【課題】各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】ウエハＷの処理を行う処理部１０に接続された第１のライン２２から第２のライン４４が分岐している。第２のライン４４から複数の第３のライン（アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６）が分岐している。これらの第３のラインには、第２のライン４４からの分岐箇所にそれぞれバルブ４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されている。各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源（アンモニア水供給源４６、塩酸供給源５０およびフッ酸供給源５４）が接続されており、これらの薬液供給源から各第３のラインに薬液が供給されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】アンモニア過水処理以降に、硫酸過酸化水素水のミストが基板に付着することを防止できる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部ＰＣは、４つの硫酸過水処理チャンバ１と、４つのアンモニア過水処理チャンバ２とを備えている。硫酸過水処理チャンバ１内において、ウエハＷに対して、ＳＰＭを用いた硫酸過水処理が行われる。硫酸過水処理後のウエハＷは、硫酸過水処理チャンバ１からアンモニア過水処理チャンバ２へ移送され、アンモニア過水処理チャンバ２内において、ＳＣ１を用いたアンモニア過水処理を受ける。アンモニア過水処理チャンバ２は、硫酸過水処理チャンバ１から隔離されているので、アンモニア過水処理チャンバ２内には、ＳＰＭのミストが存在しない。 （もっと読む）

【課題】洗浄排液を安価な汎用の配管で排出して移送することができ、また、洗浄液の加温エネルギーの低減を図ることもできる熱回収型洗浄装置を提供する。
【解決手段】被洗浄物を高温の洗浄液で洗浄する洗浄機１と、該洗浄機１に洗浄液を供給する手段と、該洗浄機１から洗浄排液を排出する手段とを有する洗浄装置において、該洗浄機１から排出される高温の洗浄排液と該洗浄機１に供給される洗浄液とを熱交換して該洗浄排液を冷却する熱交換器４を設けたことを特徴とする熱回収型洗浄装置。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）表面層とこのＳｉＧｅ層に接する歪みシリコン（ｓＳｉ）層とを含むウエハを処理する方法に関し、このｓＳｉ層は、ＳｉＧｅ層をエッチングすることによって露出されており、この方法は、（ａ）ＳｉＧｅ層の第１選択エッチング、場合によりその後の酸化洗浄ステップと；（ｂ）脱イオン水を使用する濯ぎステップと；（ｃ）乾燥と；（ｄ）第２選択エッチングステップとのステップを含む。本発明は、少なくとも１つの歪みシリコン（ｓＳｉ）表面層を含むウエハに関し、前記ｓＳｉ表面層の厚さは、少なくとも５ｎｍ及び最大１００μｍであり、欠陥が最大２００個／ウエハである。 （もっと読む）

【課題】
ＩＰＡ等の有機溶剤を使用して乾燥する場合において、残留異物を低減し、ウオータマーク（水しみ）等の染みの発生を抑制することができる蒸気乾燥装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、凝縮されたディスクを下側チャンファ部からのみ滴下するような速度で冷却エリアに引き上げることで、ウオータマークや異物の残留を下側チャンファ部に移動させて冷却乾燥に入る。さらに、下側チャンファ部を蒸気エリアに再浸漬することで下側チャンファ部に移動したウオータマークや異物の残留部部に対してドレーンにより下側チャンファ部の残留異物を流し落としかつ下側チャンファ部にできるであろうウオータマークの痕跡を除去して、再引き上げをしてディスクを乾燥する。 （もっと読む）

【課題】処理流体による基板処理の際に、基板表面上で顕著な変化を生じさせ、これにより、処理効率の向上を図ることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ミキシングバルブ４の混合部４０には、薬液供給源７１〜７４からの薬液原液ならびに純水供源からの常温純水および温純水を供給できる。ミキシングバルブ４０から、処理液供給路３を介して、処理液ノズル２に処理液が供給され、この処理液が基板Ｗに供給される。処理液による基板Ｗの処理中に、薬液導入バルブ４１〜４４、流量調整バルブ１０１〜１０４、純水供給源バルブ５１、温純水供給源バルブ５２、純水バルブ５などの制御によって、プロセスパラメータに揺らぎが付与される。 （もっと読む）

本発明は、薄いウェハ（６）を洗浄する装置で、ウェハ（６）が各々の一辺で担持装置（２）に固定されており、２つの隣接する基板間に空隙（７）が形成されている。本装置は、流体を各空隙（７）内に注入するシャワー装置（１５）と、流体を満たすことができ且つ担持装置（２）を収容できる寸法を有する槽（１４）とから実質上構成される。本発明によれば、任意選択的に、シャワー装置（１５）が移動不能な担持装置（２）に対して移動可能であるか、あるいは担持装置（２）が移動不能なシャワー装置（１５）に対して移動可能であるか、あるいは担持装置（２）とシャワー装置（１５）が相対的に移動可能である。本発明による方法は、好ましい洗浄処理において、担持装置（２）を槽内で移動しながらまず温流体でシャワー洗浄を行った後、冷流体で超音波洗浄を行い、さらに温流体でシャワー洗浄を再度行うことを特徴とする。
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【課題】基板の破壊や汚れを発生することなく、基板から水切りを行い、乾燥を効率よく行うこと、特に高アスペクト柱状及び／又は高アスペクトホール状の構造を有する基板の水切りを行うこと。
【解決手段】１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノールを成分とする、基板上に柱状パターン及び／又はホール状パターンを有する基板用水切り剤、及びこれを使用する水切り方法、及び、水切り後にさらに乾燥を行う乾燥方法。 （もっと読む）

【課題】 形成されたパターンに対するダメージを抑制しながら、均一であり且つ処理効率の高い基板の流体処理を行なう。また、基板処理装置の構成を単純化する。
【解決手段】 流体供給ノズル１００は、流体が流入する流体流入部１０１と、流体を蓄積する液溜め部１０２と、流体流入部１０１と液溜め部１０２との間に設けられ、流速を低減しながら流体を液溜め部１０２に流入させるためのオリフィス１０３ａを有する流速調整壁１０３と、液溜め部１０２に加わる流体の圧力によって流体を吐出するためのスリット１０５を有する吐出部１０４とを備える。基板処理装置は、このような流体供給ノズル１００を用いて構成する。
また、基板処理方法は、連続した一層の膜状に流体を吐出して基板上に供給することにより基板の処理を行なう工程を含む。このために、流体供給ノズル１００を用いることができる。 （もっと読む）