【課題】１２μｍ以上、１８μｍ以下の波長を有する赤外線を出射可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、積層体と、誘電体層と、を有する。積層体は、量子井戸層を含む活性層を有し、リッジ導波路が設けられる。また、前記活性層は前記量子井戸層のサブバンド間光学遷移により１２μｍ以上、かつ１８μｍ以下の波長の赤外線レーザ光を放出可能な第１領域と、前記第１領域から注入されたキャリアのエネルギーを緩和可能な第２領域と、が交互に積層されたカスケード構造を有し、前記赤外線レーザ光を前記リッジ導波路が延在する方向に出射可能である。誘電体層は、前記リッジ導波路と直交する断面において、前記積層体の側面の少なくとも一部を両側から挟むように設けられる。前記誘電体層は、光の透過率が５０％に低下する波長が１６μｍ以上であり、前記活性層を構成するいずれの層の屈折率よりも低い屈折率を有する。 （もっと読む）

【課題】迷光を抑制し、かつ発光強度を向上させることができるリッジ型半導体レーザ素子を得る。
【解決手段】半導体基板１上に下クラッド層２、活性層３、及び上クラッド層４が順に積層されている。上クラッド層４にリッジ５が設けられ、リッジ５の両側に凹部６が設けられている。凹部６の底面に回折格子７が設けられている。リッジ５の上面にｐ電極９が接続されている。このｐ電極９は回折格子７の上方に延在している。 （もっと読む）

【課題】遠視野像（ＦＦＰ）にリップルが出現することを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、活性層１４と、活性層１４の上方において共振器の延びる方向（Ａ方向）に沿って延びるように形成されたリッジ部３（電流通路部）とを含む半導体素子層１０と、リッジ部３の中心から幅方向（Ｂ方向）に距離Ｌ１を隔てた状態でＡ方向に沿って延びるように形成され、半導体素子層１０のうちの少なくともリッジ部３が形成された側の上面１７ｃから活性層１４にわたる部分をＣ１方向に貫通して分断する溝部５ａおよび５ｂとを備える。 （もっと読む）

本発明は、放射を生成するために設けられている活性領域（２０）を備えている半導体基体（２）とウェブ状の領域（３）とを有している半導体レーザ（１）に関する。ウェブ状の領域は放射方向に沿って延在する長手軸（３０）を有しており、この長手軸は、放射方向に延在する半導体基体の中心軸（２５）に関して、横断方向にずらされて配置されている。更に本発明は、半導体レーザを製造する方法に関する。
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【課題】良好な断面形状を有する光を得ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】第１領域１０と、該第１領域と隣接する第２領域２０と、を含む発光装置１００であって、第１領域１０および第２領域２０に形成された基板１０２と、第１領域１０の基板の上方に形成された第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８と、第２領域２０の基板の上方に形成されたガイド層１２０とコア層１２２とを含み、前記活性層は第１側面１０５と第２側面１０７とを有し、活性層の少なくとも一部は利得領域１６０を構成し、少なくとも第２側面１０７には利得領域の端面１７２が設けられ、コア層１２２は、利得領域の第２側面１０７側の端面１７２と隣接する第３側面１２１と、第３側面１２１と反対側の第４側面１２３とを有し、利得領域に生じる光は、第２側面１０７側の端面１７２から、コア層１２２内を進行し、第４側面１２３まで至り、出射される。 （もっと読む）

【課題】スロープ効率が高い半導体レーザを得る。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ基板１０上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４、アンドープの活性層１６、ｐ型ＡｌＧａＮ電子障壁層１８、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２０及びｐ型ＧａＮコンタクト層２２が順番に形成されている。ｐ型ＧａＮコンタクト層２２からｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２０の途中までエッチングされてリッジ部２４が形成され、リッジ部２４の両側にチャンネル部２６が形成されている。リッジ部２４の側面とチャンネル部２６の上面に反射膜２８が形成されている。金属性のｐ電極３２が反射膜２８上に形成されている。反射膜２８は、屈折率が異なるＳｉＯ_２膜２８ａとＴａ_２Ｏ_５膜２８ｂの対を２対以上積層したものである。ＳｉＯ_２膜２８ａとＴａ_２Ｏ_５膜２８ｂの光学厚みはそれぞれ１／４波長である。 （もっと読む）

放射線をコリメートするための装置は、サブ波長次元の開口と、放射線を放出する能動または受動デバイスと統合された金属膜上に規定される、隣接する一組の溝とを含むことができる。レーザまたは他の放射線放出デバイスのファセット上へのビームコリメータの統合は、ビームのコリメーションおよび偏光選択を提供する。ビーム発散は、従来のレーザの出力と比較して２桁以上低減することができる。開口−溝構造を伴う能動ビームコリメータは、半導体レーザ（例えば、量子カスケードレーザ）、発光ダイオード、光ファイバ、およびファイバレーザ等の、広範囲の光学デバイスと統合することができる。
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【課題】単一モードの光を出力する半導体光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１００と、シリコン基板１００上に備えられたIII−Ｖ族半導体利得層１２０と、を含み、シリコン基板１００または半導体利得層１２０に分散ブラッググレーティングが形成される半導体光素子。 （もっと読む）

【課題】出射光の遠視野像の水平広がり角を広げ、遠視野像におけるアスペクト比を小さくし、レーザ光を集光しやすい半導体レーザ素子を提供することである。
【解決手段】半導体レーザ素子は、活性層１４上に順にｐ型クラッド層１５とエッチングストッパ層１６とリッジ１とを有し、更にリッジ１の両側に順に電流ブロック層１７と電流ブロック層１８とを有し、少なくともリッジ１の両側面の電流ブロック層１７が除去されて空洞部２２となっている構成とする。この空洞部２２は、電流ブロック層１８形成後に電流ブロック層１７の不要部分がエッチングにより除去されることにより形成される。 （もっと読む）