【課題】非晶質半導体膜の結晶化工程において、非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なった、レーザアニールを行って得られた多結晶半導体膜を基に作製された薄膜トランジスタの電気的特性は非常に高いものとなるが、ばらつきが顕著になる場合がある。
【解決手段】非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なって連続的な結晶化領域の中に非晶質領域が点在する第１の多結晶半導体膜１０３ｂを得る。このとき、非晶質領域を所定の範囲に収めておく。そして、結晶化領域より非晶質領域にエネルギーを加えることができる波長域にあるレーザビームを第１の多結晶半導体膜１０３ｂに照射すると、結晶化領域を崩すことなく非晶質領域を結晶化させることができる。以上の結晶化工程を経て得られた第２の多結晶半導体膜を基にＴＦＴを作製すると、その電気的特性は高く、しかもばらつきの少ないものが得られる。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の酸化物半導体層を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを
目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上の、第１の酸化物半導体層の表面から内部に向かっ
て成長させた結晶領域を有する第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上の第２
の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層
と、第２の酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と
、ゲート絶縁層上の、第２の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、
第２の酸化物半導体層は、結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置であ
る。 （もっと読む）

【課題】 基板とシリコン層との間に電極形成用金属膜が設けられてなるボトムゲート型のシリコン複合体を、短時間で、クラックや反りの発生を小さく抑制しながら、アモルファスシリコンを結晶化させてシリコン層を結晶シリコンよりなるものに変質させることができるアモルファスシリコンの結晶化方法の提供。
【解決手段】 アモルファスシリコンの結晶化方法は、基板上にアモルファスシリコンによるシリコン層が形成され、当該基板とシリコン層との間に電極形成用金属膜が形成されてなるシリコン複合体を雰囲気加熱してシリコン層を結晶化度が３０〜７５％である結晶シリコンからなるものに変質させる予備加熱工程と、予備加熱工程を経たシリコン複合体のシリコン層に対してフラッシュランプからの光を照射して当該シリコン層を結晶化度が８０％以上である結晶シリコンからなるものに変質させる光照射加熱工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の酸化物半導体層を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上の、第１の酸化物半導体層の表面から内部に向かって成長させた結晶領域を有する第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、第２の酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の、第２の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、第２の酸化物半導体層は、結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体膜から金属元素を取り除く従来のゲッタリング工程と異なる方法により半導体膜中から金属元素を除去する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】金属元素を用いて結晶化された半導体膜に対して、パルスレーザを照射することにより、半導体膜にリッジが形成される。このリッジを除去することで、金属元素を除去する。リッジを除去したため半導体膜表面が荒れている場合、不活性雰囲気下で半導体膜にレーザを照射し半導体膜表面を平坦化する。 （もっと読む）

所定の材料の薄膜を形成する方法は次の工程を含む：表面上に上記所定の材料のアモルファスおよび／または多結晶膜１２を有する第１の基板１０が準備される；この第１の基板に疎水性直接結合（分子付着）によって、第２の基板２０が結合され、上記第２の基板は、その表面上に所定の結晶配向の単結晶参照膜２１を有する；少なくとも、アモルファスおよび／または多結晶膜に熱処理が適用され、上記熱処理は、このアモルファスおよび／または多結晶膜１２の少なくとも一部に参照膜２１の結晶配向に沿って固相再結晶を受けさせるように設計され、この参照膜は再結晶種として機能を果たす；少なくとも部分的に再結晶された膜は、参照膜の少なくとも一部から分離される。
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【課題】低コストでかつ処理時間を短縮しつつ充分な固相成長を得られる基板用熱処理装置を提供する。
【解決手段】アモルファスシリコン膜Ａを形成したガラス基板15を湾曲させた状態で保持可能な基板保持手段16を設ける。基板保持手段16により湾曲させた状態で保持したガラス基板15を加熱する熱処理手段17を設ける。ガラス基板15の湾曲によりアモルファスシリコン膜Ａに膜応力を発生させ、膜応力を駆動力として固相成長を促進させて、低コストでかつ処理時間を短縮しつつ充分な固相成長を得ることができる。 （もっと読む）

多結晶層の製造方法において、基材（１）上に一連の層を堆積し、前記一連の層は、非晶質初期層（４）、金属活性層（２）および初期層（４、１０）と活性層（２、１１）との間に堆積された中間層（３）を含む。中間層（３）をチタンをベースとして製造する。活性層（２）に位置する多結晶最終層を製造するために一連の層を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】結晶特性に優れた多結晶シリコンを製造するためのシリコンの結晶化方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンの結晶化方法は、（ａ）非晶質シリコン上に金属触媒を配置する段階と、（ｂ）前記金属触媒が配置された前記非晶質シリコンを結晶化すべく、第１の熱処理温度で熱処理する段階と、（ｃ）前記（ｂ）の段階で生成されたシリコン結晶粒内の結晶欠陥を除去すべく、前記第１の熱処理温度よりも高い第２の熱処理温度で熱処理する段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、低温下で結晶性の良好な単結晶および多結晶を提供することを目的とする。また、本発明は、固相成長法を用い、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明では、非晶質半導体薄膜を基板あるいは絶縁膜上に堆積するにあたり、特に、その膜を構成する主元素からなる非晶質膜の平均原子間隔分布が、単結晶の平均原子間隔分布にほぼ一致するように形成し、これに再結晶化エネルギーを付与し固相成長を行い単結晶半導体薄膜３を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来と異なる熱処理制御により、ダングリングボンドを有効に低減して、ライフタイムを効果的に向上させる。
【解決手段】半導体処理基板１に対して熱処理を行う熱処理装置１０であって、内部に熱処理対象の半導体処理基板１が配置され、熱処理時に内部が加熱される処理容器３と、処理容器３の内部を加熱する加熱装置１５と、処理容器３の内部に水蒸気を供給する水蒸気供給装置５と、を備える。熱処理時における処理容器３内の水蒸気分圧が常圧より高くなるように、水蒸気供給装置５は水蒸気を処理容器３の内部に供給する。 （もっと読む）

【課題】 高い移動度と移動度や閾値電圧特性のバラツキの小さいＴＦＴを得ることができる結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、表示装置、半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板上に設けた４０乃至１００ｎｍの非単結晶半導体薄膜にレーザ光を照射して結晶化する際に、基板表面上で逆ピークパターンを有する光強度分布を形成して、この光強度分布の光強度勾配を制御して、幅より結晶成長方向に長い形状で粒長方向に｛１００｝に優先配向した結晶化粒４を配列させた結晶化粒列を形成し、この結晶化粒列の複数の結晶化粒に跨がり結晶成長方向に電流が流れるようにソース領域およびドレイン領域を設けてＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型ドーパントとしてガリウムを使用し、安定して高効率に結晶化するとともに高い結晶性を持った多結晶シリコンからなる結晶シリコン粒子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 酸素ガスおよび／または窒素ガスから成る反応性ガスを含む雰囲気ガス中で、所定量のガリウムをドープされた結晶シリコン粒子１０６を加熱してその表面に前記反応性ガスの成分を含む珪素化合物層を形成し、次に前記結晶シリコン粒子１０６を加熱して前記珪素化合物層よりも内部側を溶融させた後降温し凝固させて単結晶化して、結晶シリコン粒子１０６を製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の品質に面内ばらつきが生じることを抑制できる半導体膜の結晶化方法を提供する。
【解決手段】半導体膜の結晶化方法は、基板５１０上に形成された半導体膜５０６に、第１のレーザ光５０３を基板５１０の底面５１０ａに対して傾斜した状態で照射しつつ、第１のレーザ光５０３とは異なる発振器から発振された第２のレーザ光５０４を、基板５１０の底面５１０ａに対して第１のレーザ光５０３とは反対の方向に傾斜した状態で照射することにより、半導体膜５０６の一部を溶融させ、かつ第１及び第２のレーザ光５０３、５０４の照射位置を、該第１又は第２のレーザ光５０３、５０４が傾斜している方向に略沿って走査して、半導体膜５０６の溶融している部分を移動させることにより、半導体膜５０６を結晶化するものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ハロゲン化アルミニウム、より好ましくは、塩化アルミニウム(AlCl₃)と異種金属又はこれらの金属化合物とを含む混合雰囲気の低温条件で非晶質シリコン薄膜を結晶化することによって、経済的且つ効率的に多結晶シリコン薄膜を製造することを目的とする。
【解決手段】 本発明の多結晶シリコン薄膜の製造方法は、基板上に形成された非晶質シリコン薄膜をハロゲン化アルミニウムと異種金属又はこれらの金属化合物を99:1〜1:99の比で混合された雰囲気下、400℃〜600℃の温度で熱処理する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体膜が形成された複数の基板をヒータによって加熱する際に、半導体膜の結晶性のばらつきを小さくすると共に、ヒータの寿命を可及的に延ばす。
【解決手段】非晶質半導体膜が形成された複数の基板２０を加熱する加熱装置５０であって、複数の基板２０が収容される処理室１０と、処理室１０の内部に収容された各基板を加熱する複数のヒータ３０と、複数のヒータ３０によって加熱されることにより各基板２０に対して輻射熱を放射する伝熱部４０と、各基板２０の温度が所定範囲に入るように、各ヒータ３０の発熱量を制御する第１制御部６０ａと、基板２０の加熱開始時から所定時間経過した後に、第１制御部６０ａにより制御された各ヒータ３０の発熱量のうちの少なくとも１つを、基板２０の加熱終了時まで零にする第２制御部６０ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】複数のレーザを用いて半導体膜のアニールを行うと、各々のレーザ照射領域の間隔が異なる。この工程の後に、予め基板上に形成したマーカーに合わせてリソグラフィ工程を行うと、レーザによって結晶化された部分に正しく露光されない。
【解決手段】レーザ照射工程で得られたレーザ照射領域をマーカーとし、ステッパの露光位置をこのレーザ照射領域中の大粒径領域に合わせて露光を行う。大粒径領域と結晶性不良領域では光の散乱強度が異なることを利用して、大粒径領域と結晶性不良領域を検出し、露光の位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】 配向変更された低欠陥密度のシリコンを形成する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、第１の結晶配向を有するＳｉの領域がイオン注入によってアモルファス化され、次に異なる配向を有するテンプレート層の配向に再結晶化される、アモルファス化／テンプレート再結晶化（ＡＴＲ）プロセスによって配向変更された低欠陥密度のＳｉを形成する方法を提供する。より具体的には、配向がアモルファス層の元の配向と同じ又は異なる層から、イオン注入により引き起こされるアモルファス化及びテンプレート再結晶化によって形成されたＳｉ含有単結晶半導体材料内に残っている欠陥をなくすのに必要な高温アニール条件に関する。本発明の方法の主要な要素は、最初の再結晶化アニール後に残る欠陥を除去するための、１２５０℃から１３３０℃までの温度範囲の数分から数時間の熱処理である。本発明はまた、ハイブリッド配向基板に用いるための、ＡＴＲによって形成される配向変更された低欠陥密度のＳｉも提供する。 （もっと読む）

【課題】 本発明はプラスチック基板若しくはプラスチックフィルム基板のように熱的に脆弱な基板に、多結晶半導体を用いて高機能集積回路を形成したプロセッサであって、さらに無線で電力又は信号の送受信を行う無線プロセッサ、無線メモリ、及びその情報処理システムを提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍであって島状に分離された半導体膜により、少なくともチャネル形成領域が形成されるトランジスタを有する素子形成領域、及びアンテナを有し、トランジスタは、可撓性基板上に固定されおり、素子形成領域により高機能集積回路が形成されている無線プロセッサであり、当該無線プロセッサと、半導体装置とは、アンテナを介してデータ送受信を行うことを特徴とする情報処理システムである。 （もっと読む）