【課題】ＩＰＡを利用した基板乾燥装置及びその方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるＩＰＡを利用した基板乾燥方法は、回転する基板の上面に有機溶剤と前記有機溶剤の気化力の向上のための乾燥ガスを噴射すると同時に基板の温度の上昇のために基板の底面に加熱された流体を噴射するプレｐｒｅ-段階と、前記加熱された流体の噴射を中断し、基板の上面に前記有機溶剤と前記乾燥ガスを噴射する最終段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】水分量が１ＰＰＢ以下というこれまで実現しえなかった環境下での脱水を行うことができ、これにより、脱水時間を顕著に短縮し、残留水分を低減化する顕著な効果が得られ、また、極めて水の少ない環境下で半導体装置の製造を行い、半導体装置に不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる処理システムを提供する。
【解決手段】酸素分子排出時に電圧印加をＯＮにし、酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備えるガス中の水分量を１ＰＰＢ以下に生成する極低水分ガス生成装置と、その極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が１ＰＰＢ以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部の水分が除去されてなる処理装置と、を備える処理システムとした。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対する洗浄効果を向上させることができるとともに、被処理基板の表面に洗浄液の液膜が形成されやすくなり、被処理基板にウォーターマークが形成されることを抑止することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１（２、３）は、洗浄液を供給する洗浄液供給部と、液滴生成用ガスを供給する液滴生成用ガス供給部と、洗浄液供給部から供給される洗浄液と液滴生成用ガス供給部から供給される液滴生成用ガスとを混合することにより生成される洗浄液の液滴を被処理基板Ｗの一部分に噴霧する二流体ノズル２０と、被処理基板Ｗの一部分の加熱を行う加熱部４０（６０）と、を備えている。被処理基板Ｗにおける一の箇所に二流体ノズル２０が洗浄液の液滴を噴霧する直前に、この一の箇所の加熱を加熱部４０（６０）により行う。 （もっと読む）

【課題】基板処理方法が提供される。
【解決手段】工程チャンバ内にローディングされた基板は、支持プレート上に載置される。以降、工程チャンバは外部から遮断され、工程チャンバ内部の圧力を既設定の圧力まで増加させる。既設定の圧力で基板の温度は一定の温度に安定化し、工程チャンバ内の圧力は工程圧力に減圧される。工程チャンバ内で基板に対する工程が完了すると、基板は工程チャンバの外部にアンローディングされる。工程チャンバ内部の圧力を増加させる方法には、パージガスを供給する方法と、工程ガスを供給する方法がある。 （もっと読む）

【課題】表面硬化層が形成されたレジストを基板の表面から良好に剥離することのできるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗが処理チャンバー１１にローディングされると、プレート１４に吸着保持された基板Ｗは基板加熱用ヒータ１９からの発熱により加熱処理される。このとき、コントローラは基板Ｗの温度が３００℃以上で、かつ４５０℃以下の温度範囲となるように基板加熱用ヒータ１９を駆動制御する。基板Ｗの加熱によりレジストにポッピング現象が生じると、表面硬化層の内側（下層側）に位置する未硬化層のポッピングによる衝撃で表面硬化層に亀裂が生じ、未硬化層が灰化される。続いて、加熱処理後に高圧流体を用いたレジスト除去を行うことで、基板表面からレジストが表面硬化層ごと剥離される。 （もっと読む）

【課題】高い処理能力を得ることができる，基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを収納し，内部で基板を処理する処理容器２と，処理容器２内に収納された基板Ｗを加熱するヒータ２０と，処理容器２内に水蒸気を供給する水蒸気供給手段５と，処理容器２内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段７と，処理容器２内にＮ_２ガスを供給するＮ_２ガス供給手段９と，処理容器２内を排気する排気管２３と，この排気管２３に設けられた流量コントローラ７１と，処理容器２内を加圧するように流量コントローラ７１を制御する制御部２１と，を備えていることを特徴とする，基板処理装置１である。 （もっと読む）

洗浄後にプラズマエッチングチャンバで誘電体材料をエッチングするために使用することができる電極アセンブリの洗浄方法は、好ましくは黒色シリコン汚染をシリコン表面から除去するように、電極アセンブリのシリコン表面を研磨することを含む。 （もっと読む）