【課題】幅広い材料選択が可能で生産性に優れた半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】膜成長用基板１の表面の一部の領域に導電体層２を形成する工程と、
膜成長用基板１の表面の一部の領域以外の領域から半導体をエピタキシャル成長させ、導電体層２を覆う半導体膜３を形成する工程と、
誘導加熱用コイル４での電磁誘導により導電体層２を発熱させることで、半導体膜３を膜成長用基板１から分離する工程とを含む、半導体膜３の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜を薄膜化して半導体デバイスの特性を向上させ、且つリーク電流を低減できる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】多結晶半導体膜１０３ａ上に金属膜であるアルミニウム膜１２１ａを形成し、前記アルミニウム膜にプラズマ酸化処理を施すことにより、前記アルミニウム膜を酸化して酸化アルミニウム膜１０４を形成するとともに、前記多結晶半導体膜１０３ａと前記酸化アルミニウム膜との間に酸化珪素膜１００ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】 従来の２つのバッファ層を持つＡｌＮ系超格子バッファ層を持つ窒化物半導体素子においては、シリコン基板上に、表面が平滑で、しかも、クラックのない窒化物半導体を得ることは困難であった。
【解決手段】 Ａｌ_xＧａ_1-xＮから成る第１のバッファ層のＡｌ組成ｘおよびＡｌ_yＧａ_1-yＮから成る第２のバッファ層のＡｌ組成ｙを厳密に規定することにより、形成される窒化物半導体の表面の平坦性およびクラック発生の防止を両立する最適な条件を明らかにした。第１のバッファ層と第２のバッファ層との界面が平滑で、しかも、結晶性の良いＡｌＮ系超格子バッファ層を作製することができる。窒化物半導体を使用した信頼性の高い電子デバイス・光デバイス等を作成することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板表面の単結晶シリコン層を歪みなく均一に単結晶炭化シリコンに変成させる。
【解決手段】 炭素含有ガスの供給下で、棒状の赤外線ヒータ４０４を用いて、それを直角方向に移動させつつ基板１００の表面を加熱して表面のシリコンを炭化シリコンに変成させる。 （もっと読む）

【課題】実質的なチャネル長の長さを短くし、半導体装置を微細化することができる半導体装置及びその作製方法を提供する。また、実質的なチャネル長の長さを短くすることによってゲート容量を減少させることができ、半導体装置の高速動作及び高性能化を実現できる半導体装置及び、その作製方法を提供する。また、製造工程を簡略化することができる作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に形成されたる島状半導体膜と、島状半導体膜上に形成されたゲート電極とを有する半導体装置であって、ゲート電極は高密度プラズマにより表面を酸化されることによって、スリミング化し、実質的なチャネル長を短くしている。 （もっと読む）

【課題】それぞれのレーザ発振器から射出したレーザ光のビームスポットの位置及び隣り合うビームスポットの間隔を正確に制御することを可能とするレーザ照射装置の提供。
【解決手段】被照射体が設置された移動可能な第１のステージと、少なくとも２台以上のレーザ光を射出するレーザ発振器と、前記レーザ発振器と光学系が設置された移動可能な複数の第２のステージと、レーザ光の照射位置を検出する手段とを有する。第１のステージ及び第２のステージは、一方向だけでなく複数方向に移動可能なものであってもよい。また、前記光学系は、レーザ発振器から射出したレーザビームを被照射面において線状ビームになるように形成するものである。 （もっと読む）

【課題】セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板を用いた窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜の形成方法、及び該単結晶薄膜形成基板を使用した発光素子などの半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系又は三方晶系から選ばれた少なくともいずれかの結晶構造を有するセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を基板１として用いることにより、その上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜２が形成され、さらに上記の結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を用いることにより発光効率に優れた発光素子などの半導体素子の製造が可能となる。 （もっと読む）

高品質の窒化物半導体結晶層を得ることができる窒化物半導体成長用基板を提供する。本発明の一実施形態に係る、サファイア基板（１）上に窒化物半導体層を成長させるための窒化物半導体成長用基板は、サファイア基板（１）上に別途に設けたＡｌ_２Ｏ_３層（２）と、第１の層であるＡｌＯＮ層（３）と、第２の層であるＡｌＮ層（４）とを備える。第１の層および第２の層については、ＡｌＯＮ層（３）とＡｌＮ層（４）との順序でＡｌ_２Ｏ_３層（２）上に積層させる。
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【課題】 デバイスの基本構造であるダイオードにおける漏れ電流を低減し、かつ、エネルギー損失を低減し得る化合物半導体を提供する。
【解決手段】 結晶面方位｛１１１｝、原子段差の無い又は偶数個の原子段差を有する表面、キャリア濃度１０^16〜21／ｃｍ³（≒抵抗率１〜０．００００１Ωｃｍ）、伝導型ｎ型又はｐ型のＳｉ単結晶基板２上に、厚さ０．１〜１００ｎｍ、キャリア濃度１０^16〜21／ｃｍ³、上記Ｓｉ単結晶基板と同じ伝導型の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶バッファー層３、厚さ０．１ｎｍ〜１０μｍ、キャリア濃度１０^16〜21／ｃｍ³、前記Ｓｉ単結晶基板と同じ伝導型の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層４、及び厚さ０．０１〜１００μｍ、キャリア濃度１０^11〜16／ｃｍ³（≒抵抗率１〜１０００００Ωｃｍ）、伝導型ｎ型又はｐ型の化合物半導体単結晶膜５を順に積層させる。 （もっと読む）

【課題】液体金属を用いたＧｅＣｌ₄の還元によるＧｅの製造方法の提供
【解決手段】本発明は、例えば赤外光学素子、放射線検出器及び電子装置の製造のための高純度ゲルマニウムの製造に関する。ガス状ＧｅＣｌ₄を、Ｚｎ、Ｎａ及びＭｇの１つを
含む液体金属Ｍと接触させ、それによりＧｅを含む合金及び蒸発又はすくい取りにより除去される金属Ｍ塩化物を得ることにより、ＧｅＣｌ₄がＧｅに転換される。Ｇｅを含む合
金はその後、金属Ｍの沸点以上の温度にて精製される。この方法は、複雑な技術を必要とせず、及び反応物が、非常に高純度で得られ得及び繰り返し再利用され得る金属Ｍのみであるため、最終的なＧｅ金属中の高純度のＧｅＣｌ₄を保持している。
からなる方法。 （もっと読む）

本発明は、窒化物半導体エピタキシャル層を成長させる方法に関し、第１の窒化物半導体エピタキシャル層の上に第２の窒化物半導体エピタキシャル層を第１の温度で成長させる第１の段階と、第２の窒化物半導体エピタキシャル層の上に第３の窒化物半導体エピタキシャル層を第２の温度で成長させる第２の段階と、第２の温度より高い第３の温度に昇温して第２の窒化物半導体エピタキシャル層から窒素を放出する第３の段階と、を含む窒化物半導体エピタキシャル層を成長させる方法を提供し、これにより基板の反りおよび格子欠陥密度を低減することができる。

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