【課題】粒界に金属シリサイドが分布する領域を減らすことにより、電流特性と電子の移動度を向上させることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、金属誘導結晶化方法によって非晶質シリコン薄膜を結晶化薄膜２０ｂに結晶化する過程で、熱処理条件と金属触媒のドーピング量を最適化することにより粒界に金属シリサイドが分布する領域を減らし、多結晶シリコン薄膜２０ｂの表面にＯ₂ガスまたはＨ₂Ｏ蒸気を供給して多結晶シリコン薄膜２０ｂの表面に不動態膜３０ａを形成し、それにより、電流特性と電子の移動度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属触媒を利用して結晶化した半導体層において、半導体層のチャネル領域内に残存する金属触媒をゲッタリングして半導体層のチャネル領域に残存する金属触媒の量を減少させて電気的特性が優れた薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを具備した有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は基板と；基板上に位置して、金属触媒を利用して結晶化した半導体層と；半導体層上に位置するゲート絶縁膜と；ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と；ゲート電極上に位置する層間絶縁膜；及び半導体層のソース／ドレイン領域の一定領域を露出させるコンタクトホールを介して半導体層のソース／ドレイン領域に電気的に連結されるソース／ドレイン電極を含み、コンタクトホール下部の半導体層領域内には半導体層の表面から一定深さまで金属触媒とは異なる金属の金属シリサイドが形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】残存する結晶化誘導金属の量を減少させて電気的特性が優秀な薄膜トランジスタ、これを具備した有機電界発光表示装置、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００と、基板上に位置し、チャネル領域１６２、ソース領域１６１、およびドレイン領域１６３を含む半導体層１６０と、半導体層のチャネル領域とゲート絶縁膜１７０を介し対向して設けられたゲート電極２１０と、半導体層のチャネル領域以外の領域の上部または下部にゲート電極と離隔されて位置した、ゲート電極と同一物質からなる金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層と、半導体層のソース領域およびドレイン領域にそれぞれ電気的に連結されたソース電極２４０ａおよびドレイン電極２４０ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】成膜時間を増大することなく、粒径の揃った結晶粒を形成する。
【解決手段】本発明の多結晶半導体膜形成方法は、非晶質半導体膜を、この非晶質半導体膜が溶融しない条件で面方向に均一に加熱して、非晶質半導体膜内に結晶核を発生させる第１熱処理工程と、第１熱処理工程を実施した非晶質半導体膜に、非晶質半導体膜中の結晶核が溶融せず且つ非晶質半導体が溶融する条件でレーザ光を照射し、非晶質半導体を溶融及び凝固させることにより結晶化させる第２熱処理工程と、を備える。本発明の多結晶半導体膜形成装置１０は、上記の第１熱処理工程を実施する第１熱処理装置２０と、上記の第２熱処理工程を実施する第２熱処理装置３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン層を用いる薄膜トランジスタ、その製造方法、並びに、これを備えた有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板を提供する段階と、前記基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、前記非晶質シリコン層上に１０ないし５０Å厚さで熱酸化膜を形成する段階と、前記シリコン熱酸化膜上に結晶化のための金属触媒層を形成する段階と、前記基板を熱処理して前記結晶化のための金属触媒層の金属触媒を用いて前記非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化する段階とを含むことを特徴とする多結晶シリコン層の製造方法を用い、前記非晶質シリコン層からＳＧＳ結晶化法により多結晶シリコン層を形成する。工程を簡素化した多結晶シリコン層の製造方法、その製造方法を用いて製造された多結晶シリコン層を用いる薄膜トランジスタ、その製造方法、並びに、これを備えた有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】結晶化誘導金属を利用して結晶化した半導体層を利用した薄膜トランジスタ、その製造方法及び有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】結晶化誘導金属を利用して結晶化した半導体層と、チャネル領域から離隔された位置の半導体層内には半導体層の表面から一定深さまで結晶化誘導金属と他の金属または金属の金属シリサイドが存在し、半導体層のチャネル領域の長さ及び幅と漏れ電流値間にはＩｏｆｆ／Ｗ（Ｌ）＝３．４×１０^−１５Ｌ^２＋２．４×１０^−１２Ｌ＋ｃ（Ｉｏｆｆは半導体層の漏れ電流値（Ａ）、Ｗはチャネル領域の幅（ｍｍ）、Ｌはチャネル領域の長さ（μｍ）、及びｃは定数であり、ｃは２．５×１０^−１３ないし６．８×１０^−１３である。）を満足することを特徴とする薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを具備する有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】直線偏光のレーザ光を出射するレーザ発振器を用いても、多数の方向に結晶成長させて等方的な結晶粒を得る。
【解決手段】直線偏光で出射されたパルスレーザ光１の偏光方向をパルス毎に変更して、異なる３方向以上の偏光方向をもつパルスレーザ光１を、単位領域あたりの照射回数が３回以上となるように半導体膜２に照射する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶化誘導金属を利用した多結晶シリコン層において、多結晶シリコン層でチャネル領域が形成される領域に残存する結晶化誘導金属を除去する多結晶シリコン層の製造方法と製造方法を利用した多結晶シリコン層で半導体層を形成することにより、漏れ電流が顕著に減少された薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを利用する有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は基板上に非晶質シリコン層を形成し、非晶質シリコン層を結晶化誘導金属を利用して多結晶シリコン層に結晶化し、多結晶シリコン上部または下部の一定領域と接する金属層または金属シリサイド層パターンを形成し、基板を熱処理して多結晶シリコン層でチャネル領域が形成される領域に存在する結晶化誘導金属を金属層または金属シリサイド層パターンが形成された領域に対応する多結晶シリコン層内の領域にゲッタリングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の結晶化プロセスにおいて均質な核を発生させることにより結晶粒径の揃った多結晶半導体膜を形成する。
【解決手段】半導体膜５の下地層又はキャップ層として光触媒層４を形成する。光触媒層４に吸収される波長をもつ励起光８を光触媒層４に照射しながら、半導体膜５にレーザ光１を照射して、半導体膜５を溶融及び固化させることにより結晶化させる。この方法により、光触媒層４の超親水作用によって半導体融液の濡れ性が改善する。このため、半導体膜５の融点近傍で、半導体膜５と光触媒層４の界面に結晶核を発生させることができ、これにより結晶粒径の揃った多結晶半導体膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体層に残存する金属触媒の量を減少させて、漏洩電流特性及び薄膜トランジスタの電気的特性を向上させることができる薄膜トランジスタとその製造方法及びそれを備えた有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタは、基板と、基板上に位置する第１半導体層と、第１半導体層の一定領域を開口する第２半導体層と、第１半導体層及び第２半導体層に連結されるソース／ドレイン電極と、ソース／ドレイン電極を含む基板上に配設されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に位置し、且つ第１半導体層の開口した一定領域に対応するように位置するゲート電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 生産性の高い複合処理を行う。
【解決手段】 一方向に長いフィルム状基板を、フィルム状基板の長さ方向に搬送する搬送装置と、フィルム状基板上に、成膜を行う成膜装置と、成膜装置で成膜が行われ、搬送装置で搬送されたフィルム状基板にレーザビームを入射させて、フィルム状基板上に成膜された膜のアニールを行う第１のレーザ処理装置と、第１のレーザ処理装置でアニールが行われ、搬送装置で搬送されたフィルム状基板にレーザビームを入射させて、フィルム状基板上に成膜された膜の一部を除去する第２のレーザ処理装置とを有する複合処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜の酸化を防ぎ、良好な多結晶シリコン膜を得ることができると共に、絶縁性基板上に低コストで多結晶シリコン膜を形成することが可能な多結晶シリコン膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に非晶質シリコン膜を非酸化性雰囲気下で形成する非晶質シリコン膜形成工程と、非晶質シリコン膜を非酸化性雰囲気下で多結晶化させる多結晶シリコン膜形成工程と、非晶質シリコン膜形成工程から多結晶シリコン膜形成工程に被処理基板を移行するときの工程であって、非晶質シリコン膜を形成した後に非晶質シリコン膜形成工程の非酸化性雰囲気を大気雰囲気又は所定の酸素分圧を有する雰囲気に変化させ、その後、被処理基板２を多結晶シリコン膜形成工程に移行して、多結晶シリコン膜形成工程内の雰囲気を非酸化性雰囲気に変化させる雰囲気制御工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体層に残っている微量の金属触媒（Ｎｉ等）の残留量を最少にすることで素子特性を向上させたＰ型薄膜トランジスタを製造する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板１０１上に非晶質シリコン層を形成し、その上にキャッピング層と金属触媒を蒸着して第１熱処理を実施することにより非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化する段階と、キャッピング層を除去してから多結晶シリコン層をパターニングして半導体層１１０を形成する段階と、基板１０１上にゲート絶縁膜１２０及びゲート電極１３０を形成する段階と、半導体層１１０にｐ型不純物を注入する段階と、半導体層１１０にゲッターリング工程物質を注入して第２熱処理を実施し、半導体層１１０に残留した金属触媒を除去する段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体層に残っている金属触媒の残留量を最少にし、マスク数を減少させて工程を単純化したＣＭＯＳ薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＯＳ薄膜トランジスタの製造方法は、第１熱処理を実施して金属触媒をキャッピング層を介して非晶質シリコン層の界面に拡散させ、拡散した金属触媒によって非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化する段階と、多結晶シリコン層をパターニングして第１及び第２半導体層１３２、１３４を形成する段階と、第１及び第２半導体層１３２、１３４に第１不純物をドーピングする段階と、第１半導体層１３２に第２不純物をドーピングする段階と、第２熱処理を実施して第２不純物がドーピングされた第１半導体層１３２内に残留する金属触媒を除去する段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ薄膜の結晶性、特に結晶配向性を向上できる新規な結晶性Ｓｉ薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、実質的に酸化ケイ素からなる薄膜で挟まれている、実質的にケイ素からなるアモルファス性薄膜を、ゾーンメルティング法によって溶融した後に冷却して、アモルファス性薄膜を結晶性薄膜に変換する溶融冷却工程と、溶融冷却工程に先立って、アモルファス性薄膜及び／又は酸化ケイ素からなる薄膜の膜厚を、結晶性薄膜の結晶配向性が向上するように調整するケイ素膜厚調整工程とを有する結晶性ケイ素薄膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】微小構造体の作製工程中の不良を防止する構造及びその作製方法を提供する。また、微小構造体の動作中の不良を防止する構造及びその作製方法を提供する。特に、犠牲層エッチングの際の座屈、又は構造体の動作時の座屈を防止する。
【解決手段】第１の構造層１０２と、第１の構造層に空隙１０６を介して対向し、且つ一部が第１の構造層に固定されている第２の構造層１０４とを有する微小構造体１００である。第１の構造層１０２及び第２の構造層１０４は少なくとも一方が変位可能である。また、第１の構造層及び第２の構造層の対向する表面１１４，１１６は、互いに異なる粗さで粗面化されている。 （もっと読む）

【課題】β−ＦｅＳｉ_２結晶を主相として含有し、デバイス材料への幅広い応用が可能となる新規な薄膜を提供する。
【解決手段】β型鉄シリサイド結晶を主相として含有し、更にＣｕを含有する薄膜。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の品質に面内ばらつきが生じることを抑制できる半導体膜の結晶化方法を提供する。
【解決手段】半導体膜の結晶化方法は、基板５１０上に形成された半導体膜５０６に、第１のレーザ光５０３を基板５１０の底面５１０ａに対して傾斜した状態で照射しつつ、第１のレーザ光５０３とは異なる発振器から発振された第２のレーザ光５０４を、基板５１０の底面５１０ａに対して第１のレーザ光５０３とは反対の方向に傾斜した状態で照射することにより、半導体膜５０６の一部を溶融させ、かつ第１及び第２のレーザ光５０３、５０４の照射位置を、該第１又は第２のレーザ光５０３、５０４が傾斜している方向に略沿って走査して、半導体膜５０６の溶融している部分を移動させることにより、半導体膜５０６を結晶化するものである。 （もっと読む）

【課題】有機発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＯＬＥＤを駆動する駆動トランジスタと、駆動トランジスタの動作を制御するスイッチングトランジスタとを備え、駆動トランジスタの活性層は、電流チャネルに平行な縦方向に成長した結晶構造を有し、スイッチングトランジスタの活性層は、電流チャネルに垂直な横方向に成長した結晶構造を有する有機発光素子である。 （もっと読む）

【課題】従来のレーザ照射装置で用いられているガス噴射させるための板のサイズは大きく、レーザ光が最後に通過する光学系と、板との間にあまり距離を採ることができなかったため、レーザ光が最後に通過する光学系から照射されるレーザ光の状態を確認することが困難であった。
【解決手段】レーザ照射装置は、レーザ発振器と、レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、気体を噴射するための開口部を有する板と、板の下部に配置されたステージと、ステージ上方に板とステージの距離を一定に固定させるための手段と、光学系と板との間に設けられ、光学系を通過したレーザ光を観察することができる手段と、を有する。 （もっと読む）