【課題】リードタイムを短くし、処理性能において従来よりも信頼性のあるレジスト除去方法を提供する。
【解決手段】被処理物の処理表面に付着したレジスト膜を除去する方法であって、被処理物の処理表面に付着したレジスト膜に対し、大気圧から１００Ｐａの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性水素原子を供給することによるドライ処理と、大気圧から１００Ｐａの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性酸素原子を供給することによるドライ処理及び／又は薬液によるウェット処理とを行う。 （もっと読む）

【課題】バンドソーやワイヤーソーなどでシリコンインゴットやシリコンブックなどを切断するなどの機械加工によってシリコン部材の表面に付着した金属成分及び汚れ成分を効果的に除去できるシリコン部材の表面処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明のシリコン部材の表面処理方法は、シリコンインゴット又はシリコンブロックを接着剤によって台座に固定した後、研磨材スラリーを供給しながら切断装置を用いて切断し、この切断されたシリコン部材の表面に付着した汚れ成分を除去するシリコン部材の表面処理方法において、（１）金属成分溶解用処理液で処理した後にシリコン部材の表面溌水性化剤で処理、又は、前記シリコン部材の表面溌水性化剤で処理した後に前記金属成分溶解用処理液で処理する工程、（２）前記シリコン部材をシリコン部材の表面親水性化剤で処理する工程を順に行うことを特徴とする。 （もっと読む）

フッ化水素酸、硝酸、酢酸及びバランス脱イオン水を含む酸溶液を使用して、シリコン表面を変色させること無しにシリコン表面から汚染物質を効率よく除去することによって電極アセンブリのシリコン表面を洗浄する方法。 （もっと読む）

本発明は一般的には、基板を洗浄するためのシステムに関する。より特定的には、本発明は、シリコンウエハを含む半導体基板から、高密度二酸化炭素マトリクスに含まれる反応性逆ミセルまたはマイクロマルジョンのシステムを用いて、残留物を化学的に除去するための方法に関する。反応性ミセル系中の様々な反応性化学薬品を使用して、エッチング残留物および金属残留物を、商業的なウエハ製造および処理に対し十分なレベルまで洗浄し、除去してもよい。

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