【課題】本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製
方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を
有する基材に貼りつけられたＯＬＥＤを有する発光装置、曲面を有する基材に貼りつけら
れた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成する際、素子のチャネルとし
て機能する領域のチャネル長方向を全て同一方向に配置し、該チャネル長方向と同一方向
に走査するレーザー光の照射を行い、素子を完成させた後、さらに、前記チャネル長方向
と異なっている方向、即ちチャネル幅方向に湾曲した曲面を有する基材に貼り付けて曲面
を有するディスプレイを実現するものである。 （もっと読む）

【課題】低温での固相エピタキシャル成長法を用いて、結晶性の高いシリコン層を厚く形成した半導体基板を提供することを課題の一とする。その際、従来の気相エピタキシャル成長法と比べ、結晶成長速度を大きくすることを課題の一とする。
【解決手段】絶縁層を介してベース基板に設けられた単結晶シリコン層上に、堆積初期の一部で、単結晶シリコン層と結晶面の配列の揃った針状シリコン層が気相エピタキシャル成長するようにシリコン層を形成し、針状シリコン層を種結晶として、シリコン層の他部を固相エピタキシャル成長させて、単結晶及び前記結晶シリコン層の厚さが厚い半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体層が効率良く平坦化されたＳＯＩ基板を提供することを課題の一とする。また、当該ＳＯＩ基板を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせ、熱処理により、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成し、半導体層の表面と、該半導体層と同じ半導体材料でなる半導体ターゲットとが対向するように配置し、半導体層の表面と半導体ターゲットとに、交互に希ガスイオンを照射することで、半導体層の表面の平坦化を図るＳＯＩ基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】基板中に形成されたトレンチ中に、単結晶のゲルマニウムまたはシリコンゲルマニウムを形成する改良された方法を提供する。
【解決手段】誘電体分離３（例えばＳＴＩ）を有する基板１を準備する工程と、基板材料１（例えばＳｉ）のトレンチエッチング４を行う工程と、トレンチ４内への充填層５（例えばＧｅ）の選択成長を行う工程と、略溶融温度での充填層６の加熱により、充填層５（例えばＧｅ）の再結晶化７により達成される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に４Ｈ−ＳｉＣ単結晶層を効率的にエピタキシャル成長させることができる半導体ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの製造方法は、Ｓｉ層形成工程と、Ｓｉ層密閉工程と、加熱工程と、成長工程とを含む。Ｓｉ層形成工程では、単結晶ＳｉＣ基板７０の表面にＳｉ層７１を形成する。Ｓｉ層密閉工程では、Ｓｉ層７１が形成された単結晶ＳｉＣ基板７０に３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層７２を形成することで、Ｓｉ層７１を密閉する。加熱工程では、単結晶ＳｉＣ基板７０を加熱することで、３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層７２の内側でＳｉ層７１を溶融させてＳｉ融液層７１ａを形成する。成長工程では、加熱制御を行うことで、Ｓｉ融液層７１ａが、３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層７２からＣとＳｉとを取り込むとともに、取り込んだＣとＳｉ融液層中のＳｉとを結合させることで、当該単結晶ＳｉＣ基板７０に４Ｈ−ＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】平坦性を確保しつつ、結晶性の高い半導体膜を有する、ＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。
【解決手段】分離により絶縁膜上に単結晶の半導体膜を形成した後、該半導体膜の表面に存在する自然酸化膜を除去し、半導体膜に対して第１のレーザ光の照射を行う。第１のレーザ光の照射は、希ガス雰囲気下、窒素雰囲気下または減圧雰囲気下にて、半導体膜の任意の一点におけるレーザ光のショット数を７以上、より好ましくは１０以上１００以下とする。そして、第１のレーザ光の照射を行った後、半導体膜に対して第２のレーザ光の照射を行う。第２のレーザ光の照射は、希ガス雰囲気下、窒素雰囲気下または減圧雰囲気下にて、半導体膜の任意の一点におけるレーザ光のショット数を０より大きく２以下とする。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の結晶性若しくは表面の平坦性、又は結晶性及び表面の平坦性を高めることのできるレーザ照射装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】レーザ発振器と、レーザ発振器から射出されたレーザ光を線状に成形する光学系と、光学系によって成形された線状のレーザ光が照射される被照射物を載置するステージと、を有し、ステージは、支持台上に、ヒータ、不純物吸着材及び被照射物を載置する載置台が順に固定されているレーザ照射装置を用いて、絶縁表面上に設けられた半導体膜にレーザ光を照射し、半導体膜を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】繰り返しの使用によってボンド基板に生じる不具合を抑制することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射してボンド基板中に脆化領域を形成する第１の工程と、絶縁層を介してボンド基板とベース基板とを貼り合わせる第２の工程と、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に絶縁層を介して半導体層を形成する第３の工程と、脆化領域で分離されたボンド基板に対して、アルゴン雰囲気において第１の熱処理を施した後に、酸素及び窒素の混合雰囲気において第２の熱処理を施すことにより再生ボンド基板を形成する第４の工程と、を有し、再生ボンド基板を第１の工程におけるボンド基板として再び使用する。 （もっと読む）

【課題】 容易な方法により低コストで部分ＳＯＩ構造を有するＳＯＩウェーハを製造する方法等を提供する。
【解決手段】 シリコン単結晶ウェーハの表面に第１絶縁膜を形成する工程、該第１絶縁膜の表面に非単結晶シリコン膜を形成する工程、非単結晶シリコン膜の表面からシリコン単結晶ウェーハの表面まで達する開口部を形成することにより、第１絶縁膜及び非単結晶シリコン膜が部分的に表面上に積層されたシリコン単結晶ウェーハを得る工程、このシリコン単結晶ウェーハに対し水素ガス若しくは不活性ガス又はこれらの混合ガス雰囲気下でＲＴＡ処理を行うことにより、非単結晶シリコン膜を開口部のシリコン単結晶ウェーハが露出された部分に接するようにマイグレーションさせ、非単結晶シリコン膜を単結晶化して、第１絶縁膜を埋め込み絶縁膜とする部分ＳＯＩ構造を形成する工程を含む、部分ＳＯＩ構造を有するＳＯＩウェーハを製造する方法。 （もっと読む）

【課題】活性層からバルク層に達した孔部で堆積中のアモルファスもしくは多結晶シリコンを単結晶化させる際に埋め込み酸化膜の領域での欠陥発生を抑制させる部分ＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】活性層を被う保護膜の一部に形成された窓部を通して、活性層と埋め込み酸化膜との各一部をエッチングして孔部を形成後、孔部にアモルファスシリコンを堆積させる。孔部内のアモルファスシリコンを、単結晶化させる場合に高エネルギ光の照射を行うことでエピタキシャル成長速度を速め、埋め込み酸化膜の領域を通過する際に発生する欠陥密度を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】外部から局所的に圧力がかかっても破損しにくい半導体装置を提供する。また、
外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高い半導体装置を歩留まり高く作製する方
法を提供する。
【解決手段】非単結晶半導体層を用いて形成された半導体素子を有する素子層上に、有機
化合物または無機化合物の高強度繊維に有機樹脂が含浸された構造体を設け、加熱圧着す
ることにより、有機化合物または無機化合物の高強度繊維に有機樹脂が含浸された構造体
及び素子層が固着された半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ基板の活性層用ウェーハの表面に、結晶面が異なる領域を簡単に形成可能な貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】高エネルギ光を、活性層用ウェーハの素材は溶融しないが、吸光係数が高いアモルファスシリコンは溶融する条件で貼り合わせ基板の活性層用ウェーハ側の面に照射し、この窓部内のシリコンを溶融させて固化させる。このとき、アモルファスシリコンを単結晶シリコンに液相エピタキシーにより変質させれば、貼り合わせ基板の活性層用ウェーハの表面に、結晶面が異なる領域を簡単に形成できる。 （もっと読む）

【課題】撓みやすい基板をベース基板として用いる場合であっても、半導体層が設けられた基板（ベース基板）を歩留まりよく作製する。
【解決手段】半導体層が設けられた基板の作製方法において、基板上に設けられた半導体層にレーザ光を照射して当該半導体層の表面を平坦化する工程を有することを特徴とする。そして、前記半導体層の表面を平坦化する工程において、前記レーザ光の照射により前記半導体層が完全溶融するのに必要な最小の照射エネルギー密度を１００％としたとき、前記半導体層に照射する前記レーザ光の照射エネルギー密度を７２％以上９８％以下とし、好ましくは８５％以上９６％以下とする。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が少なく結晶性の高い単結晶シリコン層が絶縁膜上に形成されてなる半導体装置の製造方法及び半導体装置を得るという課題があった。
【解決手段】基板１の一面１ａに絶縁膜２を形成する工程と、絶縁膜２を開口して基板１を露出させる穴２ｃを形成する工程と、穴２ｃの内壁面を覆うように結晶成長補助膜３を形成する工程と、穴２ｃを充填するとともに、絶縁膜２の前記基板と反対側の面２ａを覆うように非結晶シリコン層を形成する工程と、前記非結晶シリコン層を、レーザーアニール法により単結晶シリコン層５とする工程と、を有する半導体装置１０１の製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再結晶化し、結晶欠陥を修復する。また、単結晶半導体層の結晶性を最良とするレーザ光のエネルギー密度をマイクロ波光導電減衰法によって検出する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板のような耐熱性の低い基板をベース基板として使用した場合にも、実用に耐えうるＳＯＩ基板の作製方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板の作製において、ボンド基板中に脆化層を形成する際の水素イオンドーズ量を、ボンド基板の分離下限となる水素イオンドーズ量より増加して脆化層を形成し、ベース基板に貼り合わせたボンド基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体膜が形成されたＳＯＩ基板を形成し、該単結晶半導体膜の表面にレーザ光を照射して作製する。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層とベース基板との密着性を向上させ、貼り合わせ不良を低減することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板の表面にラジカル処理を行うことにより、半導体基板に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板に脆化領域を形成し、第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜の表面とベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、脆化領域において分離することにより、ベース基板上に第１及び第２の絶縁膜を介して半導体層を形成し、半導体層にエッチング処理を行い、エッチング処理が行われた半導体層にレーザビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】レーザー光を照射する場合において、十分な特性のＳＯＩ基板を得ることを目的の一とする。又は、レーザー光の照射条件に起因するＳＯＩ基板の特性のばらつきを低減することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射して単結晶半導体基板に脆化領域を形成し、絶縁層を介して単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせ、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成し、熱処理を施して、半導体層中の欠陥を低減させた後、半導体層にレーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】ベース基板に固定された単結晶半導体層の結晶性が向上、および平坦性の向上したＳＯＩ基板および半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜を介して前記半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板に脆化領域を形成する工程と、前記半導体基板の表面とベース基板の表面とを対向させ、絶縁膜の表面と前記ベース基板の表面とを接合させる工程と、絶縁膜の表面と前記ベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、脆化領域において分離することにより、ベース基板上に絶縁膜を介して半導体層を形成する工程と、半導体層にエッチング処理を行う工程と、エッチング処理が行われた半導体層にレーザビームを照射する工程と、レーザビームが照射された半導体層にプラズマを照射する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板を使用したＳＯＩ基板上に形成しても、ゲート電極を形成する導電膜を成膜する際に該導電膜の加える応力により、ガラス基板上の絶縁膜及び半導体膜がはがれないような半導体装置の作製方法の提供を課題の一つとする。
【解決手段】ボンド基板上に第１の絶縁膜を形成し、ボンド基板の表面からイオンを添加することによって脆化層を形成し、ボンド基板を、第１の絶縁膜を介してガラス基板と貼り合わせ、ボンド基板を脆化層において分離してガラス基板上に第１の絶縁膜を介して半導体膜を形成し、第１の絶縁膜及び半導体膜の周辺領域を除去してガラス基板の一部を露出させ、半導体膜、第１の絶縁膜及びガラス基板上に接してゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に接して２層構造の積層導電膜を形成し、２層構造の積層導電膜として、上層に引っ張り応力を有する導電膜、下層に圧縮応力を有する導電膜を用いて半導体装置を作製する。 （もっと読む）