【課題】従来の点状のプラズマジェットによる非晶質薄膜の結晶化に比べて、より短時間で、均一な多結晶薄膜を得ることができる非晶質薄膜の結晶化装置及び結晶化方法、並びに薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。
【解決手段】非晶質薄膜２０を形成した絶縁基板２１を、前記非晶質薄膜２０が上向きになるように載置するためのステージ３０と、前記非晶質薄膜２０と対向する位置に設けられ、内部４０ａに所定のプラズマ発生ガス５０を導入してプラズマジェットを発生し、前記非晶質薄膜２０に対して照射したプラズマ照射領域を上から取り囲むトンネル状の被覆部材４０と、該被覆部材４０の頂部外面に被覆部材４０の長手方向に線状に接触した状態で配設される上側電極６０と、前記絶縁基板２１の下方であって、かつ前記上側電極６０と対向して配設される下側電極７０と、高周波電源８０とを具える。 （もっと読む）

【課題】ベース基板に固定された単結晶半導体層の結晶性が向上、および平坦性の向上したＳＯＩ基板および半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜を介して前記半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板に脆化領域を形成する工程と、前記半導体基板の表面とベース基板の表面とを対向させ、絶縁膜の表面と前記ベース基板の表面とを接合させる工程と、絶縁膜の表面と前記ベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、脆化領域において分離することにより、ベース基板上に絶縁膜を介して半導体層を形成する工程と、半導体層にエッチング処理を行う工程と、エッチング処理が行われた半導体層にレーザビームを照射する工程と、レーザビームが照射された半導体層にプラズマを照射する。 （もっと読む）

【課題】レーザー光を照射する場合において、十分な特性のＳＯＩ基板を得ることを目的の一とする。又は、レーザー光の照射条件に起因するＳＯＩ基板の特性のばらつきを低減することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射して単結晶半導体基板に脆化領域を形成し、絶縁層を介して単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせ、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成し、熱処理を施して、半導体層中の欠陥を低減させた後、半導体層にレーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜が分離された後の分離ボンド基板を、ＳＯＩ基板作製に用いることが可能な再生ボンド基板に再生する際に、分離ボンド基板の研磨工程を削減する方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】ＳＯＩ基板の作製工程と分離ボンド基板の再生処理工程からなるサイクルにおいて、エッジロールオフなどで基板周辺部の厚さが中央部より薄いボンド基板を用いてＳＯＩ基板を作製し、再生処理工程において低い研磨レートのＣＭＰ法による研磨で分離ボンド基板を、基板周辺部に凸部が形成された再生ボンド基板に再生する。凸部の高さは基板の中央部より低いので、再生ボンド基板を再びボンド基板として使用することができる。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の照射条件に起因する半導体装置の特性のばらつきを低減することを目的の一とする。又は、基板の熱収縮に起因する半導体装置の特性ばらつきを低減することを目的の一とする。
【解決手段】貼り合わせによりベース基板上に設けられた単結晶半導体層にレーザー光を照射した後、第１の熱処理を施してその特性を向上させ、単結晶半導体層に導電型を付与する不純物元素を添加した後、第１の熱処理の温度より低い温度で第２の熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の大きさばらつきを低減し、均質な半導体膜を提供することを目的の一とする。又は、均質な半導体膜を提供すると共に、低コスト化を図ることを目的の一とする。
【解決手段】非晶質半導体膜を形成したガラス基板を、結晶化に必要な温度以上の処理雰囲気内に導入することにより、処理雰囲気からの熱伝導による急速加熱を行って、非晶質半導体膜を結晶化させる。より具体的には、例えば、あらかじめ処理雰囲気の温度を結晶化に必要な温度まで上昇させた後、半導体膜が形成された基板を上記処理雰囲気に投入する。 （もっと読む）

本発明は、1mmを越える粒度を持つ自立式結晶化シリコン薄膜の製法に係る。本発明は、また自立式シリコンリボンを製造するための該方法の利用およびこのようにして得られたリボンにも係る。 （もっと読む）

【課題】レーザー光を照射することにより単結晶半導体層の結晶性を回復させる場合であっても、レーザー光の照射時に酸素が取り込まれるのを抑制し、レーザー光の照射前後において、単結晶半導体層に含まれる酸素濃度を同等又は低減することを目的の一とする。
【解決手段】貼り合わせによりベース基板上に設けられた単結晶半導体層にレーザー光を照射して当該単結晶半導体層の結晶性を回復（再単結晶化）させる工程を有し、レーザー光の照射を還元性雰囲気下または不活性雰囲気下で行う。 （もっと読む）

【課題】半導体層とベース基板との密着性を向上させ、貼り合わせ不良を低減することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板上に酸化膜を形成し、酸化膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、半導体基板上の酸化膜及びベース基板上に対して、バイアス電圧を印加してプラズマ処理を行い、半導体基板の表面とベース基板の表面とを対向させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、脆化領域を境として分離することにより、ベース基板上に酸化膜を介して半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体層の結晶性が高いＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０の一方の主表面２０ｍから所定の深さＤの領域に水素およびヘリウムの少なくともいずれかのイオンＩを注入する工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０の主表面２０ｍに異種基板１０を貼り合わせる工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０をイオンＩが注入された領域２０ｉにおいて分離することにより、ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板１を得る工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板１を、窒素含有ガスＮの雰囲気下７００℃以上でアニールする工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、レーザなどの紫外光源を用いたプロセスによりｓｐ^３−結合性ＢＮ多形（ｓｐ^３−結合性ｎＨ−ＢＮ；ｎ＝２以上の自然数）薄膜でかつ半導体特性を持つものを作製することを可能にする新たな手法、得られる材料、及びその電子デバイスへの応用に関するものである。
【解決手段】
発明１の半導体材料は、前記薄膜がＢＮはｓｐ^３−結合性ｎＨ−ＢＮ（ｎは２以上の自然数）であることを特徴とするものであり、発明２は、発明１の半導体材料の製造方法であって、半導体基板にアモルファスＢＮ薄膜が形成してある前駆体の薄膜方面に紫外光を照射して、前記薄膜をｓｐ^３−結合性ｎＨ−ＢＮ（ｎは２以上の自然数）に変性することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とベース基板の貼り合わせにおいて、窒素を含有する絶縁膜を接合層として用いる場合であっても、接合強度を向上させ、ＳＯＩ基板の信頼性を向上させることを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板側に酸化膜を設け、ベース基板側に窒素含有層を設け、半導体基板上に形成された酸化膜とベース基板上に形成された窒素含有層を接合する。また、半導体基板上に形成された酸化膜とベース基板上に形成された窒素含有層を接合する前に、酸化膜と窒素含有層の少なくとも一方に対してプラズマ処理を行う。プラズマ処理は、バイアス電圧が印加された状態で行うことができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層の結晶性及び平坦性を高めることのできる技術的手段を提供することを目的の一とする。
【解決手段】表面に絶縁膜が形成され、表面から所定の深さの領域に脆化領域が形成された単結晶半導体基板と、支持基板とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、熱処理を行い脆化領域において分離することにより、支持基板上に絶縁膜を介して単結晶半導体層に対してレーザ光を照射し、前記単結晶半導体層の表面をエッチングし、前記単結晶半導体層の表面にプラズマ処理を行うことにより結晶欠陥を低減させる。 （もっと読む）

【課題】量産に適した半導体基板、及び当該半導体基板を用いた半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】支持基板上に絶縁層、第１の電極、第１の不純物半導体層を少なくとも有する積層体を形成し、第１の不純物半導体層上に一導電型を付与する不純物元素が添加された第１の半導体層を形成し、第１の半導体層上に、一導電型を付与する不純物元素が添加された第２の半導体層を、第１の半導体層とは異なる条件により形成し、固相成長法により、第１の半導体層及び第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の不純物半導体層を形成し、第２の不純物半導体層に、一導電型を付与する不純物元素を添加し、一導電型とは異なる導電型を付与する不純物元素を添加し、ゲート絶縁層を介してゲート電極層を形成し、ソース電極層又はドレイン電極層を形成する。 （もっと読む）

【課題】限りある資源を有効活用しつつ、優れた光電変換特性を有する光電変換装置を安全に提供することを課題の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、且つ単結晶半導体基板の一表面上に第１の不純物半導体層、第１の電極、及び絶縁層を形成し、絶縁層と支持基板を密着させて単結晶半導体基板と支持基板を貼り合わせた後、脆化層において単結晶半導体基板を分離させて第１の単結晶半導体層を有する積層体を形成し、第１の単結晶半導体層上に第１の半導体層及び第２の半導体層を形成し、固相成長により、第１の半導体層及び第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の単結晶半導体層を形成し、第２の単結晶半導体層上に、第１の不純物半導体層とは逆の導電型の第２の不純物半導体層を形成し、第２の不純物半導体層上に第２の電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層を支持基板上に形成する際に、単結晶半導体層に欠損が生じた領域を、効率的に修復し、かつ該領域のトランジスタ特性を損なわない方法を提供する。
【解決手段】支持基板上に単結晶半導体層を形成した後、前記単結晶半導体層に生じた欠損領域を光学的手段により検出し、前記単結晶半導体層上及び前記欠損領域に非単結晶半導体層を形成し、前記欠損領域の情報と、回路設計情報と、に基づいて前記欠損領域の非単結晶半導体層を選択的に結晶化して結晶質半導体層を形成し、前記結晶質半導体層、あるいは前記単結晶半導体層、を含む半導体素子を形成する処理を行う。 （もっと読む）

【課題】量産に適した方法で半導体基板を提供することを目的の一とする。または、資源を有効に活用しつつ、優れた特性の半導体基板を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板にイオンを照射して単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、単結晶半導体基板上に絶縁層を形成し、絶縁層と支持基板を密着させて単結晶半導体基板と支持基板を貼り合わせ、損傷領域において単結晶半導体基板を分離させることにより、支持基板上に第１の単結晶半導体層を形成し、第１の単結晶半導体層上に第１の半導体層を形成し、第１の半導体層上に、第１の半導体層とは異なる条件により第２の半導体層を形成し、固相成長法により、第１の半導体層及び第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の単結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し、Ｓ値において高性能な半導体素子を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再単結晶化し、結晶欠陥を修復する。次いで、ｎ型トランジスタとなる島状単結晶半導体層にフォトマスクを用いてチャネルドープし、次いで該フォトマスクを用いて島状単結晶半導体層をエッチバックし、ｐ型トランジスタとなる島状単結晶半導体層の膜厚より薄くなるようにする。 （もっと読む）

【課題】 半導体層欠損領域の修復の際に作業時間の増大を回避し、より効率的に修復を行うことができ、さらに単結晶半導体層の欠損領域に残存する異物を的確、有効に分離除去することにより、レーザ照射時における異物の残存等に伴うシリコン膜の破裂・消失を低減させることができる半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 その製造方法は、支持基板に単結晶半導体層を貼り合わせ、貼り合わせ後前記単結晶半導体層の欠損領域を欠損検知装置により検出し、検出後前記欠損領域にクラスターイオンビームを照射してゴミを分離除去し、次いで前記欠損領域及び前記単結晶半導体層上に非単結晶半導体層を形成し、形成後前記検出情報に基づいて前記欠損領域の非単結晶半導体層を結晶化し、その後平坦化処理することにより前記結晶化後に残存する非単結晶半導体層を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、絶縁膜を介して単結晶半導体基板にイオンビームを照射することにより、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、絶縁膜上に接合層を形成し、接合層を間に挟んで単結晶半導体基板と向かい合うように、支持基板を貼り合わせ、熱処理を行うことにより、脆化領域に沿って単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された支持基板と単結晶半導体基板の一部とに分離し、単結晶半導体層に残存する脆化領域に対して第１のドライエッチング処理を行い、第１のエッチング処理が行われた単結晶半導体層の表面に対して、第２のドライエッチング処理を行い、単結晶半導体層に対してレーザ光を照射する。 （もっと読む）