【課題】ファイバレーザ装置の出力光に含まれる信号増幅光や背景光の検出精度を向上する。
【解決手段】ＴＡＰカプラ１４３は、光増幅ファイバから出射される出力光の一部を分岐して、サンプリング光を抽出し、光ディテクタ１４６は、抽出されたサンプリング光を光電変換して、サンプリング光の光量（強度）に応じた検出信号を生成する。マルチプレクサ２０５は、信号増幅光が出力される期間を含む第１の期間における検出信号である信号光抽出信号、および、第１の期間を除く第２の期間における検出信号である背景光抽出信号を抽出する。本発明は、例えば、ファイバレーザ装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】高コントラストを有する高出力パルス光のパルス幅を任意に変化させることのできるパルス光生成装置を提供する
【解決手段】本発明によって、レーザー光を連続出射する連続発振レーザー光源１と、前記連続発振レーザー光源１から出射されたレーザー光の光路上に配置され、印加される駆動電圧に基づいて入射されたレーザー光の伝播方向を電気光学効果により偏向する電気光学ビーム偏向器２と、を備えることを特徴とするパルス光発振器１０が提供される。 （もっと読む）

【課題】簡明かつ低廉な構成で、和周波発生素子における光パルスの重なりを調整可能な光源装置を提供する。
【解決手段】光源装置１は、パルス光を発生するレーザ光発生部１０と、発生されたパルス光を複数に並列分岐して各パルス光を各々増幅し出射する複数の光増幅器２１〜２３を備えた光増幅部２０と、これらの光増幅器から出射されたパルス光を同軸に重ね合わせて波長変換光学素子に入射させ、和周波発生により高調波を発生させる波長変換部３０とを備える。光増幅器２２，２３の出口部分には、波長変換部３０に出射されるパルス光を平行光にコリメートする光学素子５０と、波長変換部３０に対する光学素子５０の光軸方向の位置を調整設定可能な調整機構６０とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】出力光の波長可変範囲を広げる。
【解決手段】基本波長光発生部は、レーザ装置１の出力光の波長を指令する出力波長指令信号に応じた基本波長の光を発生する。光増幅部２０は、前記基本波長の光を増幅する。波長変換部３０は、各々が波長変換を行う非線形光学結晶３１，３２，３４，３７，３９，４０とそれらをそれぞれ調整する温度調整器１１ａ，３１ａ，３２ａ，３４ａ，３７ａ，３９ａ，４０ａとを有し、光増幅部２０により増幅された光を、出力波長指令信号が示す波長の光に変換する。記憶部６０は、出力波長指令信号が示す波長とその波長に応じて設定すべき各非線形光学結晶の温度との対応関係を示す対応情報を記憶する。制御部は、各温度調整器を、当該温度調整器に対応する前記非線形光学結晶の温度が、出力波長指令信号に応じて前記対応情報により定まる設定すべき温度となるように、制御する。 （もっと読む）

【課題】エネルギー効率を悪化させず、かつ、放電管の寿命が短くなることなく、放電管における放電を確実に起こさせること。
【解決手段】レーザ発振装置は、レーザ媒質２０と、レーザ媒質２０に励起光Ｅを照射する放電管１と、放電管１へ電力を供給する電源１０と、を備えている。電源１０は、放電管１にパルス状のプリパルス電力を印加した後、放電管１にプリパルス電力よりも大きな加工電力を印加して励起光Ｅを発生させ、レーザ媒質２０からレーザ光Ｌを発振させる。 （もっと読む）

【課題】大型化及び高コスト化を招くことなく、高出力で変調可能なレーザ光を出力する。
【解決手段】励起用の半導体レーザ１１１と、該半導体レーザ１１１によって励起され、レーザ基本波を発振する固体レーザ結晶１１３と、固体レーザ結晶１１３からのレーザ基本波の光路上に配置され、周期的な分極反転構造を有し、レーザ基本波の入射角に応じた変換効率でレーザ基本波の第２高調波を生成する非線形光学結晶１１４と、非線形光学結晶１１４を駆動してレーザ基本波の入射角を変更する駆動機構１１５とを備える。これにより、変調された第２高調波を非線形光学結晶１１４から出力することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ローテータの回転によるレーザ光の光軸の変動を、簡易な構成で、迅速に補償する。
【解決手段】レーザ発振器７と、該レーザ発振器７から発せられたレーザ光Ｌ_１のビーム形状を整形するスリット１１と、該スリット１１により整形されたレーザ光Ｌ_１を光軸に沿って配置された回転軸Ｃ回りに回転させるプリズム１２と、該プリズム１２を透過してワークＡに照射されるレーザ光Ｌ_１のワークＡにおける照射位置を検出する照射位置検出部６と、該照射位置検出部６による検出結果に基づいてプリズム１２を光軸に交差する方向に移動させるプリズム並進移動機構とを備えるレーザリペア装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能を向上することが可能な技術を提供する。
【解決手段】半導体基板であるウェハ２５内に、リン等のｎ型不純物やボロン等のｐ型不純物を導入する。そして、ウェハ２５に対してその裏面２５ａ側から入射レーザ光６を照射し、それによってウェハ２５内の不純物を活性化する。入射レーザ光６は、ウェハ２５に対する照射タイミングを互いにずらして重畳された複数のパルスレーザ光１，２から成る。このような入射レーザ光６を使用して不純物の活性化を行うことによって、ウェハ２５の溶融を抑制しつつ、当該ウェハ２５に対して長時間レーザ光を照射することができる。その結果、半導体装置の性能が向上する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ装置の台数増加によるコスト上昇を招くことなく、レーザ装置の何れかが停止した場合における処理装置の稼働率低下を防止する。
【解決手段】 レーザ装置１５ａ〜１５ｃは、露光装置１２ａ〜１２ｃと同数設けられている。レーザ装置の何れか（例えば、レーザ装置１５ａ）が故障又はメンテナンス等により停止した場合には、露光管理コントローラ１１は、露光装置１２ａ〜１２ｃの稼働状況に同期して分配器１４の駆動ミラー１６ａ〜１６ｃを制御し、残りのレーザ装置１５ｂ，１５ｃからのレーザ光を停止しているレーザ装置１５ａに対応した露光装置１２ａに供給する。露光管理コントローラ１１は、例えば露光装置１２ｂがロット交換等によりレーザ光の供給が一時的に不要となるタイミングで上記の制御を行う。 （もっと読む）