【課題】
新たな結晶構造をもったＢＮ薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】
ＢＮ薄膜は、Ｓｐ^３−結合性６Ｈ−ＢＮとｓｐ^３−結合性１０Ｈ−ＢＮを含有することを特徴とするものであり、その製造方法は、ｓｐ^３−結合性ＢＮ高密度相を有するＢＮ薄膜の製造方法であって、基材上に形成したアモルファスＢＮ薄膜（又は、sp2結合性BN薄膜）にレーザ照射して、相変化を生じさせ、照射箇所に高密度相を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板および半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定する。次いで、モニタ基板の複数の領域に対して互いに異なるエネルギー密度条件でレーザ光を照射し、レーザ光を照射後の単結晶半導体層のそれぞれの領域の炭素濃度及び水素濃度の深さ方向の濃度分布を測定し、炭素濃度が極大を有し、且つ水素濃度がショルダーピークを有するレーザ光の照射強度を最適なレーザ光の照射強度とする。モニタ基板を用いて検出した最適のエネルギー密度で、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、絶縁膜を介して単結晶半導体基板にイオンビームを照射することにより、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、絶縁膜上に接合層を形成し、接合層を間に挟んで単結晶半導体基板と向かい合うように、支持基板を貼り合わせ、熱処理を行うことにより、脆化領域に沿って単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された支持基板と単結晶半導体基板の一部とに分離し、単結晶半導体層に残存する脆化領域に対して第１のドライエッチング処理を行い、第１のエッチング処理が行われた単結晶半導体層の表面に対して、第２のドライエッチング処理を行い、単結晶半導体層に対してレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】表面粗さが低減された半導体結晶の構造体を形成する技術を提供する。
【解決手段】絶縁体基板を供給し、当該絶縁体基板上に半導体層を堆積する。上記半導体層は、当該半導体層を部分的に凝集するステップアンドスキャン方式のレーザアニール処理により露光される。そして、凝集された半導体物質の冷却により、配向されたストライプ状半導体結晶が、絶縁体基板上に形成される。上記ストライプ状半導体結晶は、上記絶縁体基板の上面上に存在する直線状のストライプの軸に概ね沿って整列される。上記ストライプ状半導体結晶のそれぞれの筋は、上記ストライプの軸を囲む連続した複数の輪の断片を含んでいる。上記輪の断片の幅は、上記レーザアニール処理のステップの距離とほぼ同じである。上記ストライプ状半導体結晶の上面は、典型的には、半円柱形状または放物線状形状を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体層の電気的あるいは物理的特性の変化を生じることなく半導体層をアニールすることができ、製造効率の向上および大型の製品を製造可能なレーザーアニール方法、およびこの方法により製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】この方法は、半導体層上に窒素含有層を形成し（２００）、この窒素含有層は少なくとも３×１０²⁰原子／ｃｃの窒素濃度を有し、低酸素雰囲気で、前記窒素含有層の第１領域にレーザービームを照射し（２０２）、低酸素雰囲気で、一部が前記第１領域の一部と重なる前記窒素含有層の第２領域にレーザービームを照射する（２０４）。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ駆動に適した比抵抗をもつ良質な無機膜を提供する。
【解決手段】一般式Ｎ_aＭ_bＱ_cＯ_d（式中ＮはＺｎまたはＭｇ、ＭはＴｉ、ＷまたはＭｏ、ＱはＩｎまたはＦｅであり、ａ，ｂ，ｃ，ｄは正の実数である）で表される無機膜を、Ｎの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも１つと、Ｍの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも１つと、Ｑの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも１つと、有機溶媒と、を含む原料液を基板上に塗布成膜し、加熱処理により製造する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入剥離法によって剥離した剥離面近傍のイオン注入層に存在するイオン注入欠陥層を効率的に除去し、かつ基板間・基板面内の膜厚均一性を取ることができ、またハンドルウェーハに低融点材料を用いたＳＯＩ基板にも適用することのできるＳＯＩ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】水素イオン又は希ガスイオンあるいはこれらの両方を注入してイオン注入層が形成されたシリコンウェーハとハンドルウェーハが貼り合わされた貼り合わせ基板を準備する工程と、前記イオン注入層に沿って剥離を行うことで、前記シリコンウェーハを前記ハンドルウェーハに転写する工程と、前記転写したシリコンウェーハの剥離した表面に、パルス状のレーザーを照射することによってアニールする工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とベース基板の貼り合わせを低温で行う場合であっても、半導体基板とベース基板との接合強度を十分に向上させることを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板と、絶縁体でなるベース基板とを用意し、半導体基板上に塩素原子を含有する酸化膜を形成し、酸化膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、半導体基板上の酸化膜に対してバイアス電圧を印加してプラズマ処理を行い、単結晶半導体基板の表面とベース基板の表面とを対向させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、脆化領域を境として分離することにより、ベース基板上に酸化膜を介して半導体膜を形成する。 （もっと読む）

結晶膜を作製する方法は、選択された結晶表面配向のシード粒を含む膜を基板上に設けるステップと、混合液／固相が得られる条件下で、前記膜のパルス溶融が得られるように、パルス光源を用いて前記膜を照射するステップと、前記選択された表面配向を有するテクスチャ多結晶層が得られる条件下で、前記混合固／液相を凝固させるステップとを含む。１つ以上の照射処理が用いられ得る。前記膜は、太陽電池内での使用に適している。
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【課題】単結晶半導体薄膜又は実質的な単結晶半導体薄膜をチャネル形成領域として有する高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】高さが最大値から最大値と最小値の差分の１／２を示す領域の占める割合が、２９〜７２％である表面形状を持つ結晶性半導体薄膜を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体基板における半導体層表面の平坦性を向上させることを目的の一とする。又は、半導体基板の生産性を向上させることを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面にイオンを照射して損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の一表面上に絶縁層を形成し、絶縁表面を有する基板の表面と絶縁層の表面とを接触させて、絶縁表面を有する基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせ、加熱処理を施すことにより、損傷領域において単結晶半導体基板を分離して絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層をパターニングして複数の島状半導体層を形成し、島状半導体層の一に、該島状半導体層の全面を覆うように成形されたレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】非晶質薄膜の表面の酸化を抑制しつつ、短時間で、結晶粒径の大きな多結晶薄膜を得ることができる非晶質薄膜の結晶化方法及びその装置、並びに薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。
【解決手段】絶縁基板１０の表面１０ａ上に、所定膜厚の非晶質薄膜２０を形成し、該非晶質薄膜２０に熱源３０からの熱照射３１により、前記非晶質薄膜２０を結晶化させて多結晶薄膜２１とする方法において、前記熱源３０からの熱照射３１を、大気圧雰囲気で、基板の裏面１０ｂから基板１０内を熱透過させて行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の耐熱性が低く、かつ撓みやすい基板をベース基板に用いても、単結晶半導体層を精度良くベース基板に固定することを可能とする半導体基板製造装置を提供する。
【解決手段】接合層として機能する絶縁層が表面に設けられ、且つ表面から所定の深さの領域に脆化領域が設けられた単結晶半導体基板と、ベース基板と、の接合面を洗浄する洗浄部と、ベース基板及び単結晶半導体基板を貼り合わせ、周波数が３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の電磁波を照射して単結晶半導体基板を加熱し、損傷領域を劈開面として単結晶半導体基板を分離する電磁波照射部と、ベース基板に固定された単結晶半導体層を熱処理する熱処理部と、を有する半導体基板製造装置を用いて、ベース基板上に単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性が高い単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を作製する。
【解決手段】半導体基板に水素をドープして、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層の剥離面に加熱した高純度の窒素ガスを吹き付け、マイクロ波を照射しながら、レーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、単結晶半導体層の表面の平坦性を向上させ、かつ再単結晶化させる。また窒素ガスとマイクロ波を照射により溶融時間を長くし、再単結晶化をより効果的に行う。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせに係る不良を低減した均質な半導体基板を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板配置領域に複数の開口が設けられた基板支持台と、複数の開口の各々に配置された基板支持機構と、基板支持機構を昇降させる昇降機構と、基板支持台に対する基板支持機構と昇降機構の位置を調節する位置調節機構と、を有する基板貼り合わせ室の基板配置領域に第１の基板を配置し、第１の基板の上方に、第１の基板と接触しないように第２の基板を配置し、基板支持機構を上昇させることにより、第１の基板と前記第２の基板を接触させて、第１の基板と第２の基板の貼り合わせを行い、貼り合わせの後、第１の基板と前記第２の基板を搬送する前に、１５０℃以上４５０℃以下の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域と、前記島状の半導体領域の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】光アニールおよび当該光アニールにより得られる膜質の評価を行うとともに、装置のコスト抑制および構成簡略化を図ることができる半導体膜の製造方法、および、当該半導体膜の製造方法に使用する光アニール装置を実現する。
【解決手段】半導体膜の製造方法は、光源（２）から出射された光を２つ以上のビーム（Ｌ１、Ｌ２）に分割する工程と、前記２つ以上のビームのうちの少なくとも１つを膜改質光（Ｌ１）として基板上に形成された半導体膜に照射することにより前記半導体膜の結晶性を改質する工程と、前記２つ以上のビームのうちの、前記膜改質光以外の少なくとも１つのビームを検査光（Ｌ２）として前記半導体膜に照射し、前記半導体膜から得られる前記検査光（Ｌ２）の照射の応答内容を検出することにより、前記半導体膜の改質状態を評価する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の耐熱性の低いベース基板にバッファ層を介して、複数の単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】水素イオンを半導体基板に添加し、水素を多量に含んだ損傷領域と、バッファ層が形成された単結晶半導体基板を複数枚準備する。ベース基板に、この単結晶半導体基板を１枚または複数固定し、周波数が３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の電磁波を照射してベース基板上の単結晶半導体基板を損傷領域で分割する。単結晶半導体基板の固定と、電磁波の照射を繰り返して、ベース基板上に、必要な数の単結晶半導体基板が固定された半導体基板を作製する。さらに、この半導体基板の単結晶半導体層にレーザ光を照射して、溶融させ、再結晶化させる。 （もっと読む）

ＺＭＲ装置は、制御された温度のフローをシステム中に供給して、所望の結晶成長特性を与えながら、エネルギー消費を低下させる。装置は、冷却システムを含み、溶融した膜から所望量の熱を特に取り除いて、結晶化を促進することができる。さらに、装置は、チャンバー内でバックグラウンド温度を形成する加熱された壁を含むことができ、バックグラウンド温度は、チャンバー壁の冷却を減らすまたは無くすことにより、エネルギーの使用量を減らす。装置およびそれに対応する方法は、下側の基板に対して断熱を与える多孔性剥離層と直接的または間接的に結合した無機膜とともに、用いることができる。再結晶化された膜を基板から取りはずす場合、基板は再利用され得る。方法は、大きな表面積を有する、厚さが２ミクロン乃至１００ミクロンのシリコン膜に関して使用することができ、そのような膜は、光電用途および電子用途に適している。
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【課題】 非晶質シリコン半導体膜例えばアモルファスシリコン膜のレーザー結晶化を半導体レーザー光を使用して簡単且つ安定して行えるようにすることにより、半導体製品の生産性及び品質の向上と製造コストの引下げを図る。
【解決手段】 レーザー結晶化法を基板上に非晶質シリコン半導体膜を形成する工程と、非晶質半導体膜の表面に光吸収剤を塗布して光吸収剤膜を形成する工程と、光吸収剤膜に半導体発光素子からの線状のレーザー光を照射すると共に、当該線状レーザー光の走査により非晶質シリコン半導体膜を加熱してこれを結晶シリコン半導体膜とする結晶化工程とから構成する。 （もっと読む）