【課題】半導体膜の表面に優れた光閉じ込め効果を有する凹凸形状を形成して光電変換素子の感度を向上させる。
【解決手段】多結晶半導体膜１０は、基板１上に形成されており、ラテラル結晶を含む。多結晶半導体膜の表面に自己組織化的に形成されたテクスチャ構造を有し、その表面の二乗平均粗さが４ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】 広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板上に薄膜トランジスタ及び配線を有する半導体装置を製造する方法において、ガラス基板上に下地絶縁層を形成する工程と、前記下地絶縁層上に下地バリア層を形成する工程と、前記下地バリア層上にシード層を形成する工程と、前記シード層を前記配線に対応する形状にパターニングしてシード層パターンを形成する工程と、前記シード層パターンの表面に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程と、前記銅配線層マスクとして前記下地バリア層をパターニングする工程と、前記銅配線層を被覆するように絶縁層を形成する工程とを備えたことを特徴する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の結晶性若しくは表面の平坦性、又は結晶性及び表面の平坦性を高めることのできるレーザ照射装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】レーザ発振器と、レーザ発振器から射出されたレーザ光を線状に成形する光学系と、光学系によって成形された線状のレーザ光が照射される被照射物を載置するステージと、を有し、ステージは、支持台上に、ヒータ、不純物吸着材及び被照射物を載置する載置台が順に固定されているレーザ照射装置を用いて、絶縁表面上に設けられた半導体膜にレーザ光を照射し、半導体膜を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】 本発明では剥離技術を用いることにより様々な基板上に薄膜素子を形成し、従
来の技術では不可能であると考えられていた部分に薄膜素子を形成することにより、省ス
ペース化を図ると共に耐衝撃性やフレキシビリティに優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明では、剥離技術を用いて一旦基板から剥離させた膜厚５０μｍ以下
の素子形成層を基板上に固着することにより、様々な基板上に薄膜素子を形成することを
特徴とする。例えば、可撓性基板上に固着された薄膜素子をパネルの裏面に貼り付けたり
、直接パネルの裏面に固着したり、さらには、パネルに貼り付けられたＦＰＣ上に薄膜素
子を固着することにより、省スペース化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】炭化シリコンを含む半導体基板の新たな作製方法を提供することを目的の一とする。または、炭化シリコンを用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】炭化シリコン基板にイオンを添加することにより、炭化シリコン基板中に脆化領域を形成し、炭化シリコン基板とベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、炭化シリコン基板を加熱して、脆化領域において炭化シリコン基板を分離することにより、ベース基板上に絶縁層を介して炭化シリコン層を形成し、炭化シリコン層を１０００℃〜１３００℃の温度で熱処理して、炭化シリコン層の欠陥を低減することにより半導体基板を作製する。または、上述のようにして形成された半導体基板を用いて半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】ベース基板（例えばガラス基板）とボンド基板（例えば単結晶シリコン基板）とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の半導体層（例えば単結晶シリコン層）の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて歩留まりの高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせると共に、ボンド基板とベース基板の一部に、ボンド基板とベース基板とが貼り合わない領域であってボンド基板とベース基板によって閉じられた領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】段差部において膜厚の急激な変動が抑制された半導体膜を含む半導体基板、およびその製造方法、並びに、その半導体基板を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板１は、下地基板１０と、下地基板１０上の一部に形成されている金属膜２０と、金属膜２０を覆うようにして下地基板１０上に形成されている絶縁膜３０と、絶縁膜３０上に形成され、かつ結晶化された半導体膜４０とを備えている。絶縁膜３０は、金属膜２０の端部において段差部を有し、当該段差部の下地基板１０に対して垂直な断面形状が、外に膨らむ「Ｒ」形状を呈している。上記段差面は、その上端部から下端部に向かって、テーパー角度ψが略０°から徐々に大きくなって、略４０°〜９０°であるテーパー角度θになるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】光センサーと遮光膜を有する半導体装置において、段切れや膜剥がれに起因にする歩留まりの低下を防止することができるとともに、暗電流の増大を防止して光センサーの性能の低下を防止することができる半導体装置及びその製造方法、並びに液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】フォトダイオード１５を構成するポリシリコン膜を形成する部分Ｂの非晶質シリコン膜３０の厚みＷ１が、遮光膜２８の周縁に対応した部分Ａの非晶質シリコン膜３０の厚みＷ２より薄くなるように、非晶質シリコン膜３０を薄膜化する。そして、非晶質シリコン膜３０にレーザー光を走査して、非晶質シリコン膜３０を多結晶化させてポリシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際のシリコン層の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて歩留まりの高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせると共に、ボンド基板とベース基板の一部に貼り合わない領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】連続発振又は擬似連続発振のレーザー光を用いて、結晶成長が連続で且つ表面が平坦な結晶質半導体膜を形成する。
【解決手段】絶縁基板に成膜された非晶質半導体膜１２ａに連続発振又は擬似連続発振のレーザー光のスポット形状が細長のビームＢを、絶縁基板の一方側から他方側に向かって走査しながら照射する往路動作、及び絶縁基板の他方側から一方側に向かって走査しながら照射する復路動作を交互に繰り返して、先の動作で照射されたビームＢの照射領域Ｒの側端部にオーバーラップするようにビームＢを照射することにより、結晶質半導体膜１２ｂを形成する半導体膜の製造方法であって、往路動作及び復路動作では、ビームＢの長さ方向におけるビームＢの照射領域Ｒの側端部にオーバーラップする側がビームＢの走査方向Ｓ側に傾斜するようにビームＢを照射する。 （もっと読む）

【課題】大面積な半導体装置を低コストに提供することを目的の一とする。または、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタに最適な結晶面をチャネル形成領域とすることにより、性能向上を図ることを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に（２１１）面から±１０°以内の面を上面とする島状の単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の上面及び側面に接して形成し、且つ絶縁表面上に非単結晶半導体層を形成し、非単結晶半導体層にレーザー光を照射して非単結晶半導体層を溶融し、且つ、単結晶半導体層を種結晶として絶縁表面上に形成された非単結晶半導体層を結晶化して結晶性半導体層を形成し、結晶性半導体層を用いて、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】第１の導電膜１０２と、絶縁膜１０４と、半導体膜１０６と、不純物半導体膜１０８と、第２の導電膜１１０とを積層し、この上に多階調マスクを用いて凹部を有するレジストマスク１１２を形成し、第１のエッチングを行って薄膜積層体を形成し、第１の導電膜１０２がエッチングされた膜１１３に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層１１６Ａを形成し、その後ソース電極及びドレイン電極等を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。半導体膜としては結晶性半導体膜１０６を用いる。 （もっと読む）

【課題】活性層からバルク層に達した孔部で堆積中のアモルファスもしくは多結晶シリコンを単結晶化させる際に埋め込み酸化膜の領域での欠陥発生を抑制させる部分ＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】活性層を被う保護膜の一部に形成された窓部を通して、活性層と埋め込み酸化膜との各一部をエッチングして孔部を形成後、孔部にアモルファスシリコンを堆積させる。孔部内のアモルファスシリコンを、単結晶化させる場合に高エネルギ光の照射を行うことでエピタキシャル成長速度を速め、埋め込み酸化膜の領域を通過する際に発生する欠陥密度を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ミッシングパルスの発生を迅速に判定する。シャッタの開閉のタイミングによってミッシングパルスの発生を誤判定してしまうことを防止する。
【解決手段】シャッタ開信号ｂの立上りから所定の期間Ｇ内に閾値ｒ以上のビームセンサ信号ｂが検知されない場合にミッシングパルスがあったと判定する。ｎを自然数とし、αをシャッタの開タイミングの最大ずれ時間とするとき、ｎ×Ｔ＋α＜Ｇ＜（ｎ＋１）×Ｔ−αとする。
【効果】ｎミッシングパルスが発生した時、ただちにミッシングパルスの発生を判定することが出来る。シャッタの開閉のタイミングによってミッシングパルスの発生を誤判定してしまうことがない。 （もっと読む）

【課題】外部から局所的に圧力がかかっても破損しにくい半導体装置を提供する。また、
外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高い半導体装置を歩留まり高く作製する方
法を提供する。
【解決手段】非単結晶半導体層を用いて形成された半導体素子を有する素子層上に、有機
化合物または無機化合物の高強度繊維に有機樹脂が含浸された構造体を設け、加熱圧着す
ることにより、有機化合物または無機化合物の高強度繊維に有機樹脂が含浸された構造体
及び素子層が固着された半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に薄膜半導体層を形成した３次元集積回路装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に、単結晶もしくは準単結晶の２層の薄膜半導体層１３，１６が層間絶縁層１４を介して積層され、２層の薄膜半導体層１３，１６は、下層の第１層の薄膜半導体層１３と上層の第２層の薄膜半導体層１６とが異なる材料であり、２層の薄膜半導体層１３，１６が、層間絶縁層１４に形成された開口内を埋めて形成された、エピタキシャル層１５によって接続され、エピタキシャル層１５の表面部は、第２層の薄膜半導体層１６と同じ材料の層であり、第１層の薄膜半導体層１３及び第２層の薄膜半導体層１６のうち、１層以上に能動素子Ｔｒ２１，Ｔｒ２２が形成されている３次元集積回路装置１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】（１１０）面の配向度が向上した他結晶シリコン膜を、ニッケル等を添加することなく得る。
【解決手段】基板１上に堆積された非晶質半導体膜３の被照射領域１０にレーザー４を照射して、被照射領域１０の一部を溶融領域２０とした後、溶融領域２０の中心方向へ向けて溶融状態にある非晶質半導体膜３の再結晶化させる第１工程と、被照射領域１０を短軸方向に移動させる第２工程と、を交互に繰り返して行う結晶性半導体膜３２の製造方法であって、第１工程は溶融された非晶質半導体膜３が両端部より結晶成長が進行して交わる前に固化した非多結晶領域３６が該照射領域１０の長軸方向に間欠的に存在するようにレーザー４を照射する工程で、第２工程はＮ回目の第１工程で形成された非多結晶領域３６がＮ＋１回目の第１工程で形成される溶融領域２２に含まれるように被照射領域１０を移動させる工程である、ことを特徴とする結晶性半導体膜３２の製造方法。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ基板の活性層用ウェーハの表面に、結晶面が異なる領域を簡単に形成可能な貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】高エネルギ光を、活性層用ウェーハの素材は溶融しないが、吸光係数が高いアモルファスシリコンは溶融する条件で貼り合わせ基板の活性層用ウェーハ側の面に照射し、この窓部内のシリコンを溶融させて固化させる。このとき、アモルファスシリコンを単結晶シリコンに液相エピタキシーにより変質させれば、貼り合わせ基板の活性層用ウェーハの表面に、結晶面が異なる領域を簡単に形成できる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板上に酸化膜を形成し、酸化膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板中に脆化領域を形成し、酸化膜を間に挟んで単結晶半導体基板と向かい合うように支持基板を貼り合わせ、単結晶半導体基板を加熱することにより、脆化領域において、単結晶半導体層が貼り合わされた支持基板と単結晶半導体基板の一部とに分離し、支持基板に貼り合わされた単結晶半導体層の表面に対して、基板バイアスを印加して第１のエッチングを行い、単結晶半導体層に対してレーザビームを照射して、単結晶半導体層の少なくとも表面の一部を溶融した後、凝固させ、単結晶半導体層の表面に対して、基板バイアスを印加することなく第２のエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールに際し、レーザ出力の変動に拘わらず結晶化の均一性を確保する。
【解決手段】非単結晶半導体膜上にパルスレーザ光を照射してアニール処理を行うレーザアニール処理方法において、前記レーザ光のパルス波形の最大ピーク高さが所定の高さとなるように、前記パルスレーザ光のエネルギー制御を行う。該制御は、パルスレーザ光を出力するレーザ発振器１と、パルスレーザ光を非単結晶半導体膜に導く光学系４と、前記パルスレーザ光の最大ピーク高さを測定する最大ピーク高さ測定部と、該最大ピーク高さ測定部の測定結果を受けて、前記最大ピーク高さが所定の高さとなるように、前記レーザ発振器におけるパルスレーザ光の出力エネルギーまたはパルスレーザ光の減衰率を調整する可変減衰器２を制御する制御部８を備えるレーザアニール装置により行うことができる。 （もっと読む）