【課題】結晶粒大きさの均一性および結晶粒界の規則的な分布を実現できることにより、優秀な特性を備える多結晶シリコン層、多結晶シリコン層製造方法および多結晶シリコン層を用いた平板表示装置を提供する。
【解決手段】基板１００上に位置して、面積が４００μｍ^２以上であるシード領域１７０と、シード領域１７０から成長した結晶化領域１９０とを含む多結晶シリコン層を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の大きさや結晶粒界の分布が均一であり、薄膜トランジスタを形成した際に優秀な特性が得られる多結晶シリコン層、多結晶シリコン層の製造方法、及び平板表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に非晶質シリコン層１２０を形成する段階と、非晶質シリコン層１２０の所定領域が露出するように第１パターン層１３０を形成する段階と、第２パターン層１４０を形成する段階と、第２パターン層１４０上に金属触媒層１５０を形成する段階と、基板を熱処理することにより、金属触媒が非晶質シリコン層の所定領域に拡散してシードを形成し、シードは非晶質シリコン層１２０の所定領域を少なくとも幅が３．５μｍ以上であるシード領域１７０に結晶化し、シード領域１７０の結晶性が成長して、非晶質シリコン層１２０を結晶化領域１９０に結晶化する段階と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】動作特性及び信頼性の向上した半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、第１の加熱処理により、前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成し、前記第１の加熱処理の際に前記結晶性半導体膜上に形成された第１の酸化膜を除去するとともに第２の酸化膜を形成し、前記第２の酸化膜が形成された前記結晶性半導体膜に第１のレーザ光を照射し、前記第２の酸化膜上に希ガス元素を含む半導体膜を形成し、第２の加熱処理により、前記結晶性半導体膜に含まれる前記金属元素を前記希ガス元素を含む半導体膜にゲッタリングし、前記希ガス元素を含む半導体膜および前記第２の酸化膜を除去し、前記結晶性半導体膜に第２のレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】ハイブリッド基板の製造、特にＣ−ＭＯＳ構造の製造を簡略化することを可能にする。
【解決手段】本発明の方法によれば、第１および第２の活性領域（１ａ，１ｂ，１ｃおよび１４ａ，１４ｂ）を支持体の前面上に形成することができ、前記活性領域はそれぞれ、互いに異なり且つ好ましくは同一の結晶構造を有する第１および第２の単結晶半導体材料によって形成されている。また、第１および第２の活性領域（１ａ，１ｂ，１ｃおよび１４ａ，１４ｂ）の前面は、同じ平面内にあるという利点を与える。そのような方法は、特に、多結晶および／またはアモルファス形態の第２の半導体材料から成るパターンおよび前記パターンと予め選択された第１の活性領域（１ａ，１ｂ）との間の界面領域から単結晶形態で第２の半導体材料を結晶化させるステップにより第２の活性領域（１４ａ，１４ｂ）を形成することから成る。また、支持体は、基板（４）と電気絶縁薄層（３）との積層によって形成され、電気絶縁薄層（３）の前面が支持体の前面を形成している。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン層の製造方法、及びこれを利用した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にシリコン窒化物層を形成する段階と；前記シリコン窒化物層上に絶縁層を形成する段階と；前記絶縁層中にホールを形成する段階と；選択的堆積過程により、前記ホール内の前記シリコン窒化物層の露出部上に第１シリコン層を堆積する段階と；前記絶縁層と前記ホール内に形成される第１シリコン層との上に第２シリコン層を堆積する段階と；前記第２シリコン層を熱処理により結晶化して単結晶シリコン層とする段階と、を含むことを特徴とする単結晶シリコン層の形成方法である。前記方法により、高品質の単結晶シリコン層を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 高い電子移動度、低いスレショルド電圧および漏れ電流が少ないなどの特性を有するＴＦＴの製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に非晶質シリコン層３０を形成する段階、非晶質シリコン層をパターニングしてソース領域３２、ドレイン領域３４およびそれらの間に介在される複数のチャンネル３６を形成する段階、複数のチャンネルをアニーリングする段階、複数のチャンネル上にゲート酸化膜４０およびゲート電極５０を順次に形成する段階、ソース領域およびドレイン領域に導電性不純物をドーピングする段階を含むＴＦＴの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、非晶質シリコーン層の界面に結晶化を誘導する第１金属の濃度を非常に低くでき、第１金属の濃度及び金属触媒層の厚さについて、均一で安定的な制御が可能な薄膜トランジスタ製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は第１金属と第１金属より原子量が大きい金属とが所定の組成比を有するように形成されたスパッタリング用ターゲットを利用して非晶質シリコーン層及びキャッピング層が形成された基板上に金属触媒層を形成し、基板を熱処理して非晶質シリコーン層を多結晶シリコーン層に結晶化する。 （もっと読む）

【課題】半導体層のソース／ドレイン領域の全部または一部分とキャパシターの第１電極をＭＩＣ結晶化法で結晶化して、半導体層のチャネル領域全部をＭＩＬＣ結晶化法で結晶化された薄膜トランジスタ及びキャパシターの半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】その製造方法は、薄膜トランジスタの半導体層とキャパシターの第１電極を非晶質シリコンで形成した後、ＭＩＣおよびＭＩＬＣ結晶化法で結晶化して、薄膜トランジスタのゲート電極及びキャパシターの第２電極を同じ物質で形成することによって簡単な工程で薄膜トランジスタとキャパシターを同時に形成することができるだけでなく、各素子に適合な結晶化法で結晶化することによって、低い温度及び短い時間に結晶化を進行して基板が収縮したり曲がる現象が発生しないだけでなく、薄膜トランジスタの半導体層の特性とキャパシターの特性が優秀であるという効果がある。 （もっと読む）