【課題】大面積の基板上に低コストで微結晶性の半導体膜を形成することが可能な半導体膜の製造方法および薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】一次微結晶半導体膜１１に対して成膜成分を有しないプラズマ処理を行うことにより、一次微結晶半導体膜１１の一部をエッチングして薄膜化微結晶半導体膜１２を形成し、この薄膜化微結晶半導体膜１２から二次微結晶半導体膜１３を形成する。一次微結晶半導体膜１１のエッチングにより結晶性を乱す要因となっている部分が選択的に除去され、結晶性の良い薄膜化微結晶半導体膜１２となる。二次微結晶半導体膜１３は、薄膜化微結晶半導体膜１２の良好な結晶性を引き継いで成長し、基材１０との界面においてもアモルファス相が少なくなる。二次微結晶半導体膜１３を形成する前に、薄膜化微結晶半導体膜１２を、固相成長を起こす温度でアニール処理し、更に結晶性を高めてもよい。 （もっと読む）

【課題】特性の良い光電変換素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。または、簡単な工程で、特性の良い光センサ光電変換装置を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】光透過性を有する基板と、光透過性を有する基板上の絶縁層と、絶縁層上の、光電変換を奏する半導体領域、第１の導電型を示す半導体領域、および、第２の導電型を示す半導体領域を有する単結晶半導体層と、第１の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第１の電極と、第２の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第２の電極とを有する光電変換素子とを備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の単結晶半導体層中の酸素濃度を低減させる方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体層を溶融状態にすることによって酸素の外方拡散を促進する。具体的には、ベース基板上に設けられた酸素を含有する接合層と、前記酸素を含有する接合層上に設けられた単結晶半導体層と、を有するＳＯＩ構造を形成し、前記ベース基板の温度を５００℃以上の温度であって前記ベース基板の融点よりも低い温度に加熱した状態において、前記単結晶半導体層をレーザー光の照射により部分溶融させることによって、ＳＯＩ基板を作製する。 （もっと読む）

本発明は、1mmを越える粒度を持つ自立式結晶化シリコン薄膜の製法に係る。本発明は、また自立式シリコンリボンを製造するための該方法の利用およびこのようにして得られたリボンにも係る。 （もっと読む）

半導体材料を処理するための方法が開示される。開示される方法において、結晶構造を有する半導体材料が提供され、半導体材料の少なくとも一部分が熱源にさらされてメルトプールが形成され、次いで半導体材料が冷却される。この方法で処理された半導体材料も開示される。
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ＺＭＲ装置は、制御された温度のフローをシステム中に供給して、所望の結晶成長特性を与えながら、エネルギー消費を低下させる。装置は、冷却システムを含み、溶融した膜から所望量の熱を特に取り除いて、結晶化を促進することができる。さらに、装置は、チャンバー内でバックグラウンド温度を形成する加熱された壁を含むことができ、バックグラウンド温度は、チャンバー壁の冷却を減らすまたは無くすことにより、エネルギーの使用量を減らす。装置およびそれに対応する方法は、下側の基板に対して断熱を与える多孔性剥離層と直接的または間接的に結合した無機膜とともに、用いることができる。再結晶化された膜を基板から取りはずす場合、基板は再利用され得る。方法は、大きな表面積を有する、厚さが２ミクロン乃至１００ミクロンのシリコン膜に関して使用することができ、そのような膜は、光電用途および電子用途に適している。
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【課題】限りある資源を有効活用しつつ、優れた光電変換特性を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面から１０００ｎｍ未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ単結晶半導体基板の一表面側に第１不純物半導体層、第１電極を形成する。第１電極と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、脆化層又は当該脆化層の近傍を分離面として単結晶半導体基板を分離させることにより、支持基板上に第１単結晶半導体層を形成する。第１単結晶半導体層の分離面上に非晶質半導体層を形成し、熱処理を行い、非晶質半導体層を固相成長させて第２単結晶半導体層を形成する。第２単結晶半導体層上に、第１不純物半導体層とは逆の導電型の第２不純物半導体層を形成し、第２不純物半導体層上に第２電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板上にイオン注入法でＦｅ原子を導入し、表面にβ−ＦｅＳｉ_２層を有する光デバイス基板を製造するための最適の方法を提供すること。
【解決手段】ＳＯＩ基板の表面Ｓｉ層に鉄イオンを注入し、その後熱処理することによって、表面にβ−ＦｅＳｉ_２層を形成させることを特徴とする、表面にβ−ＦｅＳｉ_２層を有する光デバイス基板の製造方法。ＳＯＩ基板の表面Ｓｉ層への鉄イオンの注入量が、表面層のＦｅとＳｉの比が約１：２の組成比を満たす量であり、熱処理温度は、９００℃以上１１００℃未満で、処理時間は１分以上１０分未満であるのが好ましい。 （もっと読む）

光電荷による誘導加熱を利用してガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような非晶質または多結晶基板の上に形成される結晶性半導体薄膜の製造方法に関して開示する。この結晶性半導体薄膜の製造方法は、ガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような安価な非晶質または多結晶基板の上に低濃度半導体層を形成する工程と、光電荷を用いた誘導加熱で低濃度半導体層を結晶化する工程とを含む。これにより、一般的な非晶質半導体薄膜や多結晶半導体薄膜より優秀な特性を有する低濃度の結晶性半導体薄膜を、簡単な工程と少ない費用で得ることができる。 （もっと読む）

【課題】非晶質薄膜及び／又は結晶性の低い薄膜を、薄膜の温度を低温に保ちつつ、短時間で結晶化させて得られ、均質で、且つ、樹脂基板上に形成可能である結晶薄膜、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】非晶質薄膜及び／又は結晶性の低い薄膜を、該薄膜の極近傍に薄膜面と平行に導電性の電極を配置した高周波印加装置内に配置し、高周波電界が該薄膜に集中する条件でプラズマを発生させ、温度を１５０℃以下に維持しながら、及び／又は、結晶化に要する時間１５分以内で、結晶化させて得られることを特徴とする。高周波電界が、非晶質薄膜等に集中するように、プラズマを発生させるために、高周波印加装置内の気体の圧力を最適に制御することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】短時間高温加熱が可能でかつ安価に大面積化処理化を行うことができ、かつ下地のガラス基板を高温化することのなく、さらに化学的アニール効果も付与できる、半導体処理装置および半導体処理方法を提供する。
【解決手段】誘電率の小さい半導体膜においては、半導体膜上に蒸着または近傍に部分的に設置した金属または高誘電体物質に高周波電磁界を印加し、金属を設置した場合には誘導電流によるジュール加熱を用いて半導体薄膜１０内に熱誘起電子および正孔を発生させ、半導体を金属電導にしてマイクロ波によるジュール損失加熱を行う。高誘電体物質を設置した場合には高誘電体物質を誘電損失加熱して半導体薄膜内に熱誘起電子および正孔を発生させ、半導体を金属電導にしてマイクロ波によるジュール損失加熱を行う。誘電率の大きい半導体膜においては、金属や高誘電体物質を設置せずに直接誘電損失加熱を行う。 （もっと読む）

【課題】歪点の低いガラス（歪点：約６５０℃）を用いて、ガラス基板上のアモルファスシリコン膜を多結晶シリコン化することができ、かつガラス基板の軟化による変形を回避し、多結晶シリコン化のための処理時間を大幅に短縮でき、生産性を大幅に高めることができるガラス基板の熱処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１の歪点よりも高い温度で上面が所望の平面度を保持する耐熱支持板１０上にガラス基板の下面を接触させて水平に載せ、歪点よりも高い温度で熱処理して、ガラス基板上のアモルファスシリコン膜を多結晶シリコン化する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン型ＴＦＴを有する半導体装置用基板を製造する際に、所望の品質を有するポリシリコン膜を生産性良く形成できる半導体装置用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置用基板の製造方法は、基板２００上に導電性を有する材料膜２０４ｂを形成する工程と、基板上にアモルファスシリコン膜１を形成する工程と、材料膜を高周波誘導加熱することによって、アモルファスシリコン膜を加熱して、アモルファスシリコン膜を結晶化して、基板上にポリシリコン膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型ドーパントとしてガリウムを使用し、安定して高効率に結晶化するとともに高い結晶性を持った多結晶シリコンからなる結晶シリコン粒子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 酸素ガスおよび／または窒素ガスから成る反応性ガスを含む雰囲気ガス中で、所定量のガリウムをドープされた結晶シリコン粒子１０６を加熱してその表面に前記反応性ガスの成分を含む珪素化合物層を形成し、次に前記結晶シリコン粒子１０６を加熱して前記珪素化合物層よりも内部側を溶融させた後降温し凝固させて単結晶化して、結晶シリコン粒子１０６を製造する。 （もっと読む）

【課題】本願の目的は、Ｓｉ基板上に結晶性と表面モフォロジーの良い単結晶ＳｉＣ層を形成することにある。
【解決手段】本願の骨子は、Ｓｉ層上にＳｉやＳｉＣよりも融点の低いＳｉＧｅ層と非晶質ＳｉＣを形成し、これら積層構造をＳｉＧｅの融点以上に加熱することにより、ＳｉＣとＳｉ基板の間の歪みを緩和し、同時に非晶質ＳｉＣからの結晶化を行うことで、結晶性と表面諸フォジーが良好な単結晶ＳｉＣ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ安全な工程で、水素が注入された結晶質半導体粒子を製造することができる結晶質半導体粒子の製造方法、および該製造方法により製造された結晶質半導体粒子が使用され、高い光電変換効率を有する光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】結晶質シリコン粒子３の材料であるシリコン融液１１を粒状に排出して、落下させるとともに、該落下中にシリコン融液１１を冷却させて凝固させることにより結晶質シリコン粒子３を製造する。この際、シリコン融液１１を、水素化合物を含有する雰囲気中で落下させるとともに、該落下中にシリコン融液１１を冷却させて凝固させる。従って、簡素かつ安全な工程で、結晶中のダングリングボンドに水素が結合され、結晶欠陥が不活性化された結晶質シリコン粒子３を製造することができる。 （もっと読む）

半導体素子の熱処理システムに関する。本発明は、ＬＣＤまたはＯＬＥＤのような平板ディスプレイパネルに用いられるガラス基板の表面に形成される非晶質シリコン薄膜の結晶化または多結晶シリコン薄膜のドーパント活性化工程を含む半導体素子の熱処理工程において、熱処理温度で半導体素子が変形されないように予め所定の予熱温度まで半導体素子を均一に予熱して移送し、熱処理温度までランプヒータによる加熱と誘導起電力による誘導加熱によってさらに高い温度で早く熱処理を行い、熱処理工程が終わってから移送される半導体素子が変形されない所定温度まで均一に冷却させて排出することで、半導体素子の変形を防止しながら熱処理温度まで段階的に加熱温度を昇温及び冷却させて熱処理が迅速に行われるようにすることを特徴とする半導体素子の熱処理システム。
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半導体回路基板としての一次元半導体基板とその製造方法、および該一次元半導体基板を用いた素子、素子アレー、モジュール、ディスプレイ、太陽電池及び太陽電池モジュールとその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一次元半導体基板１あるいは２は、幅又は厚さ、あるいは径に対して１０倍以上の長さを持つ線状の基材３に所望の薄膜４を１層以上形成している。薄膜４に半導体を適用ことで一次元半導体薄膜が形成される。本発明の一次元半導体基板１あるいは２は、光ファイバの製造技術である線引技術を応用して製造される。 （もっと読む）

後に絶縁層およびシリコン薄膜が形成される基板中のシリコン薄膜の焼鈍方法が開示される。本方法は、基板が処理中に変態しない温度範囲内でシリコン薄膜を加熱または予備加熱して、そこに内因性キャリヤを生成させることにより、抵抗をジュール加熱が可能な値に低下する工程；および予備加熱されたシリコン薄膜に電界を印加して、ジュール加熱をキャリヤの移動によって引き起こすことにより、結晶化を行い、結晶欠陥を排除し、結晶成長を確実にする工程を含む。本方法を用いると、予備加熱条件に従って、ａ−Ｓｉ薄膜、ａ−Ｓｉ／ポリ−Ｓｉ薄膜またはポリ−Ｓｉ薄膜にジュール加熱が選択的に引き起こされ、それによって良好な品質のポリ−Ｓｉ薄膜が、非常に短時間に、基板を損傷することなく作製される。 （もっと読む）