【課題】同一の非晶質半導体膜を結晶化して形成されたＴＦＴおよびＴＦＤの半導体層の結晶状態を別個に制御して最適化する。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１と、基板１０１の上に支持され、チャネル領域１１４、ソース領域およびドレイン領域１１２ａを含む半導体層１０７ｔと、チャネル領域１１４の導電性を制御するゲート電極１０９と、半導体層１０７ｔとゲート電極１０９との間に設けられたゲート絶縁膜１０８とを有する薄膜トランジスタ１２４と、基板１０１の上に支持され、少なくともｎ型領域１１３ａとｐ型領域１１７ａとを含む半導体層１０７ｄを有する薄膜ダイオード１２５とを備える。薄膜トランジスタ１２４の半導体層１０７ｔおよび薄膜ダイオード１２５の半導体層１０７ｄは、同一の非晶質半導体膜を結晶化することによって形成された結晶質半導体層であり、薄膜ダイオード１２５の半導体層１０７ｄは、薄膜トランジスタ１２４の半導体層１０７ｔのチャネル領域１１４よりも高い結晶性を有している。 （もっと読む）

【課題】数１０ｎｍオーダーの高精度な被処理基板高さ合わせを実現するレーザー結晶化方法及びその結晶化装置を提供する。
【解決手段】本発明の１態様によるレーザー結晶化方法は、位相シフタを透過させることによって位相シフタを透過した光が逆ピークパターンの光強度分布を有する第１のパルスレーザー光を得る工程と、第１のパルスレーザー光を被処理基板に設けられた薄膜に照射して、薄膜を溶融させ結晶化させる工程とを具備するレーザー結晶化方法であって、第１のパルスレーザー光を照射しようとする薄膜の照射位置を、第２のレーザー光で照明し薄膜で反射した第２のレーザー光を検出する際に、第２のレーザー光の光路上に設けられた偏光素子を用いて第２のレーザー光の複数の反射光成分から所望の成分を選択する工程と、選択された第２のレーザー光の反射光成分を検出して被処理基板の高さを所定の高さに補正する工程と、高さを補正した被処理基板の薄膜の照射位置に第１のパルスレーザー光を照射する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】製品の生産に使用可能な量産性の優れた方法でかつ安価なコストにより、半導体薄膜の結晶粒径の拡大を可能とすることを目的とする。
【解決手段】絶縁性基板１０１上に導電性薄膜１０３を形成し、導電性薄膜１０３をパターニングしてから半導体薄膜１０４を形成し、レーザ光を照射して半導体薄膜１０４を溶融し固化して再結晶化する半導体薄膜の製造方法において、導電性薄膜１０３は面方向に突端部を有するようにパターニングされることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐圧性が高く、かつ、領域間で特性のばらつきが少ない結晶性半導体膜の製造方法、及び、その製造方法に好適に用いられるレーザー装置を提供する。
【解決手段】レーザー光の照射及び移動を交互に繰り返して非晶質半導体膜を溶融し、結晶化して形成される結晶性半導体膜の製造方法であって、上記レーザー光は、直前の照射によって形成された結晶性半導体膜の隆起部を含む領域に、該隆起部の下に位置する結晶性半導体膜を一部残す強度で照射される結晶性半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 隣り合う２つのＴＦＴの間に短絡が発生するのを確実に防止することができる多結晶半導体膜の形成方法。
【解決手段】 絶縁基板上において第１方向に沿って結晶成長した多結晶半導体膜を形成する本発明の方法では、第１方向に沿って第１の向き（Ｆａｓ，Ｆａｆ）に結晶成長した結晶粒（１５ａ）と第１の向きとは逆の第２の向き（Ｆｂｓ，Ｆｂｆ）に結晶成長した結晶粒（１５ｂ）とが、第１方向と直交する第２方向に沿って間隔を隔てた複数の領域において他の領域よりも早く衝突するように、絶縁基板上における結晶成長を制御する。 （もっと読む）

【課題】結晶化装置において、高エネルギー密度の出力が得られる可視光源を提供する。
【解決手段】可視光照射系は、２次元アレイ配列した複数の可視光レーザー光源によって形成する。可視光照射系は、各可視光レーザー光源から発せられた複数の可視光レーザー光の光強度分布をパターンニングする光強度分布形成手段と、この光強度分布形成手段でパターンニングした光強度分布の光を被処理基板上の照射域に結像する結像光学系とを備える。被処理基板と光軸上の結像位置関係にあたる光強度分布形成手段に対して、複数の固体レーザー又は半導体レーザーが発する各可視レーザー光を重畳させる。エキシマレーザー光と可視光レーザー光との重畳において、複数の可視光のレーザー光源から発せられた複数の可視光レーザー光を重畳し、この重畳により形成される可視光レーザー光の光強度分布によって結晶成長を形成する。 （もっと読む）

【課題】制御性が良好でありながらも、より簡便な手順で低コスト化された薄膜の結晶化方法を提供する。
【解決手段】基板１上にゲート電極１１を覆う状態でゲート絶縁膜１３を成膜し、さらに非晶質シリコン膜（半導体薄膜）１５を成膜する。この上部にバッファ層１７を介して光吸収層１９を成膜する。光吸収層１９に対して、半導体レーザのような連続発振レーザからエネルギー線Ｌｈを照射する。これにより、光吸収層Ｌｈの表面側のみ酸化させつつ、光吸収層１９においてエネルギー線Ｌｈの熱変換によって発生させた熱と酸化の反応熱とにより非晶質シリコン膜１５を結晶化させた美結晶シリコン膜１５ａとする。 （もっと読む）

【課題】結晶化装置において、被処理基板上に転写される光変調素子あるいは金属開口の作る光強度分布を可視化する。
【解決手段】結晶化装置は、被処理基板上に紫外光域のレーザー光をパルス照射する紫外光用照射系と、被処理基板上において紫外光域のレーザー光の照射域と同一照射域に、可視光のレーザー光を連続照射する可視光照射系とを備える。紫外光域のレーザー光の均一照射によって溶融化した領域に、可視光のレーザー光の光強度分布によって結晶成長を形成する。結晶化装置は、紫外光域のレーザー光をパルス照射することによる溶融化と、可視光のレーザー光を連続照射することによる結晶化を組み合わせることで、結晶化を行うレーザー光の可視化を可能とする。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を用いた絶縁膜を低温プロセスで結晶化することが可能で、これによりガラス基板やプラスチック基板上に特性の向上が図られた素子を設けることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、金属酸化膜１５と非晶質シリコン膜１９との積層体を成膜形成する。積層体の上部に光吸収層２３を形成する。光吸収層２３で吸収される波長のエネルギー線Ｌｈを光吸収層２３に対して照射し、光吸収層２３で発生させた熱により非晶質シリコン膜１９と金属酸化膜１５とを同時に結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】低コスト、高発電効率、軽量であって一般家庭用途への適用が容易であり、しかもパネルの基材に樹脂材料を使用することもできる太陽電池パネルの製造方法及び薄膜シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】この太陽電池パネル１の製造方法は、基材２上に直接又はバッファ３層を介して第１〜第３非晶質膜４，７，８を製膜する工程と、製膜工程を繰り返して第２非晶質膜７を積層する工程と、第１非晶質薄膜４に金属１１をドープする工程と、金属１１ドープ後の第１非晶質膜４をアニール処理して金属１１を核とする多結晶又は準単結晶部１１ａを生成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの移動度の低下を防ぎ、かつＴＦＴ特性のばらつきを低減する。
【解決手段】半導体薄膜（６０８）を有する基板（５２０）に形成された２辺の長さがＡおよびＢの矩形のチャネル領域を有する薄膜トランジスタであって、半導体薄膜は結晶粒幅がＷｇ結晶粒長がＬｇの複数の針状の結晶粒（３０４）を有し、前記チャネル長の方向が前記結晶粒長の方向と角度θだけ傾いており、２辺の長さＡおよびＢが、Ｂ＋Ａ・ｔａｎθ＜Ｗｇ／ｃｏｓθ かつ Ａ＜Ｌｇ・ｃｏｓθを満たすようにレイアウトされているトランジスタ。また、半導体薄膜は結晶粒界（３０７）が結晶成長開始点から三角形状に形成された複数の三角形状の結晶粒を有し、三角形状の相対する結晶粒界は角度２θで広がって伸びており、結晶成長終了点での三角形状の底辺部分の幅がＷｇである場合、Ｂ＋２Ａ・ｔａｎθ＜Ｗｇを満たすようにレイアウトされているトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】結晶の面方位が制御された結晶性半導体膜を用いることで、均一なシリサイド膜を作製する方法及び、該シリサイド膜を用いた絶縁基板に形成された電気的特性のばらつきの小さい薄膜トランジスタの作製方法に関する。
【解決手段】キャップ膜を有する半導体膜を所定の条件でレーザ結晶化することにより結晶の面方位が一方向に制御された大粒径結晶からなる結晶性半導体膜を形成し、その結晶性半導体膜をシリサイドに用いることで、均一なシリサイド膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、液体シリコン材料中のＳｉ成分を高効率に利用することができるシリコン膜の形成方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係るシリコン膜の形成方法は、少なくとも重合開始末端を有する化合物を含む液体材料を基板の上に塗布する工程と、少なくともケイ素化合物を含む液体材料を前記基板の上に塗布する工程と、重合反応を停止させるための工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いることができる多結晶半導体膜を、非晶質半導体膜にフェムト秒レーザを照射して結晶化することにより作製する方法に関する。
【解決手段】フェムト秒レーザを使用してレーザ結晶化を行うことにより、キャップ膜を上面に成膜した非晶質半導体膜をレーザ結晶化する際に、半導体膜の結晶化とキャップ膜の除去とを同時に行うことが可能となる。そのため、後工程のキャップ膜除去の工程を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】 例えばＴＦＴのチャネル領域に結晶粒界が入らないように、十分に大きい放射角での結晶成長を実現することのできる結晶化装置。
【解決手段】 本発明の結晶化装置は、光変調素子（１）を介した光に基づいて所定の光強度分布を所定面に形成する結像光学系（３）と、所定面に非単結晶半導体膜（４）を保持するステージ（５）とを備え、所定の光強度分布を有する光を非単結晶半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する。非単結晶半導体膜の溶融温度に対応する光強度の等強度線の少なくとも一部の曲率半径が０．３μｍ以下であるような光強度分布を非単結晶半導体膜上に形成する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ（半導体装置）の特性を向上させる。特に、低温プロセスに有望なＴＦＴ構成を提供する。
【解決手段】基板（１）と、基板上に形成された第１の半導体膜（３）と、第１の半導体膜上に形成された絶縁膜（１３、１６）と、絶縁膜上に形成された第２の半導体膜（２０３）と、絶縁膜に囲まれ、第１の半導体膜と第２の半導体膜とに接する電極（Ｐ２）と、を含む半導体装置の、電極（Ｐ２）の第２の半導体膜（２０３）に接する部分を金属窒化物（１７）とする。このように電極の第２の半導体膜に接する部分に金属窒化物を設けたので、第２の半導体膜中への電極を構成する材料の拡散や、電極材料と半導体膜との不所望な反応を防止することができる。よって、半導体装置の特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有するＴＦＴを実現するために、製造工程を増加、複雑化させることなく、さらに、結晶性を低下させることなく半導体層を平坦化する方法、また、半導体層表面を平坦化させゲート絶縁膜との界面を安定させる方法を実現することを目的としている。
【解決手段】窒素、水素、または不活性気体から選ばれた一種の気体雰囲気または複数種の気体の混合雰囲気において、表面の酸化膜が除去された状態でレーザ光を照射することにより、表面が平坦化された結晶質半導体膜を形成する。表面の酸化膜が除去された状態でレーザ光を照射することにより、結晶質半導体膜の表面における最高点と最低点との差を６ｎｍ以下にすることができる。 （もっと読む）

【課題】非晶質薄膜及び／又は結晶性の低い薄膜を、薄膜の温度を低温に保ちつつ、短時間で結晶化させて得られ、均質で、且つ、樹脂基板上に形成可能である結晶薄膜、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】非晶質薄膜及び／又は結晶性の低い薄膜を、該薄膜の極近傍に薄膜面と平行に導電性の電極を配置した高周波印加装置内に配置し、高周波電界が該薄膜に集中する条件でプラズマを発生させ、温度を１５０℃以下に維持しながら、及び／又は、結晶化に要する時間１５分以内で、結晶化させて得られることを特徴とする。高周波電界が、非晶質薄膜等に集中するように、プラズマを発生させるために、高周波印加装置内の気体の圧力を最適に制御することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな装置を必要とすることなく、低温プロセスで絶縁膜の結晶欠陥を低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に半導体層１３、ゲート絶縁膜１４およびゲート電極１５をこの順に積層してトップゲート型の薄膜トランジスタを製造する。この際、塗布法により、ゲート絶縁膜１４を形成したのち、エネルギービームＥを照射する。これにより、半導体層１３がエネルギービームＥを吸収し、ゲート絶縁膜１４が加熱される。 （もっと読む）

【課題】結晶性が優秀な多結晶シリコンを形成すると同時に、結晶化時高温の結晶化温度による基板の曲がりを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着し、シリコン層をＨ_２Ｏ雰囲気、特定温度下で熱処理して非晶質シリコン層を部分結晶化する工程、部分結晶化された非晶質シリコン層をレーザ光を照射して多結晶シリコン膜を形成する工程と、多結晶シリコン層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを備えることによって、非晶質シリコンの固相結晶化法によって結晶化時高温の結晶化温度による基板の曲がりを防止することができ、製造された薄膜トランジスタの不良を減少させることができる。 （もっと読む）