核とする多結晶又は準単結晶部１１ａを生成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】低純度シリコンを用いて高純度の多結晶シリコン膜を基板上に形成する。
【解決手段】まず、アルミニウム膜１２を石英基板１０上に形成し、次いで低純度シリコンを蒸発源として非晶質シリコン膜１４をアルミニウム膜１２の上に形成することにより、積層基板１６を得る。続いて、積層基板１６を５２５℃で１９時間加熱することにより、アルミニウム膜１２と非晶質シリコン膜１４とが固溶・拡散して非晶質シリコン膜１４中のシリコンが石英基板１０上に結晶化しつつアルミニウム膜１２が該結晶化したシリコンより表面側に移動するようにする。このとき、アルミニウムは、低純度シリコンに含まれる不純物（鉄など）の固溶限界濃度がシリコンよりも大きい金属であるため、不純物はアルミニウム膜１２に集積され、多結晶シリコン膜１８は高純度となる。 （もっと読む）

【課題】画素部や駆動回路の要求に合わせてＴＦＴの構造を最適化しようとす
ると製造工程が複雑となってしまう。また、触媒元素を添加して結晶質半導体膜
を形成した場合、触媒元素の濃度を十分に低減しないでＴＦＴを形成するとオフ
電流が突発的に上がってしまう等の問題がある。
【解決手段】第１のｎチャネル型ＴＦＴの半導体層はゲート電極の外側に設け
られた第１の不純物領域及び第２の不純物領域を有し、第２のｎチャネル型ＴＦ
Ｔの半導体層はゲート電極と一部が重なるように設けられ、かつ、ゲート電極の
外側に設けられた第３の不純物領域を有し、ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層はゲ
ート電極と一部が重なるように設けられた第４の不純物領域、ゲート電極の外側
に設けられた第５の不純物領域を有する半導体装置であり、触媒元素を用いて形
成された結晶質シリコン膜からバリア層を介して希ガス元素を含む半導体膜に触
媒元素を移動させる。 （もっと読む）

【課題】精度良く、かつ短時間に、半導体薄膜の結晶化率を測定する方法を提供する。
【解決手段】基体上に形成された半導体薄膜に、半導体薄膜と基体との間に光学的干渉共鳴を起こす波長を含む光Ｌ２を照射し、光の透過光Ｌ３の光強度、或いは、光の反射光の光強度を、測定することにより、半導体薄膜の結晶化率を測定する。 （もっと読む）

【課題】本発明はより剥がれやすく、製造工程におけるコストをより低減可能な剥離方法を提供する。
【解決手段】本発明の剥離方法は、基板上（１００）に剥離層（１２０）を介して存在する被剥離物（１４０）を上記基板から剥離する方法であって、上記剥離層（１２０）の全部又は一部をシリサイド層によって形成し、上記剥離層に光を照射して上記基板と上記被剥離物の間に剥離を生ぜしめることを特徴する。シリサイド層としては遷移金属シリサイドが望ましい。 （もっと読む）

【課題】歪点の低いガラス（歪点：約６５０℃）を用いて、ガラス基板上のアモルファスシリコン膜を多結晶シリコン化することができ、かつガラス基板の軟化による変形を回避し、多結晶シリコン化のための処理時間を大幅に短縮でき、生産性を大幅に高めることができるガラス基板の熱処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１の歪点よりも高い温度で上面が所望の平面度を保持する耐熱支持板１０上にガラス基板の下面を接触させて水平に載せ、歪点よりも高い温度で熱処理して、ガラス基板上のアモルファスシリコン膜を多結晶シリコン化する。 （もっと読む）

【課題】 生産性の高い複合処理を行う。
【解決手段】 一方向に長いフィルム状基板を、フィルム状基板の長さ方向に搬送する搬送装置と、フィルム状基板上に、成膜を行う成膜装置と、成膜装置で成膜が行われ、搬送装置で搬送されたフィルム状基板にレーザビームを入射させて、フィルム状基板上に成膜された膜のアニールを行う第１のレーザ処理装置と、第１のレーザ処理装置でアニールが行われ、搬送装置で搬送されたフィルム状基板にレーザビームを入射させて、フィルム状基板上に成膜された膜の一部を除去する第２のレーザ処理装置とを有する複合処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】熱プラズマジェット結晶化技術を更に改良し、従来よりも更に均一性を高めて半導体膜の結晶化を行うこと。
【解決手段】基板(106)上に半導体膜(104)を形成する第１工程と、熱プラズマ(103)を、上記半導体膜の表面と平行な第１軸に沿って移動させながら上記半導体膜に当てる第２工程と、上記熱プラズマを、当該熱プラズマの噴出孔(107)の直径Φの１０％以下の距離ｄだけ上記第１軸と直交する第２軸方向にずらす第３工程と、上記熱プラズマを、上記第１軸に沿って移動させながら上記半導体膜に当てる第４工程と、を含む、半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）

少なくとも１つの未完成表面に、レーザアニールプロセスを施すことを含むセミコンダクタ・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）構造のシステム、方法および製品。ＳＯＩ構造の製造には、さらに、ドナー半導体ウェハの注入表面にイオン注入プロセスを施して、ドナー半導体ウェハに剥離層を作成し、剥離層の注入表面を、絶縁基板に接合し、剥離層を、ドナー半導体ウェハから分離して、少なくとも１つの劈開面を露出し、少なくとも１つの劈開面に、レーザアニールプロセスを施す各工程を有してなる。
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【課題】Ｓｉ薄膜の結晶性、特に結晶配向性を向上できる新規な結晶性Ｓｉ薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、実質的に酸化ケイ素からなる薄膜で挟まれている、実質的にケイ素からなるアモルファス性薄膜を、ゾーンメルティング法によって溶融した後に冷却して、アモルファス性薄膜を結晶性薄膜に変換する溶融冷却工程と、溶融冷却工程に先立って、アモルファス性薄膜及び／又は酸化ケイ素からなる薄膜の膜厚を、結晶性薄膜の結晶配向性が向上するように調整するケイ素膜厚調整工程とを有する結晶性ケイ素薄膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型ドーパントとしてガリウムを使用し、安定して高効率に結晶化するとともに高い結晶性を持った多結晶シリコンからなる結晶シリコン粒子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 酸素ガスおよび／または窒素ガスから成る反応性ガスを含む雰囲気ガス中で、所定量のガリウムをドープされた結晶シリコン粒子１０６を加熱してその表面に前記反応性ガスの成分を含む珪素化合物層を形成し、次に前記結晶シリコン粒子１０６を加熱して前記珪素化合物層よりも内部側を溶融させた後降温し凝固させて単結晶化して、結晶シリコン粒子１０６を製造する。 （もっと読む）

【課題】β−ＦｅＳｉ_２結晶を主相として含有し、デバイス材料への幅広い応用が可能となる新規な薄膜を提供する。
【解決手段】β型鉄シリサイド結晶を主相として含有し、更にＣｕを含有する薄膜。 （もっと読む）

【課題】触媒材料によるシリコン結晶化の長所を生かすとともに、光電変換特性の優れた太陽電池を提供する。
【解決手段】基板上に形成された、第１の結晶性シリコン膜と、第１の結晶性シリコン膜上に形成されたリンを含有する第２の結晶性シリコン膜と、を有する太陽電池であって、第２の結晶性シリコン膜には、第１の結晶性シリコン膜の結晶化を促進する元素が含まれている。また、第１の結晶性シリコン膜にはボロンが含まれていても良い。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族半導体多結晶の低温成長において、結晶性に優れ、かつ結晶粒径や配向性を制御した高品質のＩＶ族半導体多結晶の成長を可能にする半導体基材の製造方法及び得られた半導体基材を提供する。
【解決手段】５５０℃以下の温度でハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱ＣＶＤ法を用いて、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材上にＳｉＧｅあるいはＧｅの結晶核を形成し、該結晶核上に気相堆積法でＳｉ多結晶膜を形成する半導体基材の製造方法により、上記課題を解決する。また、本発明の半導体基材は、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材と、該基材上にハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱ＣＶＤ法で形成されたＳｉＧｅあるいはＧｅの結晶核と、該結晶核上に気相堆積法で形成されたＳｉ多結晶膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】 比較的耐熱性の低いガラス基板上やプラスチック基板上に、可視光に対する透過性が高いｐ型の透明酸化物を成膜した半導体接合を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板またはプラスチック基板上にp型の透明酸化物薄膜としてCuCrO₂を400℃未満で成膜したことを特徴とする半導体接合であり、さらに、上記CuCrO₂のCrの一部を二価の陽イオンであるM=Mg、Ca、Be、Sr、Ba、Zn、Cd、Fe、Niのいずれか一種類以上と元素置換したCu(Cr,M)O₂を用いたことを特徴とする半導体接合である。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ安全な工程で、水素が注入された結晶質半導体粒子を製造することができる結晶質半導体粒子の製造方法、および該製造方法により製造された結晶質半導体粒子が使用され、高い光電変換効率を有する光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】結晶質シリコン粒子３の材料であるシリコン融液１１を粒状に排出して、落下させるとともに、該落下中にシリコン融液１１を冷却させて凝固させることにより結晶質シリコン粒子３を製造する。この際、シリコン融液１１を、水素化合物を含有する雰囲気中で落下させるとともに、該落下中にシリコン融液１１を冷却させて凝固させる。従って、簡素かつ安全な工程で、結晶中のダングリングボンドに水素が結合され、結晶欠陥が不活性化された結晶質シリコン粒子３を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な微結晶シリコン膜、並びに、それを用いた薄膜トランジスタ等の半導体装置及び光電変換装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る微結晶シリコン膜は、５×１０^１６ｃｍ^−３以上、５×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の金属元素を含み、かつ、ラマン分光法により５２０ｃｍ^−１と４８０ｃｍ^−１の２つのピークを示すことを特徴とする。ここで、前記金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種又は複数種類の元素が望ましい。また、前記２つのピーク強度比は、１０：１程度であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】ラインビームとしてレーザ光を整形するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】膜と相互作用するようにレーザビームを整形して均一化するためのシステム及び方法。整形及び均一化システムは、レンズアレイと、レンズアレイからレーザ光を受け、レンズアレイ内の各レンズに関して平面内にそれぞれの細長い像を生成するように位置決めされたレンズとを含むことができる。更に、システムは、平面内に位置決めされた縁部を有するビームストップと、細長い像の１つとビームストップ縁部との間のアラインメントを変えるためにレンズアレイのレンズを回転させる可動マウントとを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 不純物濃度のばらつきの少ない不純物ドープ多結晶半導体層を絶縁基板上に有する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 不純物を含有する多結晶半導体層を絶縁表面上に有する半導体基板の製造方法であって、上記製造方法は、上記多結晶半導体層よりも高濃度の不純物ドープ非晶質半導体層を形成する工程と、上記多結晶半導体層よりも低濃度の不純物ドープ非晶質半導体層又は不純物非ドープ非晶質半導体層を形成する工程と、非晶質半導体層を結晶化する工程とを含む半導体基板の製造方法である。 （もっと読む）