【課題】非晶質Ｓｉをレーザアニールして得られる多結晶Ｓｉの粒径を検査する方法を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた非晶質Ｓｉの所定の膜厚毎に、レーザ密度とレーザアニール後の多結晶Ｓｉの平均輝度との関係を示す校正マップを準備するステップＳ１１と、レーザアニールして得られた多結晶Ｓｉ層の所定の領域毎に、平均輝度を測定するステップＳ１２と、多結晶Ｓｉ層の所定の領域毎の膜厚データを取得するステップＳ１３と、所定の領域毎の平均輝度と膜厚データとを当該膜厚データに対応する所定の膜厚の校正マップと比較して、当該領域毎の平均輝度を校正するステップＳ１４と、所定の領域毎の校正後の平均輝度を被検査対象の全領域に渡って求めて、輝度マップを作成するステップＳ１５と、輝度マップにおいて領域毎の校正後の平均輝度が所定範囲に入るか否かを判定して最適粒径範囲を決定するステップＳ１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶粒成長の大きさ、方向性を均一化し、特性のばらつきを抑えることが可能な半導体装置の製造方法、及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、絶縁表面を有する基板上に、非晶質のＳｉ膜を形成し、Ｓｉ膜の第１の領域及び第２の領域に、第１導電型の第１の不純物を注入し、第１のレーザー光を、第１の方向に走査してＳｉ膜上に照射することにより、Ｓｉ膜を溶融固化させて結晶化するとともに、第１の不純物を活性化し、第２の領域をマスクし、第１の領域に、第１の不純物より軽元素である第２導電型の第２の不純物を、第1の不純物より高濃度となるように注入し、第２の不純物を活性化する。 （もっと読む）

一態様において、本開示は薄膜処理方法に関する。本方法は、第１の選択された方向に薄膜を進める間、第１レーザパルスと第２レーザパルスで薄膜の第１領域を照射し、各レーザパルスは成形ビームを供給し、薄膜を部分的に溶解するのに十分なフルエンスを持ち、第１領域は再凝固および結晶化して第１の結晶化領域を形成する。更に本方法は、第３レーザパルスと第４レーザパルスで薄膜の第２領域を照射し、各レーザパルスは形成ビームを供給し、薄膜を部分的に溶解するのに十分なフルエンスを持ち、第２領域は再凝固および結晶化して第２の結晶化領域を形成する。第１レーザパルスと第２レーザパルス間の時間間隔は、第１レーザパルスと第３レーザパルス間の時間間隔の半分未満である。 （もっと読む）

【課題】平坦性を確保しつつ、結晶性の高い半導体膜を有する、ＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。
【解決手段】分離により絶縁膜上に単結晶の半導体膜を形成した後、該半導体膜の表面に存在する自然酸化膜を除去し、半導体膜に対して第１のレーザ光の照射を行う。第１のレーザ光の照射は、希ガス雰囲気下、窒素雰囲気下または減圧雰囲気下にて、半導体膜の任意の一点におけるレーザ光のショット数を７以上、より好ましくは１０以上１００以下とする。そして、第１のレーザ光の照射を行った後、半導体膜に対して第２のレーザ光の照射を行う。第２のレーザ光の照射は、希ガス雰囲気下、窒素雰囲気下または減圧雰囲気下にて、半導体膜の任意の一点におけるレーザ光のショット数を０より大きく２以下とする。 （もっと読む）

【課題】半導体膜への不純物の拡散を抑えつつ、歩留まりの低下を抑えることができるＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。
【解決手段】半導体基板の表面を熱酸化させることで、酸化膜が形成された半導体基板を形成する。そして、窒素原子を有するガス雰囲気下においてプラズマを発生させることにより、上記酸化膜の一部をプラズマ窒化させ、酸化膜上に窒素原子を含む絶縁膜が形成された半導体基板を得る。そして、窒素原子を含む絶縁膜とガラス基板を接合させた後、半導体基板を分離することで、ガラス基板上に窒素原子を含む絶縁膜、酸化膜、薄膜の半導体膜が順に積層されたＳＯＩ基板を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられた有機発光素子を有する発光装置の提供を課題とする。
【解決手段】 金属層または窒化物層からなる第１の材料層と酸化物層からなる第２の材料層との積層を利用して基板に設けられた有機発光素子を含む被剥離層をフィルムに転写し、フィルム及び被剥離層を湾曲させることによって曲面を有するディスプレイを実現する。 （もっと読む）

【課題】 有機ＥＬデイスプレイからなるシステムオンガラスを実現する半導体装置。
【解決手段】 微結晶シリコンあるいはナノクリスタルシリコンからなるＴＦＴを有機ＥＬデイスプレイ駆動用のＴＦＴとして具備し、さらに有機ＥＬデイスプレイを動作させる周辺回路用として大粒径のラテラル多結晶シリコンからなる多結晶シリコンＴＦＴを具備し、かつ両者は一つの基板上に一体形成されてなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】レーザ光照射装置において、レーザ光端部を遮蔽した際に、レーザ光の広がりやにじみによって処理が均一になされないのを防止する。
【解決手段】レーザ光を出力するレーザ光発振器１と、レーザ光発振器から出力されるレーザ光を導いて帯状のレーザ光に整形する光学系２と、半導体薄膜が形成された基板１００を載置する水平方向に移動可能なステージ４と、ステージが配置され、前記光学系を通してレーザ光が導入される処理室３を有し、該処理室内に、前記レーザ光の長軸長さよりも短い透過部１１１を有し、前記レーザ光の長軸側端部を遮蔽して前記透過部を透過するレーザ光６を半導体薄膜に照射可能とする長軸端部遮断透過体１０を有する。 （もっと読む）

【課題】平均粒径の異なる２つの領域を有する移動度に優れた結晶性半導体膜を備えた半導体基板の製造方法、半導体基板及び表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性の表面を有する基板上に結晶性半導体膜を備えた半導体基板の製造方法であって、上記製造方法は、絶縁性の表面を有する基板上に非晶質半導体膜を成膜する工程と、非晶質半導体膜の一部を結晶化し、第一結晶性半導体膜を形成する第一結晶化工程と、非晶質半導体膜の残部を溶融固化し、第一結晶性半導体膜よりも平均粒径の小さい第二結晶性半導体膜を形成する第二結晶化工程と、第一結晶性半導体膜の平均粒径が第二結晶性半導体膜の平均粒径よりも大きい状態を維持しながら第一結晶性半導体膜及び第二結晶性半導体膜を溶融固化する第三結晶化工程とを含む半導体基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が大きい多結晶半導体膜を従来方法に比べてより一層高い歩留まりで形成できる多結晶半導体膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ガラス板等からなる基板１０上にアモルファスシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜をパターニングして、先端が凸の島状又は帯状のメインパターンＰ１と、メインパターンＰ１間の隙間を埋めるサブパターンＰ２とを形成する。そして、基板１０上に連続波レーザを照射しながら、レーザ照射域をメインパターンの先端から後端に向う方向に走査して多結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 入射光の光軸を入れ替えて出射する。
【解決手段】 第１レーザビーム（ＬＢ）の光路に配置された第１偏光ビームスプリッタ（ＢＳ）と、第１ＢＳを透過した第１ＬＢが入射する位置に配置された第２ＢＳと、第２ＢＳで反射された第１ＬＢが入射する位置に配置された第３ＢＳと、第２ＬＢの光路に配置された第４ＢＳであって、第４ＢＳを透過した第２ＬＢは第３ＢＳに入射し、第４ＢＳで反射された第２ＬＢは第１ＢＳに入射するように配置された第４ＢＳと、第１ＢＳと第２ＢＳの間の第１ＬＢの光路でＬＢの偏光面を回転させないまたは９０°回転する第１偏光面回転器と、第４ＢＳに入射する第２ＬＢの光路でＬＢの偏光面を回転させないまたは９０°回転する第２偏光面回転器とを有し、第１ＢＳを透過する第１ＬＢの出射経路と、第１ＢＳで反射される第２ＬＢの出射経路が等しく、第３ＢＳを透過する第２ＬＢの出射経路と、第３ＢＳで反射される第１ＬＢの出射経路が等しい光軸入替装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】高性能で安価な半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、単結晶半導体基板にイオンを打ち込み前記基板に貼り付けた後熱処理を加えることにより残存させた単結晶半導体層を有する第１の領域と、非単結晶半導体層を有する第２の領域と、を設ける。また、劈開単結晶半導体層に不活性雰囲気中においてレーザー光の照射を行い、非単結晶半導体層には、少なくとも一度、大気雰囲気中においてレーザー光の照射を行うとより好ましい。 （もっと読む）

【課題】 非晶質シリコンまたは多結晶シリコンにレーザ光を照射してシリコン結晶を成長させるシリコン結晶成長方法及び装置において、紫外光レーザ照射及び可視光レーザ照射の欠点を相補的に補い合い、従来より低い温度でシリコン結晶を成長させる。
【解決手段】 非晶質シリコンまたは多結晶シリコンにレーザ光を照射してシリコン結晶を成長させるシリコン結晶成長方法であって、前記レーザ光は、紫外領域の波長を有する第１パルスレーザと、可視領域の波長を有する第２パルスレーザとからなり、前記第１パルスレーザ及び前記第２パルスレーザを、異なるタイミングで照射することを特徴とするシリコン結晶成長方法。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有するＴＦＴを実現するために、製造工程を増加、複雑化させることなく、さらに、結晶性を低下させることなく半導体層を平坦化する方法、また、半導体層表面を平坦化させゲート絶縁膜との界面を安定させる方法を実現することを目的としている。
【解決手段】窒素、水素、または不活性気体から選ばれた一種の気体雰囲気または複数種の気体の混合雰囲気において、表面の酸化膜が除去された状態でレーザ光を照射することにより、表面が平坦化された結晶質半導体膜を形成する。表面の酸化膜が除去された状態でレーザ光を照射することにより、結晶質半導体膜の表面における最高点と最低点との差を６ｎｍ以下にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 二回照射法の２回目照射において光強度分布の最低強度と半導体膜の溶融強度との関係を高精度に制御して、２回目照射を良好に且つ安定的に行う結晶化方法。
【解決手段】 所定の光強度分布の光を非単結晶半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する本発明の結晶化方法は、第１方向に沿って強度勾配を有する光強度勾配分布の光を非単結晶半導体膜に照射する１回目照射工程と、第１方向とほぼ直交する第２方向に沿って光強度がＶ字状に一次元的に変化するＶ字型光強度分布（５１）と、このＶ字型光強度分布の底部において第２方向に沿って光強度がディップ状に一次元的に変化するディップ型光強度分布（５２）との合成分布の光を、非単結晶半導体膜に照射する２回目照射工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】特定の方向にラテラルに成長させた多結晶半導体膜を用いて、しきい値電圧の異なる複数の薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】特定の方向にラテラルに成長させた第１の結晶質半導体層１４を用いて形成された第１の薄膜トランジスタと、特定の方向にラテラルに成長させた第２の結晶質半導体層１８を用いて形成された第２の薄膜トランジスタとを備え、第１の結晶質半導体層１４の結晶成長方向１０と、第１の薄膜トランジスタのチャネル方向１５とのなす角度が±１０°以下であり、第２の結晶質半導体層１８の結晶成長方向１０と、第２の薄膜トランジスタのチャネル方向１９とのなす角度が８０°以上１００°以下である半導体装置。 （もっと読む）

【課題】基板に対する熱負荷を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。また、半導体素子の特性を向上させる。
【解決手段】半導体装置（例えば、ＴＦＴ）の製造において、基板１００上にシリコン膜１０２を形成し、シリコン膜１０２に対し、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナー２２の火炎を走査することにより熱処理（再結晶化）を行なう際、予め基板を裏面からヒーター内蔵のステージ部５１で加熱する。もしくは、あらかじめ、基板に対し、上記火炎を第１走査することにより、基板の温度を上昇させた後、上記火炎を第２走査することにより、熱処理を施す。このように基板に対し予備加熱を行なうことで基板に対する熱負荷（熱衝撃、熱変形）を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に対する熱負荷が軽減でき、大面積の基板の熱処理を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。また、熱処理温度の均一性を向上し、形成される半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】基板上にシリコン膜を形成し、このシリコン膜に対し、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナー（２２）の火炎を走査することにより熱処理を施す工程において、ガスバーナー（２２）の火炎Ｆを略直線状にする。その結果、熱処理温度の均一性が向上し、シリコン膜の結晶化率のばらつきを低減するなど、形成される半導体装置の特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 基板上に、帯状結晶を有する擬似単結晶領域を形成するときに、その領域の寸法が小さくなっていくのを防ぐ。
【解決手段】 基板の上に成膜された半導体膜のあらかじめ定められた領域に帯状結晶を有する擬似単結晶を形成する工程は、前記半導体膜の第１の領域に、照射位置を第１の方向に移動させながらエネルギービームを照射して擬似単結晶を形成する工程と、前記半導体膜の第２の領域に、照射位置を前記第１の方向とは反対の第２の方向に移動させながらエネルギービームを照射して擬似単結晶を形成する工程とを有し、前記第１の領域および前記第２の領域は、前記エネルギービームの照射を終了する位置における寸法が、前記エネルギービームの照射を開始する位置における寸法よりも小さく、前記第２の領域は、前記第１の領域と重畳する部分と重畳しない部分を有する表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板上の半導体薄膜の結晶化において問題となる結晶の表面の凹凸の生じない結晶化装置および結晶化方法を提供する。
【解決手段】基板１上の半導体薄膜２に、基板１に平行な方向の結晶成長を生じさせる結晶化装置および方法であって、ビームは、所定の間隔を設けて同時に基板１に照射される主ビーム９と補助ビーム１０とにより構成され、主ビーム９により結晶化される際に生じる半導体表面の凹凸を補助ビームで平坦化する。 （もっと読む）