【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】ベース基板（例えばガラス基板）と半導体基板（例えば単結晶シリコン基板）とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の半導体層（例えば単結晶シリコン層）の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。
【解決手段】溝部が設けられた半導体基板に、イオンを照射して半導体基板中に脆化領域を形成し、絶縁層を介して半導体基板とベース基板を貼り合わせると共に、半導体基板の溝部とベース基板とにより囲まれた空間を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域において半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁層を介して半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたアモルファス膜の結晶化を、基板表面に対して垂直方向（即ち下から上方向）ではなく略平行方向（即ち横方向）に進行させる結晶化膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、基板上にアモルファス膜１を形成し、前記アモルファス膜１にレーザ光を照射してレーザ光照射領域１ａを結晶化し、前記アモルファス膜１に熱処理を施すことにより、前記レーザ光照射領域以外のアモルファス膜１を結晶化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０
¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタを有する半導体装置であって、絶縁表面上に所定の間隔を隔てて互いに平行に配列された複数の短冊状の半導体膜と、前記複数の短冊状の半導体膜の上面及び側面に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記複数の短冊状の半導体膜の上面及び側面を覆うゲート電極を有する半導体装置である。半導体膜の上部及び側部をチャネル形成領域とすることで、電流駆動能力を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】平坦性を確保しつつ、結晶性の高い半導体膜を有する、ＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。
【解決手段】分離により絶縁膜上に単結晶の半導体膜を形成した後、該半導体膜の表面に存在する自然酸化膜を除去し、半導体膜に対して第１のレーザ光の照射を行う。第１のレーザ光の照射は、希ガス雰囲気下、窒素雰囲気下または減圧雰囲気下にて、半導体膜の任意の一点におけるレーザ光のショット数を７以上、より好ましくは１０以上１００以下とする。そして、第１のレーザ光の照射を行った後、半導体膜に対して第２のレーザ光の照射を行う。第２のレーザ光の照射は、希ガス雰囲気下、窒素雰囲気下または減圧雰囲気下にて、半導体膜の任意の一点におけるレーザ光のショット数を０より大きく２以下とする。 （もっと読む）

【課題】半導体膜への不純物の拡散を抑えつつ、歩留まりの低下を抑えることができるＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。
【解決手段】半導体基板の表面を熱酸化させることで、酸化膜が形成された半導体基板を形成する。そして、窒素原子を有するガス雰囲気下においてプラズマを発生させることにより、上記酸化膜の一部をプラズマ窒化させ、酸化膜上に窒素原子を含む絶縁膜が形成された半導体基板を得る。そして、窒素原子を含む絶縁膜とガラス基板を接合させた後、半導体基板を分離することで、ガラス基板上に窒素原子を含む絶縁膜、酸化膜、薄膜の半導体膜が順に積層されたＳＯＩ基板を形成する。 （もっと読む）

【課題】照射面またはその近傍におけるレーザ光の端部は、レンズの収差などにより、エネルギー密度が徐々に減衰しているこのような領域（減衰領域）は被照射体のアニールにおけるエネルギー密度が十分でないので前記被照射体に対して均一なアニールを行うことを提供する。
【解決手段】複数のレーザ光のうちの１つのレーザ光のスポットを切断して２つに分割し、分割されたレーザ光のそれぞれの切断面が外側となるように入れ替える手段と、複数のレーザ光を１つに重ね合わせ線状に形成する手段とを有し、重ね合わせ線状に形成する手段により重ね合わされた線状のレーザー光の長尺方向において、減衰領域を除いたエネルギー密度の平均値は±１０％以内であり、重ね合わされた線状のレーザ光は、分割された
レーザ光の切断面を長尺方向の両端部とし、かつ分割されたレーザ光同士は重なり合わない。 （もっと読む）

【課題】半導体膜が分離された後の分離後の半導体基板を、ＳＯＩ基板作製に用いることが可能な再生半導体基板に再生する際に、分離後の半導体基板の取り代を削減し、１枚の半導体基板を再生使用できる回数を増やす半導体基板の再生処理方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】半導体を酸化する酸化剤として機能する物質と、半導体の酸化物を溶解する物質と、半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質と、を含む混合溶液を用いて、分離後の半導体基板の周辺部に残存した脆化層及び半導体層を選択的に除去することを特徴とする半導体基板の再生処理方法である。なお、イオン注入装置により水素ガスから生成される、Ｈ^＋イオンを注入することにより半導体基板に形成する脆化層を用いて、半導体基板から半導体膜を分離する。 （もっと読む）

【課題】高精彩・高解像度・高画質・低消費電力の小型半導体表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体表示装置は、画素マトリクス回路、データ線駆動回路、および走査線駆動回路を有しており、これらの構成要素が多結晶ＴＦＴによって同一基板上に形成される。また、その製造方法における、触媒元素を用いた結晶性の助長化プロセス、および触媒元素のゲッタリングプロセスによって、小型にもかかわらず、高精細・高解像度・高画質の半導体表示装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の単結晶半導体層中の酸素濃度を低減させる方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体層を溶融状態にすることによって酸素の外方拡散を促進する。具体的には、ベース基板上に設けられた酸素を含有する接合層と、前記酸素を含有する接合層上に設けられた単結晶半導体層と、を有するＳＯＩ構造を形成し、前記ベース基板の温度を５００℃以上の温度であって前記ベース基板の融点よりも低い温度に加熱した状態において、前記単結晶半導体層をレーザー光の照射により部分溶融させることによって、ＳＯＩ基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板を使用したＳＯＩ基板上に形成しても、ゲート電極を形成する導電膜を成膜する際に該導電膜の加える応力により、ガラス基板上の絶縁膜及び半導体膜がはがれないような半導体装置の作製方法の提供を課題の一つとする。
【解決手段】ボンド基板上に第１の絶縁膜を形成し、ボンド基板の表面からイオンを添加することによって脆化層を形成し、ボンド基板を、第１の絶縁膜を介してガラス基板と貼り合わせ、ボンド基板を脆化層において分離してガラス基板上に第１の絶縁膜を介して半導体膜を形成し、第１の絶縁膜及び半導体膜の周辺領域を除去してガラス基板の一部を露出させ、半導体膜、第１の絶縁膜及びガラス基板上に接してゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に接して２層構造の積層導電膜を形成し、２層構造の積層導電膜として、上層に引っ張り応力を有する導電膜、下層に圧縮応力を有する導電膜を用いて半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】基板が設置されたステージをＸ方向やＹ方向に移動させるレーザー照射装置は、基板が大型化した場合、比例してフットプリント（処理に必要とされる平面での面積）が格段に大きくなり、装置全体の巨大化を招く問題が生じてしまう。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、ガルバノミラーやポリゴンミラーによりレーザー光を半導体膜に照射して走査させ、さらにレーザー光照射の際は、常に半導体膜への入射角度θをある角度に一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】保護膜や層間絶縁膜を形成する際に、島状半導体層の段差によるカバレッジ不良を低減する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】リンを含む層は真性または実質的に真性な層上の一部に形成され、金属膜はリンを含む層上に形成され、半導体膜は、四方の周辺部の領域において真性または実質的に真性な層から形成された１μｍ以上３００μｍ以下の突出部を有し、ゲイト電極と重なり、かつ金属膜と重ならない真性または実質的に真性な層と突出部は金属膜と重なる真性または実質的に真性な層より厚さが薄く、保護膜はゲイト電極と重なり、かつ金属膜と重ならない真性または実質的に真性な層と突出部とを覆っている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高温（６００℃以上）の加熱処理回数を低減し、さらなる低温プロセ
ス（６００℃以下）を実現するとともに、工程簡略化及びスループットの向上を
実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスク１０６ｂを用いて希ガ
ス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域１０８を形成し、加熱処理
により前記不純物領域１０８に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタ
リングを行った後、前記マスクを用いてパターニングを行い、結晶構造を有する
半導体膜からなる半導体層１０９を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に光処理する。
【解決手段】基板（Ｐ）の光処理したい領域を複数に分割した部分領域よりも小さい処理光スポット（Ｅ）を部分領域の一つ（Ａ１）に照射し、次いで隣接する部分領域との境界領域にも処理光スポット（Ｅ）の端部が当たるように位置調整しながら隣接する部分領域（Ａ２）に処理光スポット（Ｅ）を照射する際、境界領域から発生する蛍光強度（Ｌｐ）のパターンに基づいて処理光スポット（Ｅ）の位置調整を行う。
【効果】基板の位置ずれや熱変形による境界領域の位置変動および処理対象膜の厚み変化や組成変化があっても、部分領域同士の境界領域に部分領域の中央部と同等の光処理を施すことが出来る。 （もっと読む）

【課題】せり上げ構造を有する半導体装置において、せり上げる領域をエッチングする際に、活性層である島状半導体膜がエッチングされるのを抑制する。
【解決手段】島状半導体膜の表面を酸化あるいは窒化して第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜の一部の領域上に半導体膜を形成し、第１の絶縁膜の一部を除去して島状半導体膜の中の半導体膜が形成されていない領域を露出させ、島状半導体膜の表面及び半導体膜を酸化あるいは窒化して第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上にゲート電極を形成し、第２の絶縁膜をエッチングしてゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極をマスクとして島状半導体膜及び半導体膜に一導電型を付与する不純物元素を添加し、島状半導体膜及び半導体膜を加熱して不純物元素を活性化させ、島状半導体膜及び半導体膜を加熱することにより第１の絶縁膜が消失する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の生産効率を高めるため、５インチよりも大きく、できるだけ大口径の半導体基板を利用して半導体装置を製造することを課題とする。
【解決手段】第１の半導体ウエハの表面上にバッファ層を形成し、イオンドーピング装置によりＨ_３^＋イオンを第１の半導体ウエハに照射してバッファ層の下方に損傷領域を形成する。バッファ層を介して、第２の単結晶半導体基板と第１の単結晶半導体基板を密着させ、第２の単結晶半導体基板と第１の単結晶半導体基板とを貼り合わせ、第１の単結晶半導体基板の加熱によって損傷領域に亀裂を生じさせ、第１の単結晶半導体基板の一部を第１の単結晶半導体基板から分離する。第２の単結晶半導体基板に固定された単結晶半導体層を加熱しながら、単結晶半導体層にレーザビームを照射して平坦性の向上と結晶性の回復の両方を行う。 （もっと読む）