【課題】レーザー光を照射することにより単結晶半導体層の結晶性を回復させる場合であっても、レーザー光の照射時に酸素が取り込まれるのを抑制し、レーザー光の照射前後において、単結晶半導体層に含まれる酸素濃度を同等又は低減することを目的の一とする。
【解決手段】貼り合わせによりベース基板上に設けられた単結晶半導体層にレーザー光を照射して当該単結晶半導体層の結晶性を回復（再単結晶化）させる工程を有し、レーザー光の照射を還元性雰囲気下または不活性雰囲気下で行う。 （もっと読む）

【課題】半導体層とベース基板との密着性を向上させ、貼り合わせ不良を低減することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板上に酸化膜を形成し、酸化膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、半導体基板上の酸化膜及びベース基板上に対して、バイアス電圧を印加してプラズマ処理を行い、半導体基板の表面とベース基板の表面とを対向させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、脆化領域を境として分離することにより、ベース基板上に酸化膜を介して半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザー光を半導体膜に照射する半導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】発振器からレーザー光を発振させ、シリンドリカル凹レンズ及び第一のシリンドリカル凸レンズを通過させることにより、レーザー光の断面の第一の方向に伸長させ、第一のレンズアレイを通過させることにより、第一の方向におけるエネルギー密度の分布を均一にし、第二のレンズアレイを通過させることにより、第一の方向と直交する第二の方向におけるエネルギー密度の分布を均一にし、且つ第二の方向に伸長させ、第二のシリンドリカル凸レンズを通過させることにより、第一の方向に収束させ、第二のシリンドリカル凸レンズを通過したレーザー光を、半導体膜に照射する。 （もっと読む）

【課題】ベース基板としてガラス基板を用いた場合にも、実用に耐えうる半導体層を備えたＳＯＩ基板及びその作製方法を提供することを課題の一とする。または、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ＳＯＩ基板のベース基板として用いるガラス基板の少なくとも一方の面上に変質層を形成して、ＳＯＩ基板を作製する。変質層は、ガラス基板を塩酸、硫酸又は硝酸を含む溶液で洗浄することによって、ガラス基板の少なくとも一方の面上に形成する。変質層は、ガラス基板より、その組成において酸化シリコンの割合が大きく、密度が低い層である。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層の結晶性及び平坦性を高めることのできる技術的手段を提供することを目的の一とする。
【解決手段】表面に絶縁膜が形成され、表面から所定の深さの領域に脆化領域が形成された単結晶半導体基板と、支持基板とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、熱処理を行い脆化領域において分離することにより、支持基板上に絶縁膜を介して単結晶半導体層に対してレーザ光を照射し、前記単結晶半導体層の表面をエッチングし、前記単結晶半導体層の表面にプラズマ処理を行うことにより結晶欠陥を低減させる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とベース基板の貼り合わせにおいて、窒素を含有する絶縁膜を接合層として用いる場合であっても、接合強度を向上させ、ＳＯＩ基板の信頼性を向上させることを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板側に酸化膜を設け、ベース基板側に窒素含有層を設け、半導体基板上に形成された酸化膜とベース基板上に形成された窒素含有層を接合する。また、半導体基板上に形成された酸化膜とベース基板上に形成された窒素含有層を接合する前に、酸化膜と窒素含有層の少なくとも一方に対してプラズマ処理を行う。プラズマ処理は、バイアス電圧が印加された状態で行うことができる。 （もっと読む）

【課題】結像レンズがレーザー光を吸収して熱膨張することによる焦点位置の位置ずれを補正する。
【解決手段】基板の高さ変化量を換算して求めた結像レンズの位置ずれ量と、レーザー光の照射積算時間に基づいて求めた結像レンズの焦点の位置ずれ量とを加算して、結像レンズの熱膨張によるビーム集光位置の変動を補正するための補正移動量を算出し、この補正移動量を用いて結像レンズ移動部を駆動して結像レンズを移動することによって焦点位置の位置ずれを補正する。 （もっと読む）

【課題】遮光層を有する構成でも、遮光層を有していない構成に対して液晶装置の製造工数や製造コストの上昇を抑えることができる半導体膜の形成方法および液晶装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体膜４０の形成方法は、基板１１上に、断面形状が台形状の遮光層２１ａを局所的に形成する遮光層形成工程と、遮光層２１ａを覆って、遮光層２１ａに重なる段差部２２ａを備えた絶縁層２２を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層２２上に、段差部２２ａを覆う非晶質の半導体膜４０を形成する半導体膜形成工程と、半導体膜４０をアニールして結晶化させる結晶化工程と、を備え、遮光層形成工程では、遮光層２１ａにおける上底側の角部Ｃ１，Ｃ２が直角または鈍角をなして角張るように形成し、絶縁層形成工程では、絶縁層２２の段差部２２ａにおける表面が角部Ｃ１，Ｃ２の形状に沿った形状となるように形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】量産に適した半導体基板、及び当該半導体基板を用いた半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】支持基板上に絶縁層、第１の電極、第１の不純物半導体層を少なくとも有する積層体を形成し、第１の不純物半導体層上に一導電型を付与する不純物元素が添加された第１の半導体層を形成し、第１の半導体層上に、一導電型を付与する不純物元素が添加された第２の半導体層を、第１の半導体層とは異なる条件により形成し、固相成長法により、第１の半導体層及び第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の不純物半導体層を形成し、第２の不純物半導体層に、一導電型を付与する不純物元素を添加し、一導電型とは異なる導電型を付与する不純物元素を添加し、ゲート絶縁層を介してゲート電極層を形成し、ソース電極層又はドレイン電極層を形成する。 （もっと読む）

【課題】定常運転時とメンテナンス時とにかかわらずレーザが発振しているか否かを常に明示して作業者が現場で直接的に安全確認をすることができる発振レーザ明示機能を有する結晶化装置及び結晶化装置における発振レーザ明示方法を提供する。
【解決手段】レーザ光路を取り囲む周囲部材の表面にレーザ光またはレーザ光からの散乱光を受けて発光する蛍光体を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界が大きく電気的特性の向上したＴＦＴを、コスト上昇を抑制しつつ形成する。
【解決手段】平坦な表面を有する基板１０の該表面上に、高熱伝導性を有する材料からなる熱伝導層３７を形成する第１の工程と、熱伝導層３７を、熱伝導層３７の少なくとも一部が表面に対して傾斜する傾斜部３８となるようにパターニングする第２の工程と、少なくとも傾斜部３８を覆うように、基板１０上に非晶質シリコン層３２を形成する第３の工程と、非晶質シリコン層３２をレーザーアニールにより結晶化して多結晶シリコン層３４を形成する第４の工程と、多結晶シリコン層３４上に、平面視で傾斜部３８と少なくとも一部が重なるようにゲート電極４２を形成する第５の工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】粒内欠陥を抑制した高品質な結晶を得る。
【解決手段】投影マスク１５は、第１スリットパターン１５−１を介したレーザ光の照射によって、第１照射パターンを形成するためのブロックＢ１と、第２スリットパターン１５−２を介した照射によって、第１照射パターンと平行であるとともに第１照射パターンの端部の一部を重畳する第２照射パターンを形成するためのブロックＢ２と、第３スリットパターン１５−３を介した照射によって、第１照射パターンおよび第２照射パターンと直交する第３照射パターンを形成するためのブロックＢ３と、第４スリットパターン１５−４を介した照射によって、第１照射パターンと平行である第４照射パターンを形成するためのブロックＢ４とを備え、第３レーザ光の照射により、第１照射パターンと第２照射パターンと第３照射パターンとの重畳領域に単結晶の種結晶領域を形成し、第４照射パターンが種結晶領域の一部と重畳する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ膜を活性層に用いた半導体素子において、低温プロセスを用いて半導体素子としての特性を向上させる。
【解決手段】ＺｎＯ膜４０を活性層に用いた半導体素子の活性層形成過程において、ＺｎＯ膜４０に対して紫外光のパルスレーザによってレーザアニールＬ１を行い低抵抗化し、このとき過度に低抵抗化したＺｎＯ膜４０のチャネル部の比抵抗値を酸化処理によって１０^３Ω・ｃｍ以上にまで上げる。 （もっと読む）

【課題】 新規な歪シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）基板表面の一部に、複数の凹部を形成する。（ｂ）複数の凹部の各々に、シリコンとは熱膨張係数の異なる絶縁性の膜を埋め込む。（ｃ）絶縁性の膜、及び基板の表面にシリコン膜を形成する。（ｄ）シリコン膜にレーザビームを照射して、シリコン膜をラテラルエピタキシャル成長させるとともに、ラテラルエピタキシャル成長させたシリコン膜に歪を導入する。 （もっと読む）

【課題】量産に適した方法で半導体基板を提供することを目的の一とする。または、資源を有効に活用しつつ、優れた特性の半導体基板を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板にイオンを照射して単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、単結晶半導体基板上に絶縁層を形成し、絶縁層と支持基板を密着させて単結晶半導体基板と支持基板を貼り合わせ、損傷領域において単結晶半導体基板を分離させることにより、支持基板上に第１の単結晶半導体層を形成し、第１の単結晶半導体層上に第１の半導体層を形成し、第１の半導体層上に、第１の半導体層とは異なる条件により第２の半導体層を形成し、固相成長法により、第１の半導体層及び第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の単結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の初期伸縮状態が個体毎に異なる要因、およびレーザー光照射で基板が熱膨張する要因による、レーザー光の照射位置の位置ずれを抑制する。
【解決手段】結晶化装置は、レーザー光を照射する照明光学系と、レーザー光を所定の光強度分布の光線に変調する光変調素子と、変調光を基板上に結像させる結像光学系と、基板を支持すると共に基板上の二次元位置を定める基板ステージとを備え、基板に設けられた薄膜を変調光により溶融して結晶化させる。各基板が共通に備える熱膨張による位置ずれ量と各基板に固有の初期伸縮量とを用いて照射位置の座標値を補正する補正手段と、補正手段の補正座標値を用いて、基板ステージ上の照射位置を補正制御する制御手段とを備える。初期伸縮量に基づいてレーザー光の照射位置を位置補正して基板が固有に備える位置ずれを解消し、熱膨張を予測して照射位置毎に位置補正することで熱膨張による位置ずれを解消する。 （もっと読む）

【課題】高温（６００℃以上）の加熱処理回数を低減し、さらなる低温プロセ
ス（６００℃以下）を実現するとともに、工程簡略化及びスループットの向上を
実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスク１０６ｂを用いて希ガ
ス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域１０８を形成し、加熱処理
により前記不純物領域１０８に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタ
リングを行った後、前記マスクを用いてパターニングを行い、結晶構造を有する
半導体膜からなる半導体層１０９を形成する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを（１１１）配向を選択的に形成する場合、結晶粒界の位置はランダムに形成されるため、トランジスタのチャネル部分に結晶粒が配置された場合、結晶粒界に存在するトラップ準位の影響により、電気的特性が低下する。また、多結晶領域を形成する単結晶群の大きさは０．５μｍ程度であり、トランジスタを形成した場合複数の結晶粒界がチャネルに配置されてしまい、同様に電気的特性が低下するという課題がある。
【解決手段】（１１１）配向を含む第１シリコン層２０４上に貫通孔２０６を含む絶縁層２０５を形成した後、第２シリコン層前駆体２０７ａを積層し、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて第１シリコン層２０４を種結晶として再結晶工程を行う。これにより、面方位が（１１１）に揃えられ、且つ１０μｍ程度の大粒径単結晶が得られる。この結晶上にトランジスタを形成することで、電気的特性に優れたトランジスタを提供できる。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再結晶化し、結晶欠陥を修復する。再結晶化後の単結晶半導体層は深さ方向の濃度分布において、炭素濃度が極大を有する。 （もっと読む）

【課題】非耐熱性基板に悪影響を及ぼすことなしに、レーザー耐性を有する非晶質シリコン膜を形成するための脱水素化処理を提供すること。
【解決手段】非耐熱性の基板上に水素化非晶質シリコン膜を形成する工程、および、前記水素化非晶質シリコン膜に大気圧熱プラズマトーチを１ミリ秒以上５００ミリ秒以下の時間照射して、前記基板の表面を１０００℃以上２０００℃以下に加熱することにより、前記水素化非晶質シリコン膜から結合水素を除去する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）