【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上の結晶領域を有する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、および前記ドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の、前記結晶領域と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、前記結晶領域は、前記酸化物半導体層の表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶を有する領域である半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第１の酸化物結晶部材と第２の酸化物結晶部材がｃ軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の同軸（アキシャル）成長をさせていることである。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の酸化物半導体層を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上の、第１の酸化物半導体層の表面から内部に向かって成長させた結晶領域を有する第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、第２の酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の、第２の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、第２の酸化物半導体層は、結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】低温での固相エピタキシャル成長法を用いて、単結晶半導体層の膜厚の厚いＳＯＩ基板を提供することを課題の一とする。その際に、予めシード層となる単結晶半導体層の結晶欠陥を修復しなくとも、良好にエピタキシャル成長が進む方法を提供することを課題の一とする。また、シード層の結晶欠陥を修復する工程を別に設けなくとも、固相エピタキシャル成長によりシード層である単結晶半導体層の結晶性が回復したＳＯＩ基板を提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁層を介して基板に設けられた第１単結晶半導体層上に、非晶質半導体層を形成する。非晶質半導体層は、成膜温度１００℃以上２７５℃以下、シラン系ガスを希釈しないで用いるＣＶＤ法により形成する。熱処理を行って、非晶質半導体層を固相エピタキシャル成長させて、単結晶半導体層の膜厚の厚いＳＯＩ基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】生産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の結晶性を有する酸化物半導体膜及び第２の結晶性を有する酸化物半導体膜が積層された酸化物半導体積層体を有する縦型トランジスタ及び縦型ダイオードである。当該酸化物半導体積層体は、結晶成長の工程において、酸化物半導体積層体に含まれる電子供与体（ドナー）となる不純物が除去されるため、酸化物半導体積層体は、高純度化され、キャリア密度が低く、真性または実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもバンドギャップが大きい。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】ベース基板（例えばガラス基板）と半導体基板（例えば単結晶シリコン基板）とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の半導体層（例えば単結晶シリコン層）の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。
【解決手段】溝部が設けられた半導体基板に、イオンを照射して半導体基板中に脆化領域を形成し、絶縁層を介して半導体基板とベース基板を貼り合わせると共に、半導体基板の溝部とベース基板とにより囲まれた空間を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域において半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁層を介して半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスにおいて重複走査領域が発生する場合であっても、デバイス特性にばらつきの少ないＴＦＴパネルを提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタが列状に配列され、かつ互いに平行な複数の制御領域が連続して並んだ基板と、前記基板上に配置された平坦化膜とを有するＴＦＴパネルであって、前記制御領域には、最大結晶粒径が大きい半導体層からなるチャネルを有する薄膜トランジスタＸが列状に配列された制御領域Ｘと、最大結晶粒径が小さい半導体層からなるチャネルを有する薄膜トランジスタＹが列状に配列された制御領域Ｙと、が含まれ、前記制御領域Ｘ同士の中心間距離は、前記制御領域の短軸の３ｎ［ｎは１以上の整数］倍である、カラーディスプレイ用ＴＦＴパネル。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の再生に適した方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】損傷半導体領域と絶縁層とを含む凸部が周縁部に存在する半導体基板に対し、絶縁層が除去されるエッチング処理と、半導体基板を構成する半導体材料を酸化する物質、酸化された半導体材料を溶解する物質、および、半導体材料の酸化の速度および酸化された半導体材料の溶解の速度を制御する物質、を含む混合液を用いて、未損傷の半導体領域に対して損傷半導体領域が選択的に除去されるエッチング処理と、損傷半導体領域が選択的に除去されるエッチング処理の後に、半導体基板の表面に研磨を行う半導体基板の再生方法である。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】不対結合手に代表される欠陥を多く含む絶縁層を、酸素過剰な混合領域、又は酸素過剰な酸化物絶縁層を間に介して、酸化物半導体層上に形成し、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸素過剰な混合領域、又は酸素過剰な酸化物絶縁層を通過させて欠陥を含む絶縁層に拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入を行わずに低コストで製造できる構造形態を備えた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１０上（又は第１下地膜１１乃至第２下地膜１２上）に設けられたポリシリコン半導体膜１３と、ポリシリコン半導体膜１３上に離間して設けられたソース電極１５ｓ及びドレイン電極１５ｄと、ポリシリコン半導体膜１３上にゲート絶縁膜１４を介して設けられたゲート電極１５ｇとを少なくとも有する。ポリシリコン半導体膜１３は、面内方向にソース電極接続領域１３ｓ、チャネル領域１３ｃ及びドレイン電極接続領域１３ｄを有し、チャネル領域１３ｃにはドーパントが含まれておらず、ソース電極接続領域１３ｓ及びドレイン電極接続領域１３ｄは基板１０側からソース電極側及びドレイン電極側に向かってドーパント一定濃度層２１とドーパント減少傾斜層２２’とを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に第１の単結晶半導体膜と、該第１の単結晶半導体膜上に第２の単結晶半導体膜を有する半導体装置の作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の単結晶半導体基板に第１のイオンをドープして第１の脆化層を形成する工程と、第２の単結晶半導体基板に第２のイオンをドープして第２の脆化層を形成する工程と、第１の単結晶半導体基板と第２の単結晶半導体基板とを貼り合わせる工程と、第１の加熱処理により、第２の単結晶半導体基板上に第１の単結晶半導体膜を形成する工程と、第１の単結晶半導体膜上に絶縁基板を貼り合わせる工程と、第２の加熱処理により、絶縁基板上に、第１の単結晶半導体膜及び第２の単結晶半導体膜を形成する工程と、を有し、第１のイオンのドーズ量は第２のイオンのドーズ量よりも多く、第１の加熱処理の温度は第２の加熱処理を温度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタを有する半導体装置であって、絶縁表面上に所定の間隔を隔てて互いに平行に配列された複数の短冊状の半導体膜と、前記複数の短冊状の半導体膜の上面及び側面に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記複数の短冊状の半導体膜の上面及び側面を覆うゲート電極を有する半導体装置である。半導体膜の上部及び側部をチャネル形成領域とすることで、電流駆動能力を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の再生に適した方法を提供することを目的の一とする。または、半導体基板の再生に適した方法を用いて再生半導体基板を作製することを目的の一とする。または、当該再生半導体基板を用いてＳＯＩ基板を作製することを目的の一とする。
【解決手段】損傷した半導体領域と絶縁層とを含む段差部が周縁部に存在する半導体基板に対し、前記絶縁層が除去されるエッチング処理と、前記半導体基板を構成する半導体材料を酸化する物質、前記酸化された半導体材料を溶解する物質、および、前記半導体材料の酸化の速度および前記酸化された半導体材料の溶解の速度を制御する物質、を含む混合液を用いて、未損傷の半導体領域に対して前記損傷半導体領域が選択的に除去されるエッチング処理と、水素を含む雰囲気中で熱処理と、を行うことで半導体基板を再生する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０
¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】ベース基板（例えばガラス基板）とボンド基板（例えば単結晶シリコン基板）とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の半導体層（例えば単結晶シリコン層）の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて半導体装置の歩留まりを向上することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板にイオンを添加して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ベース基板にレーザー光の照射による複数の凹凸部を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板とを貼り合わせる際に、複数の凹凸部をボンド基板とベース基板との位置合わせの指標として用いると共に、複数の凹凸部の一を含む領域に、ボンド基板とベース基板とが貼り合わない領域であってその外周が閉じられた領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜への不純物の拡散を抑えつつ、歩留まりの低下を抑えることができるＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。
【解決手段】半導体基板の表面を熱酸化させることで、酸化膜が形成された半導体基板を形成する。そして、窒素原子を有するガス雰囲気下においてプラズマを発生させることにより、上記酸化膜の一部をプラズマ窒化させ、酸化膜上に窒素原子を含む絶縁膜が形成された半導体基板を得る。そして、窒素原子を含む絶縁膜とガラス基板を接合させた後、半導体基板を分離することで、ガラス基板上に窒素原子を含む絶縁膜、酸化膜、薄膜の半導体膜が順に積層されたＳＯＩ基板を形成する。 （もっと読む）

【課題】平坦性を確保しつつ、結晶性の高い半導体膜を有する、ＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。
【解決手段】分離により絶縁膜上に単結晶の半導体膜を形成した後、該半導体膜の表面に存在する自然酸化膜を除去し、半導体膜に対して第１のレーザ光の照射を行う。第１のレーザ光の照射は、希ガス雰囲気下、窒素雰囲気下または減圧雰囲気下にて、半導体膜の任意の一点におけるレーザ光のショット数を７以上、より好ましくは１０以上１００以下とする。そして、第１のレーザ光の照射を行った後、半導体膜に対して第２のレーザ光の照射を行う。第２のレーザ光の照射は、希ガス雰囲気下、窒素雰囲気下または減圧雰囲気下にて、半導体膜の任意の一点におけるレーザ光のショット数を０より大きく２以下とする。 （もっと読む）

【課題】良好な平坦性を有する半導体基板の再生に適した方法を提供することを課題の一つとし、良好な平坦性を有する半導体基板の再生に適した方法を用いて再生半導体基板を作製することを課題の一つとし、当該再生半導体基板を用いてＳＯＩ基板を作製することを課題の一つとする。
【解決手段】イオンの照射等により損傷した半導体領域を選択的に除去することが可能な方法を用いて半導体基板の凸部を除去し、さらに、ＣＭＰ法をはじめとする研磨処理によって、半導体基板の平坦化を行う際に、半導体基板表面に酸化膜を形成することにより、半導体基板の研磨レートを均一にして、一様に研磨処理を行う。または、上記方法を用いて再生半導体基板を作製し、当該再生半導体基板を用いてＳＯＩ基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の再生に適した方法を提供することを目的の一とする。または、開示する発明の一態様では、半導体基板の再生に適した方法を用いて再生半導体基板を作製することを目的の一とする。または、開示する発明の一態様では、当該再生半導体基板を用いてＳＯＩ基板を作製することを目的の一とする。
【解決手段】損傷半導体領域と絶縁層とを含む凸部が周縁部に存在する半導体基板に対し、前記絶縁層が除去されるエッチング処理と、前記半導体基板を構成する半導体材料を酸化する物質、前記酸化された半導体材料を溶解する物質、および、前記半導体材料の酸化の速度および前記酸化された半導体材料の溶解の速度を制御する物質、を含む混合液を用いて、未損傷の半導体領域に対して前記損傷半導体領域が選択的に除去されるエッチング処理と、を行うことで半導体基板を再生する。 （もっと読む）