【課題】プラスチック支持体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】プラスチック支持体上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ
上に形成された接着層と、前記接着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され
た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された発光素子とを有する。また
は、プラスチック支持体と、前記プラスチック支持体に対向する対向基板と、前記プラス
チック支持体と前記対向基板との間に保持された液晶とを有し、前記プラスチック支持体
上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成された接着層と、前記接
着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタとを有する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が低減されて結晶性が良好な半導体膜の形成方法及びその成方法を用いて製造された半導体装置並びにディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に非晶質シリコン膜１２を形成する工程と、非晶質シリコン膜１２の表面に、結晶化を促進する触媒物質であるニッケルを含むニッケル薄膜１３を形成する工程と、非晶質シリコン膜１２を熱処理して、非晶質シリコン膜１２を結晶性シリコン膜１２に結晶化する工程と、結晶性シリコン膜１２に、隣接する各結晶粒の結晶方位角度差が、概略１０°以下あるいは５８°〜６２°を保持する最も高い値になるようなエネルギー密度を有するエキシマレーザーを照射して、結晶性シリコン膜１２の結晶性をさらに向上させて多結晶半導体膜とする工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】本願発明で開示する発明は、従来と比較して、さらに結晶成長に要する熱処理時間を短縮してプロセス簡略化を図る。
【解決手段】
一つの活性層２０４を挟んで二つの触媒元素導入領域２０１、２０２を配置して結晶化を行い、触媒元素導入領域２０１からの結晶成長と、触媒元素導入領域２０２からの結晶成長とがぶつかる境界部２０５をソース領域またはドレイン領域となる領域２０４ｂに形成する。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化しつつソース電極及びドレイン電極の導電性を向上させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板１０１上にゲート電極１０３を形成する工程と、ゲート電極１０３上にゲート絶縁層１０４を形成する工程と、ゲート絶縁層１０４上にアモルファスシリコン層１０５を形成する工程と、アモルファスシリコン層１０５上にアルミニウム層１１１を形成し、アルミニウム層１１１上にモリブデンタングステン層１１２を形成し、アルミニウム層１１１及びモリブデンタングステン層１１２を少なくとも含む積層体から構成されるソース電極１０９及びドレイン電極１１０を形成する工程と、ソース電極１０９及びドレイン電極１１０をマスクとしアモルファスシリコン層１０５にレーザを照射することでアモルファスシリコン層１０５の一部を結晶化させチャネル領域を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高集積化を妨げずに、多結晶ＴＦＴのオン電流及び移動度を高めることができる半導体装置の作製方法と、それによって得られる半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】半導体膜に触媒元素を添加して加熱することで、結晶性が高められた第１の領域と、第１の領域と比較して結晶性が劣っている第２の領域とを形成し、第１の領域に第１のレーザー光を照射することで、第１の領域よりも結晶性が高められた第３の領域を形成し、第２の領域に第２のレーザー光を照射することで、第２の領域よりも結晶性が高められた第４の領域を形成し、第３の領域と第４の領域をパターニングして、第１の島状の半導体膜と、第２の島状の半導体膜をそれぞれ形成し、第１と第２のレーザー光は、互いにエネルギー密度が同じであり、第１のレーザー光の走査速度は第２のレーザー光の走査速度より速い半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】歩留まり向上が可能で、かつ品質向上につながる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、及びそれらの製造方法、並びに表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板１上にゲート電極２を形成する工程と、ゲート電極２上にゲート絶縁膜３を形成する工程と、ゲート絶縁膜３上に、ゲート電極２の少なくとも一部と対向配置する半導体層１０のパターン形成する工程と、半導体層１０上にソース電極５、及びドレイン電極６を形成する工程と、ソース電極５、及びドレイン電極６をマスクとして、チャネル領域１０Ｃに相当する半導体層１０を所望の膜厚までエッチングする工程と、露出した半導体層１０にレーザ光を照射する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶面方位が一定であり、相対的に高密度に集積が可能であり、かつ、比較的簡単なプロセスを有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層に金属原子を導入して熱処理をすることにより半導体層の結晶配向を制御する半導体装置の製造方法（ＭＩＬＣ法）において、半導体層の一定形状を有する領域（１１４）に金属原子を導入する工程を備えることにより、半導体層に応力を生じさせ応力により半導体層の結晶面方位を制御するものである。この一定形状は、熱処理時に半導体層に応力を生じさせることが可能な角部（Ｐ）を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのチャネル領域に用いた場合にそのキャリア移動度を高め、且つ、特性ばらつきを小さくする多結晶半導体薄膜の製造方法、多結晶半導体薄膜、半導体装置及び表示装置を提供する。
【解決手段】多結晶半導体薄膜の製造方法は、特定のエネルギー密度の結晶化エネルギーを特定方向に走査しながら付与することにより、所定領域の非晶質珪素膜の膜面に平行に｛１０１｝面が優先配向し、結晶化エネルギーの走査方向に｛１００｝面が優先配向し、結晶化エネルギーの走査方向に対して直交する方向に｛１０１｝面が優先配向した結晶面を有する多結晶珪素の結晶核を形成する結晶核形成工程と、優先配向した結晶面に対応する領域以外の領域に非晶質珪素膜を形成する結晶核制御工程と、非晶質珪素膜に珪素膜の結晶化を助長する触媒物質を導入して膜面と略平行な方向に結晶成長させる結晶粒成長工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及びその製造方法を供給する。
【解決手段】薄膜トランジスタは基板と、該基板上に形成され、チャンネル層にシード及び結晶粒境界が存在しない半導体層パターンと、該半導体層パターン上に形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含む。この方法は、基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、該非晶質シリコン層を結晶化し、パターニングしてチャンネル層にシード及び結晶粒境界が存在しない半導体層パターンを形成する段階と、前記半導体層パターン上にゲート絶縁膜を形成する段階及び前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階とを含む。結晶化触媒の均一な低濃度制御及び結晶化位置を調節することによって、薄膜トランジスタのチャンネル層内にシード及び結晶粒境界が存在しないようにしたり、結晶粒境界が一つ存在するように調節して素子特性及び均一度を良くする。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が低減されて結晶性が良好な半導体膜の形成方法及びその成方法を用いて製造された半導体装置並びにディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に非晶質シリコン膜１２を形成する工程と、非晶質シリコン膜１２の表面に、結晶化を促進する触媒物質であるニッケルを含むニッケル薄膜１３を形成する工程と、非晶質シリコン膜１２を熱処理して、非晶質シリコン膜１２を結晶性シリコン膜１２に結晶化する工程と、結晶性シリコン膜１２に、隣接する各結晶粒の結晶方位角度差が、概略１０°以下あるいは５８°〜６２°を保持する最も高い値になるようなエネルギー密度を有するエキシマレーザーを照射して、結晶性シリコン膜１２の結晶性をさらに向上させて多結晶半導体膜とする工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】非表示領域にアラインマークを形成して結晶化工程中に多結晶シリコンの形成位置を正確に制御及び最適特性のアクティブ層を形成する。
【解決手段】表示領域２１１と非表示領域２１２とを有する基板２１０と、バッファ層２２０と、非表示領域２１２に対応するバッファ層２２０に形成されたアラインマーク２３０と、表示領域２１１に対応するバッファ層２２０に形成されたアクティブ層２４０と、ゲート絶縁膜２５０と、アクティブ層２４０に対応するゲート絶縁膜２５０に形成されたゲート電極２６０と、ゲート電極２６０に形成された層間絶縁膜２７０と、層間絶縁膜２７０に形成され、アクティブ層２４０と電気的に連結されるソース／ドレイン電極２８０と、ソース／ドレイン電極２８０に形成された絶縁膜２９０と、絶縁膜２９０に形成され、ソース／ドレイン電極２８０に電気的に接続される有機電界発光素子３００と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造プロセスにより、量産対象である大型のガラス基板に、信
頼性が高く、集積度の高い高性能半導体装置を得る。
【解決手段】結晶化を促進する微量の触媒元素であるニッケル１０５が導入さ
れたａ−Ｓｉ膜１０３を加熱処理して結晶化された結晶性のケイ素膜１０８の一
部の領域（高濃度不純物領域）１０８ｂに選択的に５族Ｂから選択された不純物
であるリン１１７を導入し、第２の加熱処理を行って、結晶性のケイ素膜１０８
のリン１１７が導入されていない領域（能動領域）１０８ａに含まれるニッケル
１０５を高濃度不純物領域に移動させる。この第２の加熱処理は、能動領域１０
８ａに含まれるニッケル１０５の濃度と高濃度不純物領域１０８ｂに含まれるニ
ッケル１０５の濃度とが少なくとも熱平衡状態の偏析状態に達しないように行う
。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法の１形態として、多結晶半導体を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する工程で、ＴＦＴ内部にあるチャネル領域に、異なる結晶粒径を有する構造を形成することは困難であった。そのため、チャネル領域に電流駆動能力の大きい結晶粒の大きいＴＦＴを形成すると寄生バイポーラ効果により電気的な動作が不安定になる。又寄生バイポーラ効果を抑制可能な微細結晶を用いた場合には、電流駆動能力が小さくなるという課題がある。
【解決手段】チャネル部分に半透過マスクを用いたパターンを形成し、レーザーアニールを行う場合に、チャネル近傍でのアニール後の結晶粒の分布を制御する。例えばチャネル中央領域に強いレーザーアニールを行い、ゲート端部に弱いレーザーアニールを施すことで寄生バイポーラ動作の発生を抑制し、且つ高い電流駆動能力を持つ半導体装置としてのＴＦＴの製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタの半導体に含まれている金属による漏洩電流を最少化して薄膜トランジスタの特性及び信頼度を向上させる。
【解決手段】本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、絶縁基板上に非晶質シリコン膜を形成する段階と、非晶質シリコン膜上に凹凸を有する犠牲膜を形成する段階と、犠牲膜上に金属板を接触させた後、熱処理することによって非晶質シリコン膜を結晶化して多結晶シリコン膜を形成する段階と、金属板及び犠牲膜を除去する段階と、多結晶シリコン膜をパターニングして島状部材を形成する段階と、島状部材を覆うようにゲート絶縁膜を形成する段階と、ゲート絶縁膜上に島状部材と一部分が重なるゲート線を形成する段階と、島状部材の所定領域に導電型不純物を高濃度にドーピングしてソース／ドレイン領域を形成する段階と、ゲート線及び島状部材を覆うように層間絶縁膜を形成する段階と、層間絶縁膜上にソース／ドレイン領域と連結されるデータ線及び出力電極を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】触媒元素のスピン添加法は、対角線の長さが５００ｍｍ以上の大型基板を用いる際、触媒元素添加量の基板内均一性が良くないという問題が顕著となる。触媒元素添加量の基板内不均一性は、熱結晶化後の結晶質半導体膜に於ける結晶性のバラツキに影響し最終的に当該結晶質半導体膜で構成されたＴＦＴの電気特性に悪影響を及ぼすことが考えられる。本発明は、上記問題点を解決することを課題とする。
【解決手段】触媒元素のスピン添加工程に於いて、絶縁性基板の中央部と、端部とにおける触媒元素の濃度比が２倍以内となるように添加するために、「触媒元素溶液の滴下」処理から「高速スピンによるスピン乾燥」処理に移行する間のスピン回転加速度を低くし、触媒元素添加量の基板内不均一性を改善する。 （もっと読む）

【課題】金属元素を用いて結晶化させた珪素膜を活性層として用いた半導体装置において、金属元素による半導体装置の特性への悪影響を排除する。
【解決手段】 珪素の結晶性を助長する金属元素を用いて結晶化させた結晶性珪素膜を活性層とする半導体装置において、ソース領域またはドレイン領域が形成される領域１１４、１１６に燐をドーピングし、加熱処理を施す。その際、領域１１５に存在する金属元素が、１２０、１２１で示されるように、燐がドーピングされた領域にゲッタリングされる。その結果、チャネル領域または低濃度不純物領域が形成される領域１１７乃至１１９における金属元素の濃度を低くすることができる。 （もっと読む）

【課題】金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜中の当該金属元素の影響を抑え、優れた性能を備えた半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】結晶化を助長する金属元素を利用して得た結晶性珪素膜で構成された活性層と、前記活性層上に形成されたゲイト絶縁膜と、を有し、前記ゲイト絶縁膜は、ハロゲン元素を含有する絶縁膜を有する。ハロゲン元素を含有する絶縁膜によって、結晶化を助長する金属元素を固定化し、ゲイト絶縁膜の機能低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】他の半導体装置と一体形成が可能な不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性メモリを構成するメモリ素子、スイッチング素子，および他の周辺回路をＴＦＴでもって基板上に一体形成する。メモリ素子ＴＦＴの半導体活性層の厚さが、他のＴＦＴの半導体活性層の厚さよりも薄いので、メモリ素子ＴＦＴのチャネル領域でインパクトイオン化が起こりやすくなる。こうすることによって、メモリ素子の低電圧書込み／消去を実現することができ、劣化が起こりにくく、小型化が可能な不揮発性メモリが提供される。 （もっと読む）

【課題】極めて結晶性に優れた半導体薄膜及びそれを用いた高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にプラズマＣＶＤ法によってフッ化水素酸とフッ化アンモニウムと界面活性剤の混合物に対するエッチングレートが１５０〜２００ｎｍ／ｍｉｎである二酸化珪素膜からなる下地膜を形成し、下地膜上に非晶質珪素膜を形成し、非晶質珪素膜を結晶化することによって面方位が概略｛１１１｝配向の結晶性珪素膜を形成し、結晶性珪素膜をエッチングすることによって島状半導体層を形成し、島状半導体層上にゲイト絶縁膜を形成し、ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴ各々は、半導体層と、半導体層上に接して形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を挟んで半導体層と重なるゲート電極とを有し、ｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極とｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極は同一の導電層からなり、ｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極は端部がテーパー状であって、側面とゲート絶縁膜の表面のなす角度が３度以上６０度以下の範囲にあり、ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極は端部がテーパー状であって、側面とゲート絶縁膜の表面のなす角度が７０度以上８５度以下の範囲にある。 （もっと読む）