【課題】被洗浄物の洗浄、乾燥残りを抑制し、効果的な洗浄を行うことができる枚葉式洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】枚葉式洗浄装置において、少なくとも、円筒状の凹部及び該凹部の内壁面に沿って液体及び／又は気体を吐出する吐出口を有する旋回流形成部を少なくとも一つ有し、前記被洗浄物の洗浄及び／又は乾燥させる少なくとも片面に前記旋回流形成部が近接するように配設される洗浄テーブルと、前記洗浄テーブルの周辺に配設され、前記洗浄テーブルの旋回流形成部に近接する前記被洗浄物の側面に接触して固定保持する保持体とを具備し、前記旋回流形成部の吐出口から液体及び／又は気体を吐出させ、前記保持体で前記被洗浄物の側面を固定保持し、該吐出させた液体及び／又は気体によって前記被洗浄物の少なくとも片面を洗浄及び／又は乾燥するものである枚葉式洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】出口部での清掃残りの発生を抑制し、マウンドやランプ加熱式成長装置の場合のスリップを抑制可能な枚葉式ＣＶＤ用チャンバのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内のクリーニング時、エッチングガスを成長ガスの流れ方向とは反対方向から内部流路へ供給するので、分解生成物が堆積し易い出口部の内壁に対して、充分な量のエッチングガスを供給できる。そのため、出口部における分解生成物の清掃残りの発生を抑制できる。その結果、分解生成物が内壁から剥がれて生じるパーティクルを原因としたマウンドや、ランプ加熱方式の気相成長装置を採用したときのスリップを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ガス流の圧力損失を制御することにより、被処理物に対する処理レートを調整可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部を真空とすることが可能な処理室１内に、被処理物Ｓに対向して、プラズマ処理用のガスの流路を構成する穴３０を有する第１のガスノズル３と、穴４０を有する第２のガスノズル４とが、互いの間に隙間を保持した状態で重なり合う位置に配置され、第２のガスノズル４は、穴３０及び穴４０を通過するガスの圧力損失が変化するように、駆動機構６によって回動可能に設けられている。 （もっと読む）

本発明の目的は、半導体基板の運搬および保管のための輸送支持具（１）の処理方法であって、場合によっては前記支持具（１）が液体を使用したクリーニング操作を初めに受けている方法を提供することである。当該方法は、輸送支持具（１）が真空ポンプ（５）に連結された密封チャンバ（４）内に置かれ、輸送支持具（１）の壁上の異物の除去に有利にはたらくように前記輸送支持具（１）が準大気圧と赤外線との複合作用にさらされる、処理ステージを含む。本発明は、また、当該方法を実施するための輸送支持具（１）のための処理ステーションに関する。
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【課題】ナノバブルを効率よく発生させて基板の処理を良好に行なえるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって処理する処理装置であって、
ナノバブルを発生させ、そのナノバブルを処理液に混合させるナノバブル発生手段を備え、ナノバブル発生手段は、内部に剪断室３が形成された気体剪断器２と、気体剪断器の軸方向の一端部に設けられ気体を剪断室に旋回させて供給する気体供給口６と、気体剪断器の一端部の外周面に設けられ処理液を剪断室に旋回させて供給し、気体との旋回速度の差によって気体からナノバブルを発生させる液体供給口７とによって構成されている。 （もっと読む）

【課題】回路機構間の微細寸法で汚染された物品と水および酸化材料を含む反応性クリーニング流体を接触させて汚染材料を除去する方法を提供する。
【解決手段】反応性クリーニング流体の臨界温度または臨界温度超の温度で、且つ反応性クリーニング流体の臨界圧力または臨界圧力超の圧力で、汚染された物品と水１９および酸化材料５１を含む反応性クリーニング流体とを接触させる工程を含む汚染された物品からの汚染材料の除去、汚染材料の少なくとも一部分を酸化して、クリーニングされた物品並びに未反応の反応性クリーニング流体および除去された汚染材料を含む生成混合物を生成する酸化、およびクリーニングされた物品と生成混合物との分離を含む汚染された物品から汚染材料を除去するための方法。 （もっと読む）

【課題】基板底面を均一に処理できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】前記基板処理装置は、基板を支持し、回転可能なスピンヘッドと、前記スピンヘッド上に設けられ、工程のとき、基板の底面に流体を供給する噴射ヘッドと、前記噴射ヘッドに流体を供給する流体供給ユニットと、を含み、前記噴射ヘッドは、前記スピンヘッドのセンター部に位置し、前記流体供給ユニットから流体が供給されるボディと、前記ボディから前記スピンヘッドのエッジ部に向かって延長され、前記ボディから供給された流体を前記基板の底面に噴射する噴射部材と、を含み、前記噴射部材には、前記基板のエッジ部に流体を噴射する第１噴射口と、前記基板のセンター部とエッジ部との間に位置するミドル部に流体を噴射する第２噴射口とが形成され、前記流体は、前記第１噴射口に先に供給される。 （もっと読む）