【課題】結晶欠陥が存在する単結晶半導体基板を用いたとしても単結晶半導体層の結晶欠陥が低減されたＳＯＩ基板の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板に第１の酸化膜を形成し、第１の酸化膜を除去し、第１の酸化膜が除去された単結晶半導体基板の表面に対してレーザ光を照射し、単結晶半導体基板に第２の酸化膜を形成し、第２の酸化膜を介して単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、第２の酸化膜と半導体基板とが向かい合うように接着させ、熱処理を行うことにより、脆化領域において単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された半導体基板を得る。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再結晶化し、結晶欠陥を修復する。再結晶化後の単結晶半導体層は深さ方向の濃度分布において、炭素濃度が極大を有する。 （もっと読む）

【課題】非耐熱性基板に悪影響を及ぼすことなしに、レーザー耐性を有する非晶質シリコン膜を形成するための脱水素化処理を提供すること。
【解決手段】非耐熱性の基板上に水素化非晶質シリコン膜を形成する工程、および、前記水素化非晶質シリコン膜に大気圧熱プラズマトーチを１ミリ秒以上５００ミリ秒以下の時間照射して、前記基板の表面を１０００℃以上２０００℃以下に加熱することにより、前記水素化非晶質シリコン膜から結合水素を除去する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された半導体装置を提供することを課題の一とする。また、薄型化された半導体装置の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】複数の半導体集積回路が固着された繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有する。複数の半導体集積回路はそれぞれ構造体に形成された開口に設けられ、光電変換素子と、側面に段差を有し幅寸法は段差よりも一方の面に向かう先の部分が小さい透光性基板と、透光性基板の他方の面に設けられた半導体素子層と、透光性基板の一方の面及び側面の一部を覆う有彩色の透光性樹脂層とを含む。複数の半導体集積回路において、有彩色の透光性樹脂層の色が異なる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が存在する単結晶半導体基板を用いる場合においても優れた特性のＳＯＩ基板を提供することを目的の一とする。また、このようなＳＯＩ基板を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面に、エピタキシャル成長法による単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層に第１の熱酸化処理を施して第１の酸化膜を形成し、第１の酸化膜の表面に対してイオンを照射することにより、単結晶半導体層にイオンを導入し、第１の酸化膜を介して、単結晶半導体層とベース基板を貼り合わせ、熱処理を施すことにより、イオンが導入された領域において単結晶半導体層を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層の一部を残存させ、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に対してレーザ光を照射し、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に第２の熱酸化処理を施して第２の酸化膜を形成した後、該第２の酸化膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板および半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定する。次いで、モニタ基板の複数の領域に対して互いに異なるエネルギー密度条件でレーザ光を照射し、レーザ光を照射後の単結晶半導体層のそれぞれの領域の炭素濃度及び水素濃度の深さ方向の濃度分布を測定し、炭素濃度が極大を有し、且つ水素濃度がショルダーピークを有するレーザ光の照射強度を最適なレーザ光の照射強度とする。モニタ基板を用いて検出した最適のエネルギー密度で、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、絶縁膜を介して単結晶半導体基板にイオンビームを照射することにより、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、絶縁膜上に接合層を形成し、接合層を間に挟んで単結晶半導体基板と向かい合うように、支持基板を貼り合わせ、熱処理を行うことにより、脆化領域に沿って単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された支持基板と単結晶半導体基板の一部とに分離し、単結晶半導体層に残存する脆化領域に対して第１のドライエッチング処理を行い、第１のエッチング処理が行われた単結晶半導体層の表面に対して、第２のドライエッチング処理を行い、単結晶半導体層に対してレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ駆動に適した比抵抗をもつ良質な無機膜を提供する。
【解決手段】一般式Ｎ_aＭ_bＱ_cＯ_d（式中ＮはＺｎまたはＭｇ、ＭはＴｉ、ＷまたはＭｏ、ＱはＩｎまたはＦｅであり、ａ，ｂ，ｃ，ｄは正の実数である）で表される無機膜を、Ｎの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも１つと、Ｍの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも１つと、Ｑの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも１つと、有機溶媒と、を含む原料液を基板上に塗布成膜し、加熱処理により製造する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体基板をベース基板に貼り合わせる場合であっても、貼り合わせ効率を向上すると共に、接合不良を抑制することを目的とする。
【解決手段】第１の基板支持台上に複数の半導体基板を設け、第２の基板支持台上にベース基板を設け、複数の半導体基板の表面とベース基板の表面が所定の間隔をもって対向するように、第１の基板支持台の上方に第２の基板支持台を配置し、複数の半導体基板又はベース基板を帯電させ、複数の半導体基板の表面とベース基板の表面の間隔を狭めることにより、ベース基板の表面に複数の半導体基板を接触させ、ベース基板の表面と複数の半導体基板の表面を接合させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層と半導体基板との密着性を向上させ、貼り合わせ不良を低減し、貼り合わせ工程及び半導体装置製造工程においても十分な接着強度をもつＳＯＩ基板の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】脆化層を形成する単結晶半導体基板側にハロゲンを含む絶縁膜を形成し、該ハロゲンを含む絶縁膜に対してプラズマ処理を行い、ハロゲンを含む絶縁膜と半導体基板の一方の面とが向かい合うようにボンディング（接着）させ、熱処理を行うことにより、脆化層において単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された半導体基板と単結晶半導体基板とに分離し、半導体基板に接着された単結晶半導体層に対して平坦化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ不良を低減し、且つ大面積の単結晶半導体膜を形成することを可能とするＳＯＩ基板の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】複数の第１の単結晶半導体膜が形成された第１の基板上に、接合層として機能する第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜を平坦化した後、第１の絶縁膜上に単結晶半導体基板を貼り合わせて熱処理を行い、第２の単結晶半導体膜を形成する。次いで、第１及び第２の単結晶半導体膜をシード層として第３の単結晶半導体膜を形成し、第３の単結晶半導体膜にイオンを導入して脆化層を形成した後、第３の単結晶半導体膜上に接合層として機能する第２の絶縁層を形成し、第２の基板を第２の絶縁膜上に重ね合わせて熱処理を行い、第２の絶縁膜を介して第２の基板上に、第３の単結晶半導体膜の一部を固定されたＳＯＩ基板を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とベース基板の貼り合わせを低温で行う場合であっても、半導体基板とベース基板との接合強度を十分に向上させることを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板と、絶縁体でなるベース基板とを用意し、半導体基板上に塩素原子を含有する酸化膜を形成し、酸化膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、半導体基板上の酸化膜に対してバイアス電圧を印加してプラズマ処理を行い、単結晶半導体基板の表面とベース基板の表面とを対向させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、脆化領域を境として分離することにより、ベース基板上に酸化膜を介して半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体薄膜又は実質的な単結晶半導体薄膜をチャネル形成領域として有する高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】高さが最大値から最大値と最小値の差分の１／２を示す領域の占める割合が、２９〜７２％である表面形状を持つ結晶性半導体薄膜を有する半導体装置。 （もっと読む）

位置が制御される結晶粒の領域を備える結晶半導体膜と、位置が制御される結晶粒の位置を基準として規定される位置にある結晶半導体膜の中に位置するデバイスとを含む、結晶膜の中の既知の位置に位置付けられる電子デバイスに関係する方法および装置が説明される。この方法は、各照射ステップが、膜のリソグラフィで画成される領域を少なくとも部分的に融解させ、横方向に結晶化させ、横方向成長長さに垂直である少なくとも１つの長い粒子境界を有する横方向に成長した結晶粒の領域を得る、３つ以上の重複する照射ステップを使用して半導体膜の少なくとも一部を照射することと、少なくとも１つの長い粒子境界の位置を識別することと、長い粒子境界の位置を基準にして規定される位置にある半導体膜の中に電子デバイスを製造することとを含む。
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【課題】熱処理において、基板の反りを抑制し、基板の局部的な温度変化によって生じる品質不良を抑制することを目的の一とする。
【解決手段】処理室と、処理室内に設けられた支持台と、支持台上に設けられ、被処理基板を支持する複数の支持体と、被処理基板を加熱する加熱手段とを設け、支持台に支持体を脱着可能な固定部を複数設け、複数の支持体を複数の固定部に選択的に取り付けることにより、複数の支持体の位置を可変可能とする。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせに係る不良を低減した均質な半導体基板を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板配置領域に複数の開口が設けられた基板支持台と、複数の開口の各々に配置された基板支持機構と、基板支持機構を昇降させる昇降機構と、基板支持台に対する基板支持機構と昇降機構の位置を調節する位置調節機構と、を有する基板貼り合わせ室の基板配置領域に第１の基板を配置し、第１の基板の上方に、第１の基板と接触しないように第２の基板を配置し、基板支持機構を上昇させることにより、第１の基板と前記第２の基板を接触させて、第１の基板と第２の基板の貼り合わせを行い、貼り合わせの後、第１の基板と前記第２の基板を搬送する前に、１５０℃以上４５０℃以下の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性が高い単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を作製する。
【解決手段】半導体基板に水素をドープして、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層の剥離面に加熱した高純度の窒素ガスを吹き付け、マイクロ波を照射しながら、レーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、単結晶半導体層の表面の平坦性を向上させ、かつ再単結晶化させる。また窒素ガスとマイクロ波を照射により溶融時間を長くし、再単結晶化をより効果的に行う。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の耐熱性が低く、かつ撓みやすい基板をベース基板に用いても、単結晶半導体層を精度良くベース基板に固定することを可能とする半導体基板製造装置を提供する。
【解決手段】接合層として機能する絶縁層が表面に設けられ、且つ表面から所定の深さの領域に脆化領域が設けられた単結晶半導体基板と、ベース基板と、の接合面を洗浄する洗浄部と、ベース基板及び単結晶半導体基板を貼り合わせ、周波数が３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の電磁波を照射して単結晶半導体基板を加熱し、損傷領域を劈開面として単結晶半導体基板を分離する電磁波照射部と、ベース基板に固定された単結晶半導体層を熱処理する熱処理部と、を有する半導体基板製造装置を用いて、ベース基板上に単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにＴＦＴを代表とする様々な素子を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の材料層１１を設け、前記第１の材料層１１に接して第２の材料層１２を設け、さらに積層成膜または５００℃以上の熱処理やレーザー光の照射処理を行っても、剥離前の第１の材料層が引張応力を有し、且つ第２の材料層が圧縮応力であれば、物理的手段で容易に第２の材料層１２の層内または界面において、きれいに分離することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の耐熱性の低いベース基板にバッファ層を介して、複数の単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】水素イオンを半導体基板に添加し、水素を多量に含んだ損傷領域と、バッファ層が形成された単結晶半導体基板を複数枚準備する。ベース基板に、この単結晶半導体基板を１枚または複数固定し、周波数が３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の電磁波を照射してベース基板上の単結晶半導体基板を損傷領域で分割する。単結晶半導体基板の固定と、電磁波の照射を繰り返して、ベース基板上に、必要な数の単結晶半導体基板が固定された半導体基板を作製する。さらに、この半導体基板の単結晶半導体層にレーザ光を照射して、溶融させ、再結晶化させる。 （もっと読む）