プラズマ加工システムで利用する半導体基板加工法が開示されている。プラズマ加工システムはプラズマ加工チャンバと、バイアス補償回路に結合された静電チャックとを含んでいる。加工法はプラズマ点火ステップでのプラズマ点火を含んでいる。プラズマ点火ステップは、バイアス補償回路によって静電チャックに提供される第１バイアス補償電圧が実質ゼロであり、プラズマ加工チャンバ内の第１チャンバ圧が約９０ｍトル以下であるときに実施される。加工法はプラズマ点火後の基板加工ステップでの基板加工をさらに含む。基板加工ステップは、バイアス補償回路で提供される第１補償電圧よりも高い第２バイアス補償電圧と、第１チャンバ圧と実質同圧の第２チャンバ圧とを利用する。
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膜除去システム（２００、２０１）中の基板（１７８、２６５）を処理するための方法及びシステムである。本方法は、膜除去システム（２００、２０１）の基板チャンバ（２５０）内にミクロフィーチャ（１７０）の側壁（１８３）上の誘電体膜（１８２）及び誘電体膜（１８２）の一部を覆うフォトレジスト膜（１８４）を有するミクロフィーチャを有する基板（１７８、２６５）を提供する段階と、フォトレジスト膜（１８４）によって覆われていない誘電体膜（１８２）の部分（１８６）を除去するため超臨界ＣＯ_２処理を用いた第一の膜除去プロセスを実施する段階と、を含む。第一の膜除去プロセスの後、フォトレジスト膜（１８４）を除去するため超臨界ＣＯ_２処理を用いた第二の膜除去プロセスが実行されてよい。他の実施形態では、第一の膜除去プロセスまたは第二の膜除去プロセスの一つを実行するため湿式処理が用いられてよい。
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【課題】この開示は、半導体装置を製造する間に、半導体ウェハの化学機械平坦化（ＣＭＰ）後のウェハの洗浄を扱う。
【解決手段】金属、特に銅、相互接続、を含むウェハの後ＣＭＰ洗浄用アルカリ化学薬品が開示される。残留スラリーパーティクル、特に銅および他の金属パーティクルは十分に金属をエッチングしたり、表面に堆積物を放置したりまたは金属を酸化および腐食から保護する間、ウェハに対して十分な汚染物を被ったりせずにウェハ表面から除去される。また、少なくとも１つの強キレート剤は溶液中の金属イオンと錯体を形成するための存在し、誘電体から金属の除去を促進し、かつウェハ上への再堆積を防ぐ。 （もっと読む）