【課題】基板の裏面や周縁部に付着した異物を完全に除去することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システム１０が備える基板洗浄装置としてのプロセスモジュール１５は、ウエハＷを収容するチャンバ３８と、該チャンバ３８内の底部に配置されてウエハＷを載置するステージ３９と、チャンバ３８内の天井部に配置されてステージ３９に対向するシャワーヘッド４０とを備え、ステージ３９はウエハＷの裏面や周縁部に向けて液相及び気相の２つの相状態を呈する洗浄物質、例えば、純水と、不活性ガス、例えば、窒素ガスとが混合された洗浄剤を噴出し、シャワーヘッド４０はウエハＷの表面に向けたダウンフローを発生させる。 （もっと読む）

【課題】処理液による基板処理の面内均一性を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】二流体ノズルからの薬液の液滴の噴流が導かれるウエハの表面上の供給位置が、ウエハの回転中心からウエハの周縁部に至る範囲を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。薬液の供給位置がウエハの回転中心から離れるにつれて、二流体ノズルからウエハに供給される薬効成分の濃度が高くされている。その一方で、回転中心から離れているほど、ウエハの表面位置は高速に移動している。その結果、単位面積あたりの薬液の薬効成分の量がウエハの全域においてほぼ等しくなる。 （もっと読む）

【課題】処理槽内の処理液の比重値を算出するためのガスの配管にシリカが析出することを防止することができ、比重値が正確に計測され、エッチングレートの安定した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】加熱した処理液に基板を浸漬して基板の表面処理を行う半導体製造装置において、前記処理液を貯留する処理槽１と、前記処理液中の所定深さからガスを放出し、その放出圧力から前記処理液の液圧を検出する圧力検出部５３と、前記検出された液圧に基づき前記処理液の比重を算出する比重算出部５４と、前記処理液中に放出されるガスを加熱するヒータ５５と、前記算出された比重に基づいて前記処理槽への純水供給量を制御するコントローラ５１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】残留パーティクル成分を微細化する熱交換装置を提供することにある。
【解決手段】純水が流通する螺旋状の発熱管２１と、発熱管の両端部同士を電気的に短絡させる短絡部材２２と、発熱管及び短絡部材を包囲するように配置し、高周波電力に応じて発熱管に対して電磁誘導電力を発生させる加熱コイル２３とを有し、短絡部材は、発熱管の電磁誘導電力に応じて短絡電流を発生し、短絡電流に応じて発熱管を温度調整すると共に、発熱管は、短絡電流の温度調整作用に応じて、同管内を流通する純水の温度を目標温度になるように、純水を温度調整する熱交換装置８Ａであって、純水が流通する発熱管の流入口２１Ａをアース部２５に接地することで、発熱管を流通する純水に関わる残留パーティクルの帯電電荷を放電し、残留パーティクルを微細化するようにした。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、特に半導体装置の製造プロセスにおける処理液の温度管理に適用して好適な流体温調装置を対象とし、その目的は、被温調流体に対する温度調節を迅速かつ精密に実施することができ、併せて装置の可及的なコンパクト化をも達成し得る流体温調装置を提供することにある。
【解決手段】 上記目的を達成するべく、本発明に関わる流体温調装置は、流路溝を形成した本体ブロックと、この本体ブロックの表面に設置されて被温調流体の通過する流路を形成する伝熱板と、この伝熱板を介在して流路を通過する被温調流体を加熱するヒータと、上記伝熱板を介在して流路を通過する被温調流体を加熱および冷却する熱電モジュールとを備えて成る。
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【課題】プラズマ処理を効率よく行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、印加電極２と、ワーク１００を載置するとともに印加電極２の対向電極としての機能を併有するパレット（第１の電極）４と、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段１１と、印加電極２とパレット４との間に電圧を印加する第１の回路（電源部）８を備え、パレット４を載置するテーブル６の下面６３には、振動子９が配設され、印加電極２とパレット４との間に印加する電圧の大きさを調整する電力調整手段８５と、電力調整手段８５の作動を制御する制御手段７０とを有しており、この振動子９によりパレット４とワーク１００とを一体的に振動させながら被処理面１１０を処理するに際し、制御手段７０により、電力調整手段８５が作動するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】被処理物に処理流体を噴き付けて表面処理する装置において、処理流体が処理領域から外に漏れたり、外部の雰囲気ガスが処理領域に入ったりするのを効率的に防止する。
【解決手段】処理ヘッド１０の被処理物Ｗと対向すべき側部４０に、処理領域８０の画成部４１と、その両側の処理外領域８１，８２の画成部４２，４３とを設ける。第１処理外領域８１と処理領域８０との境に処理流体の噴き出し口５０ａを形成し、処理領域８０と第２処理外領域８２との境に吸い込み口５０ｅを形成する。検出手段７０にて第１処理外領域８１における処理領域８０に近い箇所と遠い箇所との差圧を検出する。吸い込み流量調節手段５４にて、上記検出差圧がゼロになるように吸い込み口５０ｅからの吸い込み流量を調節する。 （もっと読む）

半導体デバイスを湿式清浄化するときに採用される装置、システム及び方法が提供される。特に、所望のＣＯ２濃度の脱イオン水を供給することのできるシステム、及び半導体デバイスを湿式清浄化するときに使用するため、所望のＣＯ２濃度の脱イオン水を生成する方法が提供される。
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