多結晶層の製造方法において、基材（１）上に一連の層を堆積し、前記一連の層は、非晶質初期層（４）、金属活性層（２）および初期層（４、１０）と活性層（２、１１）との間に堆積された中間層（３）を含む。中間層（３）をチタンをベースとして製造する。活性層（２）に位置する多結晶最終層を製造するために一連の層を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大きな角型結晶を得る。
【解決手段】マスクには、レーザ光の照射によって略閉ループの結晶粒界に包囲された種結晶が形成するように種結晶形成用マスク要素群のスリットが配置され、種結晶中の特定位置を原点とするＸ−Ｙ直交座標系について、ｋを１から４の自然数とし、第ｋ象限におけるＸ軸正方向をｋＸ＋、Ｘ軸負方向をｋＸ−、Ｙ軸正方向をｋＹ＋、Ｙ軸負方向をｋＹ−とすると、種結晶形成用マスク要素群に続く種結晶伸張用マスク要素群を介して照射されるレーザ光の照射タイミングの制御と当該マスクの相対的な移動の制御とにより、略閉ループの結晶粒界に包囲された種結晶が、１Ｘ＋、１Ｙ＋、２Ｘ−、２Ｙ＋、３Ｘ−、３Ｙ−、４Ｘ＋、および４Ｙ−の各方向に伸張するように、種結晶伸張用マスク要素群のスリットが配置される。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ膜を活性層に用いた半導体素子において、低温プロセスを用いて半導体素子としての特性を向上させる。
【解決手段】ＺｎＯ膜４０を活性層に用いた半導体素子の活性層形成過程において、ＺｎＯ膜４０に対して紫外光のパルスレーザによってレーザアニールＬ１を行い低抵抗化し、このとき過度に低抵抗化したＺｎＯ膜４０のチャネル部の比抵抗値を酸化処理によって１０^３Ω・ｃｍ以上にまで上げる。 （もっと読む）

【課題】 新規な歪シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）基板表面の一部に、複数の凹部を形成する。（ｂ）複数の凹部の各々に、シリコンとは熱膨張係数の異なる絶縁性の膜を埋め込む。（ｃ）絶縁性の膜、及び基板の表面にシリコン膜を形成する。（ｄ）シリコン膜にレーザビームを照射して、シリコン膜をラテラルエピタキシャル成長させるとともに、ラテラルエピタキシャル成長させたシリコン膜に歪を導入する。 （もっと読む）

【課題】三次元半導体装置における特性を向上させることができる製造方法および装置構成を提供する。
【解決手段】第１半導体膜（９）上にカーボンナノチューブを備えるプラグ電極（１５）を形成する工程、形成されたプラグ電極（１５）の周囲に層間絶縁膜（１６，１８）を形成する工程、層間絶縁膜の表面を平滑化してプラグ電極（１５）の頂部を露出させる工程、層間絶縁膜およびプラグ電極の頂部上に非晶質の第２半導体膜を形成する工程、非晶質の第２半導体膜にエネルギーを供給して露出したプラグ電極（１５）を触媒として機能させて非晶質の第２半導体膜を結晶化させ結晶化した第２半導体膜（２３）とする工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 良質な単結晶シリコン膜を製造する。
【解決手段】 （ａ）単結晶シリコン基板表面の一部に、長さ方向に長く、幅方向に短い凹部を形成する。（ｂ）凹部に、シリコン基板より熱伝導係数の小さい絶縁性の膜を埋め込む。（ｃ）工程（ｂ）で埋め込まれた絶縁性の膜の長さ方向と平行な方向に長く、長さ方向に平行な一方の縁が絶縁性の膜上にあり、長さ方向に平行な他方の縁がシリコン基板表面が露出した領域上にあるシリコン膜を形成する。（ｄ）シリコン膜にレーザビームを照射して、シリコン基板に接触している部分から絶縁性の膜上の部分に向かって結晶成長させることにより、シリコン膜を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂などの破損による形状不良や特性不良などの半導体装置の不良を低減することを目的の一とする。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程中においても上記不良を低減することで半導体装置の製造歩留まりを向上させることを目的の一とする。
【解決手段】一対の第１の耐衝撃層及び第２の耐衝撃層に挟持された半導体集積回路において、半導体集積回路と第２の耐衝撃層との間に衝撃拡散層を有する。外部ストレスに対する耐衝撃層と、その衝撃を拡散する衝撃拡散層とを設けることで、半導体集積回路の単位面積あたりに加えられる力を軽減し、半導体集積回路を保護する。衝撃拡散層は弾性率が低く、破断係数が高い方が好ましい。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層を支持基板上に形成する際に、単結晶半導体層に欠損が生じた領域を、効率的に修復し、かつ該領域のトランジスタ特性を損なわない方法を提供する。
【解決手段】支持基板上に単結晶半導体層を形成した後、前記単結晶半導体層に生じた欠損領域を光学的手段により検出し、前記単結晶半導体層上及び前記欠損領域に非単結晶半導体層を形成し、前記欠損領域の情報と、回路設計情報と、に基づいて前記欠損領域の非単結晶半導体層を選択的に結晶化して結晶質半導体層を形成し、前記結晶質半導体層、あるいは前記単結晶半導体層、を含む半導体素子を形成する処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板の初期伸縮状態が個体毎に異なる要因、およびレーザー光照射で基板が熱膨張する要因による、レーザー光の照射位置の位置ずれを抑制する。
【解決手段】結晶化装置は、レーザー光を照射する照明光学系と、レーザー光を所定の光強度分布の光線に変調する光変調素子と、変調光を基板上に結像させる結像光学系と、基板を支持すると共に基板上の二次元位置を定める基板ステージとを備え、基板に設けられた薄膜を変調光により溶融して結晶化させる。各基板が共通に備える熱膨張による位置ずれ量と各基板に固有の初期伸縮量とを用いて照射位置の座標値を補正する補正手段と、補正手段の補正座標値を用いて、基板ステージ上の照射位置を補正制御する制御手段とを備える。初期伸縮量に基づいてレーザー光の照射位置を位置補正して基板が固有に備える位置ずれを解消し、熱膨張を予測して照射位置毎に位置補正することで熱膨張による位置ずれを解消する。 （もっと読む）

【課題】結晶面方位が一定であり、相対的に高密度に集積が可能であり、かつ、比較的簡単なプロセスを有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層に金属原子を導入して熱処理をすることにより半導体層の結晶配向を制御する半導体装置の製造方法（ＭＩＬＣ法）において、半導体層の一定形状を有する領域（１１４）に金属原子を導入する工程を備えることにより、半導体層に応力を生じさせ応力により半導体層の結晶面方位を制御するものである。この一定形状は、熱処理時に半導体層に応力を生じさせることが可能な角部（Ｐ）を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 例えばＴＦＴの作製に適用した場合に、ＴＦＴの移動度の向上およびＴＦＴ間の移動度の均一化を実現することのできる結晶化装置。
【解決手段】 光を位相変調する光変調素子（１）と、光変調素子により位相変調された光に基づいて、長辺同士が隣接する短冊状の繰返し領域に所定の光強度分布を形成する結像光学系（３）と、非単結晶半導体膜を保持するステージ（５）とを備え、非単結晶半導体膜に所定の光強度分布を有する光を照射して結晶化半導体膜を生成する。所定の光強度分布は、短冊状の繰返し領域の短辺方向の中心線に沿って下に凸で且つ短冊状の繰返し領域の長辺方向の中心線に沿って下に凸の分布を有する。短冊状の繰返し領域の中心から長辺方向の外側に向けて凸状に湾曲した等強度線を有し、該凸状に湾曲した等強度線のうち少なくとも１本の先端部の曲率半径は０．３μｍ以下である。短冊状の繰返し領域の短辺方向のピッチは２μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高温（６００℃以上）の加熱処理回数を低減し、さらなる低温プロセ
ス（６００℃以下）を実現するとともに、工程簡略化及びスループットの向上を
実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスク１０６ｂを用いて希ガ
ス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域１０８を形成し、加熱処理
により前記不純物領域１０８に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタ
リングを行った後、前記マスクを用いてパターニングを行い、結晶構造を有する
半導体膜からなる半導体層１０９を形成する。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された半導体装置を提供することを課題の一とする。また、薄型化された半導体装置の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】複数の半導体集積回路が固着された繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有する。複数の半導体集積回路はそれぞれ構造体に形成された開口に設けられ、光電変換素子と、側面に段差を有し幅寸法は段差よりも一方の面に向かう先の部分が小さい透光性基板と、透光性基板の他方の面に設けられた半導体素子層と、透光性基板の一方の面及び側面の一部を覆う有彩色の透光性樹脂層とを含む。複数の半導体集積回路において、有彩色の透光性樹脂層の色が異なる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、半導体膜の側面に接して設けられた第１の絶縁膜と、半導体膜及び第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられた第３の絶縁膜と、第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜に設けられ、半導体膜の一部及び前記第１の絶縁膜の一部を露出させる開口と、開口を介して半導体膜に電気的に接続する配線又は電極と、を有し、第１の絶縁膜は、半導体膜の側面に接する部分が一部エッチングされ窪んでおり、配線又は電極は、第１の絶縁膜の窪んだ部分に入り込んでいることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体層の電気的あるいは物理的特性の変化を生じることなく半導体層をアニールすることができ、製造効率の向上および大型の製品を製造可能なレーザーアニール方法、およびこの方法により製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】この方法は、半導体層上に窒素含有層を形成し（２００）、この窒素含有層は少なくとも３×１０²⁰原子／ｃｃの窒素濃度を有し、低酸素雰囲気で、前記窒素含有層の第１領域にレーザービームを照射し（２０２）、低酸素雰囲気で、一部が前記第１領域の一部と重なる前記窒素含有層の第２領域にレーザービームを照射する（２０４）。 （もっと読む）

【課題】半導体層欠損領域の修復の際に作業時間の増大を回避し、より効率的に修復を行うことができる、貼り合わせ法により単結晶半導体層を設けた半導体基板の製造方法の提供。
【解決手段】その製造方法は、支持基板に単結晶半導体層を貼り合わせ、該単結晶半導体層の欠損領域である半導体層欠損領域を欠損検知装置１により検出し、該単結晶半導体層上及び半導体層欠損領域に非単結晶半導体層を形成し、欠損検知装置１により検出された半導体層欠損領域の位置情報２２に基づいて半導体層欠損領域の非単結晶半導体層を結晶化する、又は結晶性を高める処理を行い、その後平坦化処理することにより残存する非単結晶半導体層を除去する。 （もっと読む）

【課題】 結晶核からの十分なラテラル成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化方法。
【解決手段】 本発明の結晶化方法では、光源（２ａ）からの光を位相シフトマスク（１）へ導いて該位相シフトマスクを透過させて形成された逆ピークパターンの光強度分布の光を被処理体（４）に照射して結晶化するのに際し、被処理体の被露光面での光強度分布を観察したのち結晶化する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させることができる連続発振のレーザー装置を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】基板上に半導体膜を形成し、半導体膜を複数のレーザ光により結晶化する。複数のレーザ光は基板の垂直方向から斜めに同じ入射角度φで入射することで高性能の半導体装置を提供する。特に、ビーム幅をＷとし、基板の厚みをｄとすると、φ≧ａｒｃｓｉｎ（Ｗ／２ｄ）という関係式を満たすことにより高性能の半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温下で、結晶粒や成長方向の制御を確実に行うことができ、これにより半導体特性に優れたポリシリコン層を効率よく形成可能なシリコンの結晶化方法、熱処理を施すことにより良好な結晶化がなされる非晶質部を備える接合体、前記結晶化方法により形成された半導体部を備える半導体装置を製造する方法、および、この方法により製造された半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明のシリコンの結晶化方法は、ａ−Ｓｉ膜３０ａ（非晶質部）と、ｃ−Ｓｉの種結晶３０ｃとを用意する工程と、ａ−Ｓｉ膜３０ａの表面と種結晶３０ｃの表面に、それぞれエネルギーを付与する工程と、ａ−Ｓｉ膜３０ａと種結晶３０ｃとを接合し接合体３０５を得る工程と、接合体３０５を加熱することにより、ａ−Ｓｉ膜３０ａを結晶化する工程とを有する。これにより、ａ−Ｓｉ膜３０ａと種結晶３０ｃとの接合界面が成長核となって結晶化が進行する。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域と、前記島状の半導体領域の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）