【課題】スループット良くＳＯＩ基板を製造できる方法を提供する。
【解決手段】支持基板に半導体基板から分離させた半導体層を転置して、ＳＯＩ基板を製造する。まず、半導体層の基となる半導体基板を準備する。該半導体基板には所定の深さの領域に脆化層を形成し、且つ、一表面上に絶縁層を形成する。半導体基板と支持基板とを、絶縁層を間に挟んで重ね合わせて接合した後、半導体基板にレーザビームを選択的に照射して脆化層の脆化を進行させる。そして、物理的手段又は加熱処理により、脆化層の脆化を進行させた領域を始点として、半導体基板を分離する。 （もっと読む）

【課題】電気特性の信頼性の高い薄膜トランジスタを有する発光装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する発光装置において、逆スタガの薄膜トランジスタは、ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜が形成され、微結晶半導体膜上にバッファ層が形成され、バッファ層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域の一部を露出するようにソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】要求される特性を満たした半導体装置及びその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の一部の領域にレーザー光を照射し、単結晶半導体層のレーザー光が照射されていない領域を用いて画素部の回路を形成し、単結晶半導体層のレーザー光が照射された領域を用いて、画素部の回路を駆動する駆動回路を形成することを特徴としている。これにより、周辺回路領域と画素領域とに適した単結晶半導体層を用いた半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】優良な多結晶薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。
【解決手段】基板上に形成された半導体膜を能動層として用いる半導体装置の製造方法であって、低圧化学気相堆積法で堆積温度が４３０℃未満且つ堆積速度が０．５ｎｍ／ｍｉｎ以上の状態で、高次シランを含む原料気体を用いて非晶質半導体膜を堆積する工程と、前記非晶質半導体膜を固相にて結晶化させ結晶性半導体膜を形成する工程と、前記結晶性半導体膜の一部を溶融させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に電磁波を照射し、電磁波の照射された半導体層表面に研磨処理を行う。電磁波の照射により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。従って、電磁波の照射と研磨処理によって、結晶欠陥が低減され、かつ平坦性も高い半導体層を有するＳＯＩ基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】表示ムラが少ない表示装置を量産性高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート絶縁膜または下地膜として機能する絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜上に非晶質半導体膜を成膜する。次に、エネルギー分布のプロファイルがなだらかなレーザビーム、即ち単位面積当たりのエネルギーが低いレーザビームを非晶質半導体膜に照射して、非晶質半導体膜を微結晶化させて、ゲート絶縁膜または下地膜として機能する絶縁膜上に微結晶半導体膜を形成する。次に、当該微結晶半導体膜をチャネル形成領域用いて薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に高エネルギーを有する少なくとも一種類の粒子により該高エネルギーを供給することにより加熱し、加熱した半導体層表面に研磨処理を行う。高エネルギーの供給による加熱処理により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の作製時に発生する金属汚染の影響を抑える。
【解決手段】半導体基板に水素イオンを照射し損傷領域を形成した後、ベース基板と半導体基板を接合させる。加熱処理を行って、半導体基板を劈開させＳＯＩ基板を作製する。ＳＯＩ基板の半導体層上に、Ａｒなど第１８族元素を含んだ半導体でなるゲッタリングサイト層を形成する。加熱処理を行って、半導体層中の金属元素をゲッタリングサイト層にゲッタリングさせる。エッチングにより、ゲッタリングサイト層を除去することで、半導体層の薄膜化を行う。 （もっと読む）

【課題】変換効率の向上を図れる多結晶シリコン薄膜の製造方法、多結晶シリコン薄膜基板および多結晶シリコン薄膜型太陽電池を提供する。
【解決手段】半多結晶シリコン薄膜の製造方法は、ガラス基板１上にアモルファスシリコン層２を形成する工程と、アモルファスシリコン層２上にシリコンと共晶反応する金属からなるアルミニウム層３を形成する工程と、積層基板を加熱する工程とを備える。この加熱により、アモルファスシリコン層２のアモルファスシリコンがアルミニウム層３中に固溶するとともに結晶化し、多結晶シリコン層４が形成される。ガラス基板１の上にアルミニウム層３が形成され、アルミニウム層３の上に多結晶シリコン層４が形成された多結晶シリコン薄膜基板４０が得られる。 （もっと読む）

光電荷による誘導加熱を利用してガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような非晶質または多結晶基板の上に形成される結晶性半導体薄膜の製造方法に関して開示する。この結晶性半導体薄膜の製造方法は、ガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような安価な非晶質または多結晶基板の上に低濃度半導体層を形成する工程と、光電荷を用いた誘導加熱で低濃度半導体層を結晶化する工程とを含む。これにより、一般的な非晶質半導体薄膜や多結晶半導体薄膜より優秀な特性を有する低濃度の結晶性半導体薄膜を、簡単な工程と少ない費用で得ることができる。 （もっと読む）

本発明は、結晶表面を有する結晶ベース基板の上に結晶ゲルマニウム層を形成する方法を提供する。この方法は、ベース基板を洗浄して表面から汚染物および／または自然酸化物を除去する工程と、水素プラズマ、Ｈ_２フラックス、またはＧｅＨ_４の分解で得られる水素のような水素源および／またはＮ_２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ、またはそれらの混合物のような非反応性ガス源にベース基板を露出させながら、ベース基板の表面上にアモルファスゲルマニウム層を形成する工程と、ベース基板をアニールしてアモルファスゲルマニウム層を結晶化して、結晶ゲルマニウム層を形成する工程と、を含む。また、この方法は、本発明の具体例にかかる方法を用いて光起電セルまたは光分解セルを形成する方法、またはＣＭＯＳデバイスを形成する方法、および本発明の具体例にかかる方法で形成した結晶ゲルマニウム層を含む基板を提供する。
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【課題】Ｓ値が小さくオン電流の低下が抑えられた応答性のよい半導体装置を作製する。
【解決手段】ソース領域又はドレイン領域の膜厚がチャネル形成領域の膜厚よりも厚い半導体層を形成する。このような半導体層を用いた半導体装置の作製方法としては、基板上に第１の半導体層を形成し、第１の半導体層上に第１の絶縁層と導電層とを形成し、導電層の側面に第２の絶縁層を形成し、第１の絶縁層と導電層と第２の絶縁層の上に第２の半導体層を形成し、部分的に設けたレジストをマスクとして第２の半導体層をエッチングし、第１の半導体層と第２の半導体層とを加熱処理することにより、凹凸形状を有する半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細構造のトランジスタにおいて、ゲート電極及び半導体層へダメージを与えることなく、レーザアニールを行う。
【解決手段】絶縁基板上に形成された半導体膜の、ソース領域またはドレイン領域として機能する一対の不純物領域上に、第１の層間絶縁膜を形成し、ゲート電極上に第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜を形成する。第１の層間絶縁膜は、一対の不純物領域に照射される特定波長領域の光の反射率を減少させる光学膜厚で成膜され、第２の層間絶縁膜は、ゲート電極に照射される、特定波長領域の光の反射率を増大させる光学膜厚で成膜されている。 （もっと読む）

【課題】支持基板として半導体層とは異種の材料を用いた場合にも、実用に耐えうる結晶半導体層を備えた半導体基板と、当該半導体基板を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板は、支持基板と単結晶半導体層の間に接合面を形成する接合層、窒素含有絶縁材料で形成されるバリア層、窒素濃度が２０原子％未満であって水素を１〜２０原子％含む絶縁材料で形成される緩和層、ハロゲンを含有する絶縁層を有する。上記構成を少なくとも一部に有し、マイクロ波プラズマ気相成長法によりＳｉＨ_４とＮ_２Ｏを原料ガスとして作製されたゲート絶縁層が単結晶半導体層と接する構成とする。 （もっと読む）

【課題】不純物による半導体層の汚染を防ぎ、支持基板と半導体層との接合強度を高めることができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面に第１のハロゲンを含む酸化膜を形成し、第２のハロゲンのイオンを照射することによって半導体基板中に分離層を形成すると共に第２のハロゲンを半導体基板に含ませ、水素を含む絶縁膜を挟んで半導体基板と支持基板とを重ね合わせた状態で加熱処理を行って、分離層で半導体基板の一部を分離させることにより、支持基板上に第２のハロゲンを含む半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】水素イオン注入法により、ベース基板がガラス基板のような耐熱性の低い基板でなり、表面の平坦性が高く、１００ｎｍ以下の薄い半導体層を有するＳＯＩ基板を作製する。
【解決手段】接合層を介して半導体基板とベース基板を貼り付ける。加熱処理を行い、半導体基板を分割することで、半導体基板から分離された半導体層が固定されたベース基板を得ることができる。この半導体層にレーザ光を照射し、溶融させることで、半導体層の表面の平坦性を向上させ、かつその結晶性を回復させる。レーザ光の照射の後、半導体層をエッチングなどにより薄くする。以上の工程を経ることで、ベース基板上に厚さ１００ｎｍ以下の単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】作製コストを低減しつつ、高速動作が可能な回路を設けた半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面から所定の深さにイオンドーピング層を形成し、単結晶半導体基板上に第１の絶縁層を形成し、絶縁性基板上の一部に第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層上に非単結晶半導体層を形成し、第１の絶縁層を介して、単結晶半導体基板を絶縁性基板の第２の絶縁層が形成されていない領域に接合させ、単結晶半導体基板を、イオンドーピング層において分離させることにより、絶縁性基板上に単結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐熱温度が低い基板を用いた場合でも結晶半導体層を備えた半導体装置を歩留まり高く作製する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の一部に溝を形成し、凸部を有する半導体基板を形成し、当該凸部を覆うように接合層を形成する。また、接合層を形成する前において、凸部となる半導体基板に加速されたイオンを照射して、脆弱層を形成する。接合層及び支持基板を接合させた後、半導体基板を分離する熱処理を行うことで支持基板上に半導体層を設ける。当該半導体層を選択的にエッチングして、半導体素子を形成し半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を分割し、かつ当該半導体基板から分離した半導体層をガラス基板など耐熱温度が低い基板に接合させることで、ＳＯＩ基板を作製する。また、分離後の半導体基板の再生処理を行う。
【解決手段】ガラス基板などのベース基板に、単結晶半導体層を接合するために、接合層に、有機シランを原材料としてＣＶＤ法で成膜した酸化シリコン膜を用いる。ガラス基板等の耐熱温度が７００℃以下の基板であっても接合部の結合力が強固なＳＯＩ基板を形成することができる。また、半導体層が分離された単結晶半導体基板にレーザ光を照射して、当該半導体層の分離面を平坦化することで、再利用を可能とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の電気的な特性を向上させるための、半導体装置の半製品およびその結晶化方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置の半製品の非晶質半導体層を結晶化方法は、結晶化用レーザ光として温度勾配を有する照射強度分布のレーザ光を絶縁層および窒素含有層を通して前記非晶質の半導体層へ照射するレーザ光照射工程と、前記窒素含有層は入射する前記レーザ光の少なくとも一部を吸収して蓄熱する工程と、前記非晶質の半導体層の前記温度勾配を有する照射強度分布のレーザ光により照射された領域は溶融する溶融工程と、溶融後の冷却時に蓄熱工程での蓄熱が熱源として作用し冷却速度を緩和する工程と、前記レーザ光照射工程を２回以上行う工程とを具備してなる。 （もっと読む）