【課題】レーザー光の照射による単結晶半導体層の端部からの膜剥がれを抑制した、ＳＯＩ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】加速されたイオンを単結晶半導体基板に照射することによって、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、絶縁層を介して単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせ、脆化領域において単結晶半導体基板を分離してベース基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の端部を除去し、端部を除去した単結晶半導体層の表面にレーザー光を照射する。 （もっと読む）

本発明は半導体材料を照射するための方法に関し：半導体材料層の表面領域をレーザー照射パラメータを有する第１のレーザーで、領域の少なくとも一部を融解するように照射するステップと；照射パラメータを構成することによって照射プロセスを制御するステップと；を具え、本方法は更に、融解した領域部分の深度を定量するステップを具える点で特徴づけられている。更に、本発明は半導体材料を照射するための装置に関し：半導体材料層の表面領域を、領域の少なくとも一部を融解するように照射するための第１のレーザーであって、当該レーザーがレーザー照射パラメータを有する第１のレーザーと；レーザー照射パラメータを構成することによって照射プロセスを制御するためのコントローラと；を具え、本装置は更に、融解した領域部分の深度を定量する手段を具える点で特徴づけられている。 （もっと読む）

【課題】工程を簡単にしながらも、多結晶化された半導体層の厚みの変動を低減する。
【解決手段】半導体装置１は、基板１１の平坦な表面に形成された遮光膜１４と、遮光膜１４を直接に覆って基板１１に形成されると共に、平坦化された表面を有する平坦層１５と、遮光膜１４に重なるように平坦層１５上に形成され、多結晶化された半導体層１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】多結晶半導体をレーザアニール法によって形成する方法に於いて、多結晶半導体膜の表面ラフネスを低減する。
【解決手段】レーザアニール装置の光学系に非晶質シリコン半導体薄膜を成膜した基板１の走査方向における照射光強度分布を、高エネルギの光強度側の微結晶しきい値以上のエネルギ領域と表層のみ融合するエネルギ領域を有する分布として制御する透過率分布フィルタ６を設置し、通常のラインビームを利用するエキシマレーザアニール法または位相シフトストライプマスク法またはＳＬＳ法に適用する事によって、それぞれの方法で得られる多結晶の表面突起の高さを低減する。 （もっと読む）

【課題】撓みやすい基板をベース基板として用いる場合であっても、半導体層が設けられた基板（ベース基板）を歩留まりよく作製する。
【解決手段】半導体層が設けられた基板の作製方法において、基板上に設けられた半導体層にレーザ光を照射して当該半導体層の表面を平坦化する工程を有することを特徴とする。そして、前記半導体層の表面を平坦化する工程において、前記レーザ光の照射により前記半導体層が完全溶融するのに必要な最小の照射エネルギー密度を１００％としたとき、前記半導体層に照射する前記レーザ光の照射エネルギー密度を７２％以上９８％以下とし、好ましくは８５％以上９６％以下とする。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加を伴うことなく、結晶の異方性が異なる複数の領域を有する結晶化半導体膜を形成することができる結晶化半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】レーザビーム６を走査している最中に、レーザビーム６の単位時間当たりの照射量を複数の領域３・４・５に応じた照射量に連続して変えることにより、結晶の異方性の異なる複数の領域３・４・５からなる結晶化半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性及び再現性良く、高性能poly-Si薄膜が形成可能な、微結晶化判定方法を提供する。
【解決手段】表面にa-Si膜が形成された基板１８に、線状に整形されたパルスレーザ光を、線状レーザ光の短軸方向に移動しながらスキャン照射して、複数のエネルギー密度で、照射領域１９を形成する。白色平面光源１５から、レーザ光の長軸方向に並行に平面光を入射し、その反射光をＣＣＤ受光素子で受光する。ＣＣＤ受光素子が受光した反射光を解析して、微結晶化しきい値を判定し、その判定した微結晶化しきい値に基づいて、本照射を行う際のパルスレーザ光のエネルギー密度を決定する。エネルギー密度の減少に伴って、結晶粒径データの周期性が崩れる状態に移行するときのエネルギー密度を、基板表面の微結晶化しきい値とする。 （もっと読む）

【課題】機械的強度に優れたＳＯＩ基板及びその作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板に加速された水素イオンを照射することにより、単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板とベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、単結晶半導体基板を加熱し、脆化領域を境として分離することにより、ベース基板上に絶縁層を介して半導体層を形成し、半導体層の表面にレーザー光を照射して半導体層の少なくとも表層部を溶融させる際に窒素、酸素、又は炭素の少なくともいずれか一を半導体層に固溶する。 （もっと読む）

【課題】大粒径の結晶粒をち密に形成することができ、かつ低温処理の要求を満たすことができる結晶化方法を提供する。
【解決手段】非単結晶半導体膜のレーザ光入射面上にキャップ膜を設け、単調増加と単調減少を繰り返す断面逆三角形状ピークパターンを有する光強度分布のレーザ光を非単結晶半導体膜に照射する。 （もっと読む）

本開示は、基板表面上で継続的に前進する、長く狭いビーム形状のパルス照射を使用する、薄膜の結晶化のためのシステムおよび方法を説明する。本方法は、結晶化領域の質および性能の変動が減少された結晶化膜を提供する。一態様において、本方法は、第１の走査において、ｘ軸およびｙ軸を有する膜に、膜のｘ方向に複数の線状ビームレーザーパルスを継続的に照射して、第１のセットの照射領域を形成することと、該膜を、膜のｙ方向に、ある距離平行移動することであって、該距離が前記線状ビームの長さ未満である、平行移動することと、第２の走査において、膜の負のｘ方向に一連の線状ビームレーザーパルスを膜に継続的に照射して、第２のセットの照射領域を形成することと、を含み、第２のセットの照射領域のそれぞれが、第１のセットの照射領域の一部分と重複し、第１のセットおよび第２のセットの照射領域のそれぞれが、冷却時、１つ以上の結晶化領域を形成する。
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【課題】レーザアニールによって結晶化された半導体膜を補助容量電極として用いたとしても、表示不良を解消、あるいは目立たなくさせることができ、歩留まりを向上させることができる。
【解決手段】各補助容量７の一方の電極をなすように上記複数の画素について共通に形成された直線状の補助容量配線６と、各補助容量７の他方の電極をなすように複数の画素について個別に、かつ補助容量配線６に対向するように形成された補助容量電極１３ｆとを備え、各補助容量電極１３ｆは、補助容量配線６の長手方向と交差する方向にラスタスキャンされる連続発振レーザビーム、あるいは擬似連続発振レーザビームによりレーザアニーリングされることによって多結晶化、あるいは結晶が改質された半導体膜からなる。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層にレーザー光を照射する場合において、レーザー光の照射時に単結晶半導体層中に不純物元素が取り込まれるのを抑制することを目的の一とする。
【解決手段】ＳＯＩ基板の作製方法において、単結晶半導体基板と、ベース基板とを用意し、単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板とベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、単結晶半導体基板を加熱し、脆化領域を境として分離することにより、ベース基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層上に形成された酸化膜を除去し、酸化膜を除去した後に単結晶半導体層の表面にレーザー光を照射して単結晶半導体層の少なくとも表面を溶融させ、レーザー光の照射による単結晶半導体層の溶融回数は１回とする。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの主光束パルスによって少なくとも局所的に加熱すべき少なくとも１つの層（２）を含み、前記加熱すべき層の前表面に比べて深く位置する少なくとも１つのプライミング領域（４）を含む板状体を、少なくとも局所的に加熱する方法および装置に関し、主光束（７）は、前記加熱すべき層（２）の温度が高温範囲（ＰＨＴ）にあるときに前記加熱すべき層を加熱することができ、プライミング二次加熱手段（９）は、前記プライミング領域を低温範囲（ＰＢＴ）内の温度から前記高温範囲（ＰＨＴ）内の温度まで加熱することができる。
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【課題】ガラス基板のような耐熱性の低い基板をベース基板として使用した場合にも、実用に耐えうるＳＯＩ基板の作製方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板の作製において、ボンド基板中に脆化層を形成する際の水素イオンドーズ量を、ボンド基板の分離下限となる水素イオンドーズ量より増加して脆化層を形成し、ベース基板に貼り合わせたボンド基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体膜が形成されたＳＯＩ基板を形成し、該単結晶半導体膜の表面にレーザ光を照射して作製する。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再結晶化し、結晶欠陥を修復する。また、単結晶半導体層の結晶性を最良とするレーザ光のエネルギー密度をマイクロ波光導電減衰法によって検出する。 （もっと読む）

【課題】工程数を増加させることなくポリシリコン半導体薄膜のレーザー活性化を均一に行うことができ且つレーザー活性化時の汚染が防止されたポリシリコン半導体薄膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１０上にポリシリコン半導体薄膜１３を形成する工程と、ポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）にチャネル領域１３ｃ、ソース側拡散領域１３ｓ及びドレイン側拡散領域１３ｄを形成するために、ポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）上にマスク２３を形成する工程と、マスク２３の上方からイオン注入２４してポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）にソース側拡散領域１３ｓ及びドレイン側拡散領域１３ｄを形成する工程と、マスク２３を除去する工程と、マスク２３を除去したポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）上にシリコン薄膜２５を形成する工程と、シリコン薄膜２５の上方からレーザー２６を照射してポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）を活性化する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の縞状の模様（むら）の発生を抑制することを目的の一とする。又は、上記むらの発生を抑えて高品位な半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射して単結晶半導体基板に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板に形成された絶縁層の表面の、単結晶半導体基板の周縁部に対応する領域に、凹部又は凸部を形成し、絶縁層を介して、単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせ、熱処理を施すことにより、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層をパターニングして半導体素子を形成する際に、周縁部に対応する領域の単結晶半導体層を除去する。 （もっと読む）

【課題】レーザー光を照射する場合において、十分な特性のＳＯＩ基板を得ることを目的の一とする。又は、レーザー光の照射条件に起因するＳＯＩ基板の特性のばらつきを低減することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射して単結晶半導体基板に脆化領域を形成し、絶縁層を介して単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせ、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成し、熱処理を施して、半導体層中の欠陥を低減させた後、半導体層にレーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の照射条件に起因する半導体装置の特性のばらつきを低減することを目的の一とする。又は、基板の熱収縮に起因する半導体装置の特性ばらつきを低減することを目的の一とする。
【解決手段】貼り合わせによりベース基板上に設けられた単結晶半導体層にレーザー光を照射した後、第１の熱処理を施してその特性を向上させ、単結晶半導体層に導電型を付与する不純物元素を添加した後、第１の熱処理の温度より低い温度で第２の熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】レーザーアニールによる半導体層の均一性を増大させる方法を提供する。
【解決手段】半導体層の構造を変化させるプロセスおよび装置に関し,次のプロセスステップを有する。すなわち、半導体層３０の少なくとも１つの領域を第１のレーザ光３５で照射するステップと、半導体層３０の少なくとも１つの領域を少なくとも１つの第２のレーザ光２７で照射するステップとを有し、第１のレーザ光３５を照射した後に第２のレーザ光２７を一時的に照射し、第１のレーザ光３５の放射強度は第２のレーザ光２７よりも低く、第１のレーザ光３５および第２のレーザ光２７は１つのレーザビーム２１から生成される。 （もっと読む）