多結晶層の製造方法において、基材（１）上に一連の層を堆積し、前記一連の層は、非晶質初期層（４）、金属活性層（２）および初期層（４、１０）と活性層（２、１１）との間に堆積された中間層（３）を含む。中間層（３）をチタンをベースとして製造する。活性層（２）に位置する多結晶最終層を製造するために一連の層を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜の成膜性を向上させることができる前駆体液およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板の上部にシリコンの前駆体液を配置する工程と、前記シリコンの前駆体液に熱処理を施すことによりシリコン膜を形成する工程と、を有し、前記シリコンの前駆体液は、高次シランを含む環状飽和炭化水素化合物の溶液である。このように、環状飽和炭化水素化合物を溶媒として用いることにより高次シラン（例えば、平均分子量が２６００を超えるポリシラン化合物）を溶解させることができ、前駆体液の均一性を向上させることができる。よって、形成されるシリコン膜の成膜性を向上させることができる。また、高次シランを用いることで、膜材料の揮発を低減でき、装置の生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

半導体材料を処理するための方法が開示される。開示される方法において、結晶構造を有する半導体材料が提供され、半導体材料の少なくとも一部分が熱源にさらされてメルトプールが形成され、次いで半導体材料が冷却される。この方法で処理された半導体材料も開示される。
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【課題】限りある資源を有効活用しつつ、優れた光電変換特性を有する光電変換装置を安全に提供することを課題の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、且つ単結晶半導体基板の一表面上に第１の不純物半導体層、第１の電極、及び絶縁層を形成し、絶縁層と支持基板を密着させて単結晶半導体基板と支持基板を貼り合わせた後、脆化層において単結晶半導体基板を分離させて第１の単結晶半導体層を有する積層体を形成し、第１の単結晶半導体層上に第１の半導体層及び第２の半導体層を形成し、固相成長により、第１の半導体層及び第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の単結晶半導体層を形成し、第２の単結晶半導体層上に、第１の不純物半導体層とは逆の導電型の第２の不純物半導体層を形成し、第２の不純物半導体層上に第２の電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上の膜を効率よく加熱することができる加熱装置を提供する。
【解決手段】高温ガスを絞ってビーム状にして基板に垂直に入射させると停滞層が出来ない、または、薄いので効率よくガスの温度を基板に伝えられる。この現象を別の言い方をすると基板の温度は垂直に入射する高温ガスに対してよく伝わる。この原理を用いて、ガスを急速に効率よく加熱するガス加熱装置である。支持台２６上に載置されたガラス基板２４の表面２５に、このガラス基板の軟化点温度よりも高い単一の高温ガスビームを垂直に吹き付けて高温に加熱する。 （もっと読む）

【課題】
新たな結晶構造をもったＢＮ薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】
ＢＮ薄膜は、Ｓｐ^３−結合性６Ｈ−ＢＮとｓｐ^３−結合性１０Ｈ−ＢＮを含有することを特徴とするものであり、その製造方法は、ｓｐ^３−結合性ＢＮ高密度相を有するＢＮ薄膜の製造方法であって、基材上に形成したアモルファスＢＮ薄膜（又は、sp2結合性BN薄膜）にレーザ照射して、相変化を生じさせ、照射箇所に高密度相を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜を薄膜化させた場合においても良好な光閉じこめ効果を有する凹凸構造を形成し、光吸収損失の低減および信頼性の高い薄膜太陽電池およびその製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明における薄膜太陽電池２０の製造方法は、（a）透明絶縁基板１を準備する工程と、（b）透明絶縁基板１の表面に凹凸構造を形成する工程と、（c）透明絶縁基板１上に透明電極層４を形成する工程と、（d）透明電極層４上に光電変換層１２を形成する工程と、（e）光電変換層１２上に裏面電極層８を形成する工程と、を備え、工程（b）は、（f）透明絶縁基板１上に非晶質膜２を形成する工程と、（g）非晶質膜２にレーザ照射を行い、結晶化された結晶質膜３を形成する工程と、（h）結晶質膜３にエッチングを行い、結晶質膜３を除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

結晶膜を作製する方法は、選択された結晶表面配向のシード粒を含む膜を基板上に設けるステップと、混合液／固相が得られる条件下で、前記膜のパルス溶融が得られるように、パルス光源を用いて前記膜を照射するステップと、前記選択された表面配向を有するテクスチャ多結晶層が得られる条件下で、前記混合固／液相を凝固させるステップとを含む。１つ以上の照射処理が用いられ得る。前記膜は、太陽電池内での使用に適している。
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ＺＭＲ装置は、制御された温度のフローをシステム中に供給して、所望の結晶成長特性を与えながら、エネルギー消費を低下させる。装置は、冷却システムを含み、溶融した膜から所望量の熱を特に取り除いて、結晶化を促進することができる。さらに、装置は、チャンバー内でバックグラウンド温度を形成する加熱された壁を含むことができ、バックグラウンド温度は、チャンバー壁の冷却を減らすまたは無くすことにより、エネルギーの使用量を減らす。装置およびそれに対応する方法は、下側の基板に対して断熱を与える多孔性剥離層と直接的または間接的に結合した無機膜とともに、用いることができる。再結晶化された膜を基板から取りはずす場合、基板は再利用され得る。方法は、大きな表面積を有する、厚さが２ミクロン乃至１００ミクロンのシリコン膜に関して使用することができ、そのような膜は、光電用途および電子用途に適している。
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【課題】限りある資源を有効活用しつつ、優れた光電変換特性を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面から１０００ｎｍ未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ単結晶半導体基板の一表面側に第１不純物半導体層、第１電極を形成する。第１電極と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、脆化層又は当該脆化層の近傍を分離面として単結晶半導体基板を分離させることにより、支持基板上に第１単結晶半導体層を形成する。第１単結晶半導体層の分離面上に非晶質半導体層を形成し、熱処理を行い、非晶質半導体層を固相成長させて第２単結晶半導体層を形成する。第２単結晶半導体層上に、第１不純物半導体層とは逆の導電型の第２不純物半導体層を形成し、第２不純物半導体層上に第２電極を形成する。 （もっと読む）

開示される内容は、エピタキシャルに配向された結晶性厚膜を生成するための、薄膜のレーザー結晶化の利用に関する。１つ以上の実施形態において、厚い結晶性膜を調製する方法は、結晶化のための膜を基板上に提供する工程であって、前記基板の少なくとも一部はレーザー照射に対して実質的に透過性であり、前記膜は、支配的な表面結晶配向性を有するシード層と、前記シード層の上方に配置された最上層とを含む、工程と、パルス状レーザーを用いて前記膜を前記基板の後側から照射して、前記最上層の第２の部位が固形のままの状態で、前記最上層の第１の部位を前記シード層との界面において溶融させる工程と、前記最上層の前記第１の部位を再度固化させて、前記シード層とエピタキシャルな結晶性レーザーを形成して、これにより、熱を解放して前記最上層の隣接部位を溶融する工程とを含む。
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基板を処理する方法の様々な例が開示される。特定の実施形態において、この方法は、チャンバ内のプラテン上に、上面および下面を有する基板を配置する工程と、複数の荷電粒子を含むプラズマであって、基板の上面の表面積と等しいかまたは大きい断面積を有するプラズマを、基板の上面上に発生させる工程と、荷電粒子を基板の上面の方に引き付けるよう、第１バイアス電圧を前記基板に印加する工程と、荷電粒子を、基板の上面全体の下方に延在する領域に導入する工程と、同時に、領域において、非晶質相から結晶相への第１相変態を開始する工程とを具えることを特徴とする。
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基板を処理する方法の様々な例が開示される。特定の実施形態において、この方法は、複数の粒子を含む連続粒子ビームを発生させること、およびこの連続粒子ビームを、非晶相である基板の領域に導入して、領域を非晶相から結晶相に変換することを含み、前記連続粒子ビームは、5×10¹⁴個/cm²・秒またはそれを超える電流密度を有するものとすることができる。
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基板を加工するための方法のいくつかの例を開示する。特定の具体化において、この方法は以下、すなわち、基板の第1の領域に対して、第1の領域において粒界をもつ少なくとも１種の結晶が第2の領域で別の結晶を形成することなく形成されるように、複数の第1の粒子を導入することであり、第2の領域は第1の領域に隣接するもの、および第1の領域において形成された少なくとも1種の結晶の粒界を、複数の第1の粒子の導入の停止後に、第2の領域に延ばすことを含みうる。
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【課題】ＳＯＩ基板上にイオン注入法でＦｅ原子を導入し、表面にβ−ＦｅＳｉ_２層を有する光デバイス基板を製造するための最適の方法を提供すること。
【解決手段】ＳＯＩ基板の表面Ｓｉ層に鉄イオンを注入し、その後熱処理することによって、表面にβ−ＦｅＳｉ_２層を形成させることを特徴とする、表面にβ−ＦｅＳｉ_２層を有する光デバイス基板の製造方法。ＳＯＩ基板の表面Ｓｉ層への鉄イオンの注入量が、表面層のＦｅとＳｉの比が約１：２の組成比を満たす量であり、熱処理温度は、９００℃以上１１００℃未満で、処理時間は１分以上１０分未満であるのが好ましい。 （もっと読む）

多結晶シリコン太陽電池の製造方法が開示される。本発明の多結晶シリコン太陽電池は、非晶質シリコンを結晶化させて形成し、このとき、結晶化温度を下げるために金属触媒を使用する。本発明に係る太陽電池の製造方法は、（ａ）基板１００上に第１の非晶質シリコン層１３０ｐを形成するステップと、（ｂ）第１の非晶質シリコン層１３０ｐ上に第２の非晶質シリコン層１３０ｉを形成するステップと、（ｃ）第２の非晶質シリコン層１３０ｉ上に金属層１４０を形成するステップと、（ｄ）第２の非晶質シリコン層１３０ｉを結晶化アニーリング処理するステップと、（ｅ）前記（ｄ）ステップの前記結晶化アニーリング処理により結晶化されたシリコン層１３０ｉ上に第３の非晶質シリコン層１３０ｎを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

半導体コンポーネントは支持体を具備し、支持体の一面では少なくとも１つの半導体層が多結晶で構成されている。多結晶半導体層は結晶化シードを含んでいる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも一つの加熱すべき層(2)と副層(4)とを備えるウェハ(1)を、少なくとも一つの光束パルスの影響下で、加熱する方法であって、
前記加熱すべき層の温度が低温範囲(PBT)にある限り、前記加熱すべき層(2)による前記光束の吸収係数が低く、前記加熱すべき層の温度が、高温範囲(PHT)に入った時、前記吸収係数が大きく増加するように光束(7)、加熱すべき層(2)を選択する工程と、前記選択された波長における前記光束の前記吸収係数が、前記低温範囲(PBT)で高く、前記副層が前記光束にさらされた時に、前記温度が前記高温範囲(PHT)に入るように副層(4)を選択する工程と、前記光束(7)を前記ウェハ(1)に照射する工程を備える、方法に関する。
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【課題】樹脂基板上に形成された非単結晶膜からなる被アニール膜を短波長光を照射して得られる無機膜を備えた薄膜素子の製造方法において、基板に損傷を与えうる強度の短波長光を透過させうる被アニール膜を、樹脂基板を損傷させることなくアニールして良質な無機膜とする。
【解決手段】薄膜素子１は、樹脂材料を主成分とする基板１０を用意する工程（Ａ）と、基板１０上に熱バッファ層５０を形成する工程（Ｂ）と、熱バッファ層５０上に、短波長光Ｌが基板１０に到達する割合を低減させて短波長光Ｌによる基板１０の損傷を防止する光カット層２０を形成する工程（Ｃ）と、光カット層２０上に、基板１０に損傷を与えうる強度の短波長光Ｌを透過させる非単結晶膜からなる被アニール膜３０ａを形成する工程（Ｄ）と、被アニール膜３０ａ短波長光Ｌを照射することにより、被アニール膜３０ａをアニールして無機膜３０を形成する工程（Ｅ）とを実施して製造される。 （もっと読む）

【課題】変換効率の向上を図れる多結晶シリコン薄膜の製造方法、多結晶シリコン薄膜基板および多結晶シリコン薄膜型太陽電池を提供する。
【解決手段】半多結晶シリコン薄膜の製造方法は、ガラス基板１上にアモルファスシリコン層２を形成する工程と、アモルファスシリコン層２上にシリコンと共晶反応する金属からなるアルミニウム層３を形成する工程と、積層基板を加熱する工程とを備える。この加熱により、アモルファスシリコン層２のアモルファスシリコンがアルミニウム層３中に固溶するとともに結晶化し、多結晶シリコン層４が形成される。ガラス基板１の上にアルミニウム層３が形成され、アルミニウム層３の上に多結晶シリコン層４が形成された多結晶シリコン薄膜基板４０が得られる。 （もっと読む）