【課題】結晶成長装置へ負担をかけず、かつデバイス特性の劣化やばらつきを生じさせずに、凹型形状を表面に有する半導体部の表面にその凹型形状を維持して半導体層を成長した半導体素子を製造できる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】（００１）面を有する底面と低指数面を有する内側面とで形成された凹型形状を表面に有する凹型半導体部を形成する凹型半導体部形成工程と、前記凹型半導体部の表面に、エチル基を有する成長原料を用いて、前記成長原料の再蒸発領域の温度で半導体層を成長する半導体層成長工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】歩留まりがよく、局所的な領域から光を放出する側面発光半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る側面発光半導体素子は、Ｍｇの濃度が、５×１０¹⁹ｃｍ^-3以下にドープされたＡｌＧａＮ層と、ＡｌＧａＮ層及び活性層を含む積層構造の上部に形成されるストライプ状のリッジと、ＡｌＧａＮ層が露出するリッジ以外の積層構造の上面に形成されるショットキーバリアとを備える。 （もっと読む）

【課題】 ＮＦＰの端のピークを抑制し、その均一性を高めることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０上に、活性層２２を含む半導体層２０が形成され、半導体層２０上にｐ側電極３１が設けられている。半導体層２０には突条部４０が形成され、この突条部４０に対応して屈折率導波路５０が形成されている。屈折率導波路５０の幅Ｗ０は、突条部４０の延在方向において一様であり、例えば１０μｍ以上である。屈折率導波路５０内の境界線近傍領域５１，５２に対応して、電流非注入領域５３が設けられている。この電流非注入領域５３は、ｐ側電極３１およびｐ側コンタクト層２４に切欠部３１Ａ，２４Ａを設けたものである。電流非注入領域５３の幅は、屈折率導波路５０の境界線から例えば２μｍ以上１０μｍ以下であり、長さは例えば１０μｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】劈開によらずミラー端面を形成可能な構造を有する半導体光素子を提供する。
【解決手段】活性領域１７は、第１導電型III−V化合物半導体領域１３と第２導電型III−V化合物半導体領域１５との間に設けられている。ＩｎＰ半導体領域１９は、活性領域１７の端面１７ａを覆う。活性領域１７は、所定の軸Ａｘに沿って伸びている。第１導電型III−V化合物半導体領域１３は第１導電型のＩｎＰ基板２１を含む。ＩｎＰ基板２１は、所定の軸Ａｘに交差する平面に沿って伸びる第１の端面２１ａおよび第２の端面２１ｂを有する。活性領域１７は、ＩｎＰ基板２１上に設けられている。ＩｎＰ半導体領域１９の表面１９ａの位置Ｐ０は、所定の軸Ａｘの方向に関して、ＩｎＰ基板２１の第１の端面２１ａの位置Ｐ１とＩｎＰ基板２１の第２の端面２１ｂの位置Ｐ２との間に位置している。 （もっと読む）

【課題】閾値電流を低減できると共に、可飽和吸収層を簡単に形成できる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、傾斜ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に形成され、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる活性層１０６と、この活性層１０６上に形成されたｐ−ＧａＡｓ可飽和吸収層１０９、このｐ−ＧａＡｓ可飽和吸収層１０９上に形成されたｐ−ＧａＩｎＰエッチストップ層１１１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】
高出力かつスペクトル幅が極めて狭いレーザ光を出力することが可能であり、かつ構成を複雑化させず部品点数の少ない外部共振型半導体レーザを提供すること。
【解決手段】
同一端面より少なくとも２方向にレーザ光を出射する半導体レーザ素子３０と、出射する該レーザ光の一部を外部共振用レーザ光３５とし、その他の該レーザ光を出力用レーザ光３６とする外部共振型半導体レーザにおいて、該外部共振用レーザ光と出力用レーザ光との各光路に跨って配置される少なくとも一つ以上のビーム整形素子３１，３２と、該外部共振用レーザ光のみを反射する反射ミラー３４と、該ビーム整形素子と該反射ミラーとの間に配置されると共に、該外部共振用レーザ光と出力用レーザ光との各光路に跨って配置される特定波長透過フィルタ３３とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 有機材料膜のドライエッチング工程において、半導体基板上に残存する反応生成物を容易に除去する。
【解決手段】 有機材料膜のドライエッチング工程において、反応生成物を除去する目的でエッチングガスに添加されているフッ素系ガスのほかに、下部電極またはウェハ搬送用トレー上に設置された半導体基板の周辺に、フッ素を含有した部材を設け、部材自体からプラズマ中にフッ素（フッ素ラジカル）を生成させることで、半導体基板上に堆積した反応生成物を効率的かつ安定的に除去することができ、高品質な半導体光素子を実現できる。 （もっと読む）